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高級(jí)氧化水處理設(shè)備處理高濃度染料10分鐘的變化

ARTOS 1200D是一款新版的多功能便攜式組合音柱音響系統(tǒng)，包括一只6*3""無(wú)源塑殼音柱+一只內(nèi)嵌6路輸入帶雙通道功率放大器的數(shù)字箱式調(diào)音臺(tái)的12""有源超低頻音箱+1只塑殼音柱支撐箱。只需簡(jiǎn)單裝配，就組成一套高性能的專業(yè)音箱系統(tǒng)。三分頻3英寸塑膠組合音柱音響系統(tǒng)，包括1只6*3""全頻揚(yáng)聲器+1*1""壓縮驅(qū)動(dòng)器號(hào)角揚(yáng)聲器組成的全頻音箱，以及1只10""有源超低頻音箱。音質(zhì)出色，重量輕，攜帶方便。恒指向性高音號(hào)角設(shè)計(jì)，聲場(chǎng)覆蓋均勻。12""有源超低頻音箱，倒相式設(shè)計(jì)，內(nèi)置2*300W雙通道功率放大器，6路輸入通道的箱式調(diào)音臺(tái)，包括2路Mic輸入，1路6.35mm JACK立體聲線路輸入，1路USB PLAY輸入，1路藍(lán)牙信號(hào)輸入，1路右聲道線路輸出，2路AUX輔助輸出，1路腳踏開(kāi)關(guān)控制。

GL206A線陣列音箱具備平滑的頻率和相位響應(yīng)。1個(gè)3寸的釹磁高音壓縮單元和兩個(gè)6.5寸低音單元構(gòu)成一個(gè)動(dòng)態(tài)余量極大的組合。音箱內(nèi)裝一個(gè)獨(dú)立的大功率功放及DSP，音箱可單獨(dú)調(diào)節(jié)，連接數(shù)量根據(jù)實(shí)際場(chǎng)合大小進(jìn)行配置，使得現(xiàn)場(chǎng)擴(kuò)聲極其靈活、便捷。GL206A功放部分使用高效率開(kāi)關(guān)電源，內(nèi)置DSP模塊，具有處理分頻、EQ、壓限、延時(shí)、音量等功能，DSP可通過(guò)面板簡(jiǎn)易操作，功放面板上帶有RS485網(wǎng)絡(luò)接口。箱體部分采高強(qiáng)度PP復(fù)合材料制作，輕巧而堅(jiān)固，箱體為梯形,箱體與箱體之間的間隙已經(jīng)縮到最小,從而減少了整組陣列的無(wú)效發(fā)聲區(qū),最小化陣列的垂直旁瓣。 GL206A箱體上裝配有精密吊裝系統(tǒng),箱體與箱體的連接角度可調(diào)整箱體背部的連接桿在0°- 10°之間任意調(diào)整，以滿足不同場(chǎng)合的需求。

層間轉(zhuǎn)角在層狀堆垛的二維材料體系中提供了一個(gè)全新的自由度來(lái)調(diào)控其結(jié)構(gòu)與性質(zhì)。近幾年，相關(guān)方面的研究引起了廣泛的關(guān)注。早在2012年，何林課題組就開(kāi)始關(guān)注轉(zhuǎn)角對(duì)雙層石墨烯結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)的影響，測(cè)量了不同轉(zhuǎn)角雙層石墨烯的兩個(gè)范霍夫峰的峰間距能量與轉(zhuǎn)角大小的關(guān)系[1]，并預(yù)言該體系中的準(zhǔn)粒子具有可調(diào)控的手征性[2]，研究了應(yīng)變結(jié)構(gòu)在該體系產(chǎn)生的贗磁場(chǎng)和贗朗道能級(jí)[3]。2015年，何林團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)雙層轉(zhuǎn)角石墨烯體系費(fèi)米速度隨角度減小而迅速下降，證明在轉(zhuǎn)角為1.1度(第一魔轉(zhuǎn)角)附近時(shí)費(fèi)米速度降為零[4]，并于2017年，在轉(zhuǎn)角接近魔轉(zhuǎn)角的雙層石墨烯體系觀察到強(qiáng)電子-電子相互作用[5]。2018年初MIT的Pablo課題組在魔角雙層石墨烯觀察到電子-電子相互作用導(dǎo)致的關(guān)聯(lián)絕緣體態(tài)和超導(dǎo)態(tài)，魔角雙層石墨烯物性研究迅速成為過(guò)去兩年凝聚態(tài)物理研究的最大熱點(diǎn)。 