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深感覺、前庭傳導束和脊髓小腦束前庭傳導
XM-655F深感覺、前庭傳導束和脊髓小腦束
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XM-655F深感覺、前庭傳導束和脊髓小腦束前庭傳導分別以草綠色和墨棕色表示一級和二級纖維，前庭二級纖維參與組成內側縱束，前庭脊髓束分別與有關腦神經核、脊髓聯系，還表示前庭和二級纖維與小腦、中央核的聯系，脊髓小腦束以黃色表示，主要說明其起始，行程以及在小腦的投射部位。
尺寸：放大，42×45×45cm
材質：優質鐵絲
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
深感覺、前庭傳導束和脊髓小腦束XM-655F
XM-655F深感覺、前庭傳導束和脊髓小腦束
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XM-655F深感覺、前庭傳導束和脊髓小腦束前庭傳導分別以草綠色和墨棕色表示一級和二級纖維，前庭二級纖維參與組成內側縱束，前庭脊髓束分別與有關腦神經核、脊髓聯系，還表示前庭和二級纖維與小腦、中央核的聯系，脊髓小腦束以黃色表示，主要說明其起始，行程以及在小腦的投射部位。
尺寸：放大，42×45×45cm
材質：優質鐵絲
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
腦纖維束解剖模型
XM-602-2腦纖維束解剖模型
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XM-602-2腦纖維束解剖模型顯示大腦內部的白質纖維，如大腦聯合系，固有連合系和投放射系等。
尺寸：自然大，16×12×9cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
碳化硅材料外延關鍵技術研究
小試階段/n本項目研究的碳化硅外延技術有其特殊性，不同于一般的半導體外延技術， SiC 外延生長技術在生長溫度、生長速率、缺陷和均勻性控制的具體指標要求以及實現 途徑上都突出了電力系統應用的特點。目前，國際上已經形成了從碳化硅襯底材料、 外延材料到器件制備的一整套產業體系。高質量 SiC 外延材料是 SiC 功率器件的基 礎材料，目前的國內外電力電子器件需要的碳化硅外延材料的發展趨勢都是向大直 徑、低缺陷、高度均勻性等方向發展。 目前，幾乎所有的碳化硅器件都是在碳化硅外延層上制備的。高質量的碳化硅
中國科學院大學
2021-01-12
齒科全景錐形束CT（CBCT）
CBCT區別于螺旋CT的特點：1. 射線量極低：相比傳統多排螺旋CT，錐形束CT一次投照只相當于傳統CT的1/30-1/40放射量, 僅相當于4次數字化曲面斷層投照放射量。2. 3. 口腔科應用方便，可作為口腔常規檢查手段。4. 在軸向位有更清晰的圖像，圖像分辨率可以達到0.1mm－0.5mm。5. 使用操作簡單通常說來，錐形束CT口腔技術人員或普通放射人員都可操作，而不像傳統CT操作需要專業人員持有上崗證。6. 購買、維護費用相對低廉 CBCT市場前景：1. Cone beam（錐形束）CT是當今口腔頭顱影像設備中最有前途和實用性的設備。2. 小動物、微結構及仿生學的研究需求巨大。3. 美國牙醫協會(ADA)預計在今后5年內至少有10萬臺以上的市場。4. NewTom12英寸錐形束CT（可投照全頭顱,重組20cm直徑*22cm高的3D圖像）為例，購買價格為人民幣三百多萬，其利潤每臺約200萬左右。5. 目前主要廠家韓國的vatech，美國i－cat，carestream，planmeca，主要生產中小fov的產品。
上海理工大學
2021-04-13
工業自動化線束
機器人電纜線束，報警與安防電纜線束，通訊線束，同軸數據電纜線束；自動化設備線束。醫療設備線束：生化檢測類，射頻類，監護類機內外線束等
永瞻電子科技（東莞）有限公司
2023-08-01
24053型電子束演示器
?24053型電子束演示器采用JG-4充氣型靜電偏轉陰極射線演示管（簡稱電子束管）。當管子各電極加上工作電壓之后，自陰極射出的具有一定能量的電子束，使管內的惰性氣體電離發光，形成細而明亮的光束，顯示了電子束的徑跡，該儀器的一側裝有小黑板，可不用暗室進行教學演示實驗，本儀器的主要用途為：①演示加速后的電子，在沒有外來電場或磁場的作用時，按直線運動。②觀察電子束在電場力的作用下發生的偏轉。③觀察電子束在磁場中所受的洛侖茲力。④說明熱電子發射現象等。該儀器還具有價格低廉，體積小，重量輕，使用方便，安全可靠等優點。
寧波浪力儀器有限公司（余姚市朗海科教儀器廠）
2021-08-23
錐體系傳導束XM-655A
XM-655A錐體系傳導束模型
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XM-655A錐體系傳導束模型包括皮質脊髓束和皮質延髓束，前者以深紅色表示，后者以粉紅色表示，神經核用彩色球表示，傳導束用鐵絲表示，主要顯示它們的起止經過和聯系。
尺寸：放大，50×23×73cm
材質：鐵絲+塑料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
丘腦核束內囊及紋狀體模型
XM-657丘腦核束內囊及紋狀體模型
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XM-657丘腦核束內囊及紋狀體模型由5部件組成，放大4倍，顯示丘腦、紋狀體、內囊以及下丘腦的外形、結構、毗鄰和相互關系等。
尺寸：放大4倍，20×4×37cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互連技術可以有效的解決集成電路進一步發展的尺寸限制同時可以極大的提高芯片間信息傳輸的速度和頻率。Si基光子集成是實現集成電路光互聯的核心技術和重要研究方向。然而，Si因為其間接帶系的特性很難作為發光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優良的光電轉換效率已經在光電子器件領域得到廣泛的應用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實現Si基光子芯片的一種理想途徑。
南京大學
2021-04-14