近期，何林課題組發(fā)展了一套方法，能夠可控地制備利于掃描隧道顯微鏡系統(tǒng)（STM）研究的雙層轉(zhuǎn)角石墨烯，并利用STM研究了小角度雙層石墨烯的性質(zhì)，深入探索該體系由于電子-電子相互作用導(dǎo)致的平帶簡(jiǎn)并度解除和新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)的關(guān)聯(lián)。例如，何林課題組與合作者發(fā)現(xiàn)當(dāng)小轉(zhuǎn)角體系的平帶被部分填充時(shí)，電子-電子相互作用會(huì)解除平帶的谷贗自旋簡(jiǎn)并度，在體系中產(chǎn)生很大的軌道磁矩（每個(gè)莫爾約10μ_B），由于軌道磁矩和磁場(chǎng)的耦合，谷極化態(tài)的劈裂能量會(huì)隨著外加磁場(chǎng)線性增大[6]。同樣的結(jié)果也在應(yīng)變引起的平帶中觀察到了，當(dāng)雙層石墨烯的轉(zhuǎn)角接近魔角時(shí)，體系中微小的應(yīng)變結(jié)構(gòu)可以使兩個(gè)范霍夫峰之間出現(xiàn)一個(gè)新的零能量平帶（贗朗道能級(jí)），何林課題組與合作者發(fā)現(xiàn)電子-電子相互作用會(huì)解除贗朗道能級(jí)的谷贗自旋簡(jiǎn)并度，產(chǎn)生軌道磁性態(tài)[7]。這些結(jié)果表明小轉(zhuǎn)角石墨烯體系是研究二維軌道磁性態(tài)和量子反常霍爾效應(yīng)的理想平臺(tái)。在角度大于魔角的小轉(zhuǎn)角雙層石墨烯中，何林課題組與合作者證明電子-電子相互作用依然會(huì)起重要作用，并有可能產(chǎn)生完全不同于魔角雙層石墨烯的新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)。例如在1.49度的樣品中，他們證明電子-電子相互作用解除了體系平帶中的自旋和谷贗自旋的簡(jiǎn)并度，產(chǎn)生了一種全新的自旋和谷極化的金屬態(tài)[8]，這一結(jié)果進(jìn)一步拓寬了轉(zhuǎn)角體系新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)的研究范圍。 除了電學(xué)性質(zhì)受層間轉(zhuǎn)角的調(diào)制，在雙層轉(zhuǎn)角石墨烯體系，由于層間堆垛能與層內(nèi)晶格畸變引起的應(yīng)變能的競(jìng)爭(zhēng)，其原子結(jié)構(gòu)也會(huì)隨著角度發(fā)生改變。最近，何林課題組系統(tǒng)研究了雙層轉(zhuǎn)角石墨烯結(jié)構(gòu)隨著角度的演化，發(fā)現(xiàn)當(dāng)轉(zhuǎn)角大于魔角時(shí)，體系可以看作兩個(gè)獨(dú)立的剛性石墨烯層發(fā)生扭轉(zhuǎn)，層內(nèi)晶格畸變幾乎可以忽略（定義為非重構(gòu)結(jié)構(gòu)）；當(dāng)轉(zhuǎn)角小于魔角時(shí)，由于莫爾條紋周期較大，層間堆垛能占主導(dǎo)，從而引起晶格畸變產(chǎn)生堆垛的疇界（domain wall）網(wǎng)格（定義為重構(gòu)結(jié)構(gòu)）。這種疇界的兩邊都是Bernal堆垛的雙層石墨烯（分別為AB堆垛和BA堆垛），能傳輸谷極化的電流（圖一）。我們利用STM證明非重構(gòu)和重構(gòu)的兩種結(jié)構(gòu)在魔角附近都能穩(wěn)定存在。進(jìn)一步，我們發(fā)現(xiàn)利用STM針尖脈沖可對(duì)魔角雙層石墨烯的非重構(gòu)和重構(gòu)結(jié)構(gòu)進(jìn)行切換，從而開(kāi)關(guān)其二維導(dǎo)電拓?fù)渚W(wǎng)格。同時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)在強(qiáng)關(guān)聯(lián)效應(yīng)中起到重要作用的魔角雙層石墨烯平帶的帶寬也能在這一過(guò)程中被調(diào)控[9]。相關(guān)成果近日刊發(fā)在物理學(xué)期刊《Physical Review Letters》上。何林教授課題組博士生劉亦文為第一作者，美國(guó)洛斯阿拉莫斯國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的蘇贏博士為文章的共同第一作者，何林教授為通訊作者。

層間轉(zhuǎn)角在層狀堆垛的二維材料體系中提供了一個(gè)全新的自由度來(lái)調(diào)控其結(jié)構(gòu)與性質(zhì)。近幾年，相關(guān)方面的研究引起了廣泛的關(guān)注。早在2012年，何林課題組就開(kāi)始關(guān)注轉(zhuǎn)角對(duì)雙層石墨烯結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)的影響，測(cè)量了不同轉(zhuǎn)角雙層石墨烯的兩個(gè)范霍夫峰的峰間距能量與轉(zhuǎn)角大小的關(guān)系[1]，并預(yù)言該體系中的準(zhǔn)粒子具有可調(diào)控的手征性[2]，研究了應(yīng)變結(jié)構(gòu)在該體系產(chǎn)生的贗磁場(chǎng)和贗朗道能級(jí)[3]。2015年，何林團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)雙層轉(zhuǎn)角石墨烯體系費(fèi)米速度隨角度減小而迅速下降，證明在轉(zhuǎn)角為1.1度(第一魔轉(zhuǎn)角)附近時(shí)費(fèi)米速度降為零[4]，并于2017年，在轉(zhuǎn)角接近魔轉(zhuǎn)角的雙層石墨烯體系觀察到強(qiáng)電子-電子相互作用[5]。2018年初MIT的Pablo課題組在魔角雙層石墨烯觀察到電子-電子相互作用導(dǎo)致的關(guān)聯(lián)絕緣體態(tài)和超導(dǎo)態(tài)，魔角雙層石墨烯物性研究迅速成為過(guò)去兩年凝聚態(tài)物理研究的最大熱點(diǎn)。 近期，何林課題組發(fā)展了一套方法，能夠可控地制備利于掃描隧道顯微鏡系統(tǒng)（STM）研究的雙層轉(zhuǎn)角石墨烯，并利用STM研究了小角度雙層石墨烯的性質(zhì)，深入探索該體系由于電子-電子相互作用導(dǎo)致的平帶簡(jiǎn)并度解除和新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)的關(guān)聯(lián)。例如，何林課題組與合作者發(fā)現(xiàn)當(dāng)小轉(zhuǎn)角體系的平帶被部分填充時(shí)，電子-電子相互作用會(huì)解除平帶的谷贗自旋簡(jiǎn)并度，在體系中產(chǎn)生很大的軌道磁矩（每個(gè)莫爾約10μ_B），由于軌道磁矩和磁場(chǎng)的耦合，谷極化態(tài)的劈裂能量會(huì)隨著外加磁場(chǎng)線性增大[6]。同樣的結(jié)果也在應(yīng)變引起的平帶中觀察到了，當(dāng)雙層石墨烯的轉(zhuǎn)角接近魔角時(shí)，體系中微小的應(yīng)變結(jié)構(gòu)可以使兩個(gè)范霍夫峰之間出現(xiàn)一個(gè)新的零能量平帶（贗朗道能級(jí)），何林課題組與合作者發(fā)現(xiàn)電子-電子相互作用會(huì)解除贗朗道能級(jí)的谷贗自旋簡(jiǎn)并度，產(chǎn)生軌道磁性態(tài)[7]。這些結(jié)果表明小轉(zhuǎn)角石墨烯體系是研究二維軌道磁性態(tài)和量子反常霍爾效應(yīng)的理想平臺(tái)。在角度大于魔角的小轉(zhuǎn)角雙層石墨烯中，何林課題組與合作者證明電子-電子相互作用依然會(huì)起重要作用，并有可能產(chǎn)生完全不同于魔角雙層石墨烯的新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)。例如在1.49度的樣品中，他們證明電子-電子相互作用解除了體系平帶中的自旋和谷贗自旋的簡(jiǎn)并度，產(chǎn)生了一種全新的自旋和谷極化的金屬態(tài)[8]，這一結(jié)果進(jìn)一步拓寬了轉(zhuǎn)角體系新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)的研究范圍。 除了電學(xué)性質(zhì)受層間轉(zhuǎn)角的調(diào)制，在雙層轉(zhuǎn)角石墨烯體系，由于層間堆垛能與層內(nèi)晶格畸變引起的應(yīng)變能的競(jìng)爭(zhēng)，其原子結(jié)構(gòu)也會(huì)隨著角度發(fā)生改變。最近，何林課題組系統(tǒng)研究了雙層轉(zhuǎn)角石墨烯結(jié)構(gòu)隨著角度的演化，發(fā)現(xiàn)當(dāng)轉(zhuǎn)角大于魔角時(shí)，體系可以看作兩個(gè)獨(dú)立的剛性石墨烯層發(fā)生扭轉(zhuǎn)，層內(nèi)晶格畸變幾乎可以忽略（定義為非重構(gòu)結(jié)構(gòu)）；當(dāng)轉(zhuǎn)角小于魔角時(shí)，由于莫爾條紋周期較大，層間堆垛能占主導(dǎo)，從而引起晶格畸變產(chǎn)生堆垛的疇界（domain wall）網(wǎng)格（定義為重構(gòu)結(jié)構(gòu)）。這種疇界的兩邊都是Bernal堆垛的雙層石墨烯（分別為AB堆垛和BA堆垛），能傳輸谷極化的電流（圖一）。我們利用STM證明非重構(gòu)和重構(gòu)的兩種結(jié)構(gòu)在魔角附近都能穩(wěn)定存在。進(jìn)一步，我們發(fā)現(xiàn)利用STM針尖脈沖可對(duì)魔角雙層石墨烯的非重構(gòu)和重構(gòu)結(jié)構(gòu)進(jìn)行切換，從而開(kāi)關(guān)其二維導(dǎo)電拓?fù)渚W(wǎng)格。同時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)在強(qiáng)關(guān)聯(lián)效應(yīng)中起到重要作用的魔角雙層石墨烯平帶的帶寬也能在這一過(guò)程中被調(diào)控[9]。相關(guān)成果近日刊發(fā)在物理學(xué)期刊《Physical Review Letters》上。何林教授課題組博士生劉亦文為第一作者，美國(guó)洛斯阿拉莫斯國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的蘇贏博士為文章的共同第一作者，何林教授為通訊作者。

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)李曉光團(tuán)隊(duì)在前期研究基礎(chǔ)上，基于鐵電隧道結(jié)量子隧穿效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了具有亞納秒信息寫(xiě)入速度的超快原型存儲(chǔ)器，并可用于構(gòu)建存算一體人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，該成果在線發(fā)表《自然通訊》雜志上。研究人員制備了高質(zhì)量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結(jié)，其中鐵電勢(shì)壘層厚為6個(gè)單胞（約2.4nm）。基于隧道結(jié)能帶的設(shè)計(jì)，以及其對(duì)阻變速度、開(kāi)關(guān)比、操作電壓的調(diào)控，該原型存儲(chǔ)器信息寫(xiě)入速度快至600ps（注：機(jī)械硬盤(pán)的速度約為1ms, 固態(tài)硬盤(pán)的約為1-10ms）、開(kāi)關(guān)比達(dá)2個(gè)數(shù)量級(jí)，且其600ps的阻變速度在85℃時(shí)依然穩(wěn)定（工業(yè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)）；寫(xiě)入電流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存儲(chǔ)器低約3個(gè)量級(jí)；一個(gè)存儲(chǔ)單元具有32個(gè)非易失阻態(tài)；寫(xiě)入的信息預(yù)計(jì)可在室溫穩(wěn)定保持約100年；可重復(fù)擦寫(xiě)次數(shù)達(dá)108-109次，遠(yuǎn)超商用閃存壽命（約105次）。即使在極端高溫（225℃）環(huán)境下仍能進(jìn)行信息的寫(xiě)入，可實(shí)現(xiàn)高溫緊急情況備用。

在應(yīng)變的InAs/GaInSb量子阱中，量子阱中的應(yīng)力使其能帶發(fā)生改變，從而使得體態(tài)雜化能隙得以增大，這直接導(dǎo)致了邊緣態(tài)電子費(fèi)米速度的增加，因而螺旋邊緣態(tài)中的相互作用效應(yīng)變?nèi)酢?shí)驗(yàn)上測(cè)量得到的邊緣態(tài)電導(dǎo)以及其對(duì)外加磁場(chǎng)的響應(yīng)清楚地表明該系統(tǒng)中的量子自旋霍爾態(tài)是一種Z2拓?fù)浣^緣體，其性質(zhì)受到時(shí)間反演對(duì)稱性的保護(hù)。而且，InAs/GaInSb量子阱中螺旋邊緣態(tài)的相干長(zhǎng)度最長(zhǎng)可達(dá)10微米以上，遠(yuǎn)大于之前所有有關(guān)量子自旋霍爾態(tài)研究工作中報(bào)道的數(shù)值。另外，螺旋邊緣態(tài)的相干長(zhǎng)度還可以被柵極調(diào)節(jié)，這顯示了邊緣態(tài)電導(dǎo)與邊緣態(tài)電子費(fèi)米速度，也即邊緣態(tài)相互作用強(qiáng)度密切相關(guān)。

作為新型的半導(dǎo)體材料，金屬鹵化物鈣鈦礦因其優(yōu)異的光電特性得到了廣泛的關(guān)注，并在太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管、激光器、光催化、記憶存儲(chǔ)、晶體管等方面得到應(yīng)用。短短四年內(nèi)，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率從最初的3.8%提高到22.1%，超越了傳統(tǒng)的非晶硅、染料敏化、有機(jī)太陽(yáng)能等薄膜電池十年的研究成果，在2013 年鈣鈦礦太陽(yáng)能電池被Science評(píng)為十大科學(xué)進(jìn)展之一。 與鈣鈦礦太陽(yáng)能電池相比較，發(fā)光二極管的研究進(jìn)展較緩慢。對(duì)于鈣鈦礦發(fā)光二極管，目前以薄膜（thin film）報(bào)道為主，對(duì)于鈣鈦礦量子點(diǎn)，尤其是有機(jī)陽(yáng)離子（CH3NH3 （MA）, CH(NH2)2 (FA)）鈣鈦礦，相關(guān)報(bào)道較少。 該團(tuán)隊(duì)通過(guò)溶液合成的方法在室溫下得到了有機(jī)-無(wú)機(jī)陽(yáng)離子鈣鈦礦量子點(diǎn)材料FA(1?x)CsxPbBr3，通過(guò)優(yōu)化無(wú)機(jī)陽(yáng)離子Cs摻雜濃度，得到了性能優(yōu)異的鈣鈦礦量子點(diǎn)發(fā)光二極管，發(fā)光亮度高達(dá)55005 cd m?2 ，電流效率10.09 cd A?1。

本發(fā)明屬于量子點(diǎn) LED 封裝領(lǐng)域，具體涉及一種低工作溫度的量子點(diǎn)白光 LED，其中，LED 芯片固定設(shè)置在基板表面，量子點(diǎn)硅納米球附著在 LED 芯片表面，透光殼體內(nèi)表面附著有一層熒光粉膠，該透光殼體直接安裝在基板上或通過(guò)一模塑料固定在基板上方，并將LED 芯片和量子點(diǎn)硅納米球密封在內(nèi)，透光殼體內(nèi)還填充有封裝膠將量子點(diǎn)硅納米球和熒光粉膠隔離。本發(fā)明還公開(kāi)了一種低工作溫度的量子點(diǎn)白光 LED 的制備方法。本發(fā)明的量子點(diǎn) LED 利用封裝膠將熒光粉膠和量子點(diǎn)硅納米球隔離，可降低量子點(diǎn)工作溫度，減少重吸收損失，提高白光 LED 的發(fā)光效率；還能減少量子點(diǎn)的用量，控制量子點(diǎn)與熒光粉各自的發(fā)光光譜，得到所需的理想型發(fā)光。