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低 C/N 比城市污水連續(xù)流脫氮除磷工藝與過程控制技術(shù)
針對國內(nèi)外低 C/N 城市污水處理中氮磷難以達標及能耗高的技術(shù)難題，本成果經(jīng)過 10 余年的潛心研究與工程實踐，提出了 1 個原創(chuàng)理論與方法，突破了 3 項新技術(shù)應(yīng)用的瓶頸，開發(fā)并集成了 4 個低 C/N 比城市污水脫氮除磷改良工藝及過程控制技術(shù)，共獲得 28 項授權(quán)的發(fā)明專利，發(fā)表論文 100 余篇 (SCI50 余篇 )，出版 2 本專著，獲 2 次全國優(yōu)秀博士學位論文提名獎，2 項國家級火炬計劃項目。本成果為低 C/N 比城市污水連續(xù)流脫氮除磷提供了多角度、全方位的綜合性解決方案，填補了我國在此項技術(shù)研究領(lǐng)域的空白，形成了具有我國自主知識產(chǎn)權(quán)的污水脫氮除磷技術(shù)。
北京工業(yè)大學
2021-04-13
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超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發(fā)明提供一種超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調(diào)制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結(jié)構(gòu)多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業(yè)大學
2021-04-14
低C/N比城市污水連續(xù)流脫氮除磷工藝與過程控制技術(shù)
北京工業(yè)大學
2021-04-14
TiO2/g-C3N4納米復合物用于可見光產(chǎn)氫
課題組依據(jù)共價鍵、靜電吸引力、范德華力三種不同作用力類型，構(gòu)筑了三類TiO 2
南方科技大學
2021-04-14
一種分辨 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的雙光柵光譜儀系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種測量大氣水 Raman 譜和氣溶膠熒光譜的激光雷達系統(tǒng)。該系統(tǒng)由發(fā)射單本發(fā)明 公開一種分辨 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的雙光柵光譜儀系統(tǒng)。包括信號饋入單元、光學色散單元和信號檢 測單元。信號饋入單元采用集束光纖將傳導的信號光饋入光學色散單元;光學色散單元包含兩組級聯(lián)的 準 Littrow 結(jié)構(gòu)布局的單光柵色散系統(tǒng);信號檢測單元分辨與記錄色散后的通帶范圍內(nèi)譜信號。在波長 354.8nm 紫外激光輻射下，由 N2 分子產(chǎn)生的 Stokes 振轉(zhuǎn) Raman 譜中心波長為 386.8nm，對稱分布在兩 側(cè)的 O 支與 S 支譜各譜線在頻譜上等間距;本發(fā)明能提取 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜 O 支及 S 支各分立譜 線信號，實現(xiàn)對 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的分辨與檢測，同時能對 354.8nm 附近光信號產(chǎn)生大幅抑制。
武漢大學
2021-04-13
提升結(jié)晶小分子半導體在n型有機薄膜晶體管柔性方面的研究
該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過合成一個柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導體的晶界，提升其機械性能，實現(xiàn)了柔性有機晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進一步實現(xiàn)了晶粒間的粘合作用。
南方科技大學
2021-04-14
I CODE SLI卡
產(chǎn)品詳細介紹I CODE SLI卡(PHILIPS):
芯片類型:Philips I CODE SLI
存儲容量:1024 bit，64bit唯一ID序列號
工作頻率:13.56MHz
讀寫距離:2.5～10cm
讀寫時間:1～2ms
工作溫度:-20℃～55℃
擦寫壽命:>100,000次
數(shù)據(jù)保存:>10年
封裝工藝:PVC層壓
尺寸:ISO標準卡/異型卡/圓幣卡
執(zhí)行標準:ISO15693
典型應(yīng)用:企業(yè)一卡通、圖書館、學校管理、公交儲值卡、停車場、小區(qū)管理等
==正華智能卡產(chǎn)品==
另有:EM4100/4102,TK4100,T5567,Mifare S50、S70,
Ultralight,FM11RF08,Ti2048......智能卡供應(yīng).
深圳市正華智能卡有限公司
2021-08-23
CMS-I抗過敏性哮喘中藥I類新藥
高校科技成果盡在科轉(zhuǎn)云
西安交通大學
2021-04-10
一種Si3N4/SiCw復相結(jié)合SiC耐火材料及其制備方法
小試階段/n本發(fā)明涉及一種Si3N4/SiCW復相結(jié)合SiC耐火材料及其制備方法。其技術(shù)方案是：以50~75wt%的碳化硅、18~36wt%的單質(zhì)硅和2~15wt%的碳為原料，外加所述原料3~7wt%的改性結(jié)合劑，攪拌均勻，機壓成型，成型后的坯體在220℃條件下干燥8~48小時；干燥后的坯體在氮氣氣氛中燒成，隨爐自然冷卻至室溫，即得Si3N4/SiCW復相結(jié)合SiC耐火材料。所述燒成的溫度制度是：先升溫至890~920℃，保溫1~3小時；再升溫至1180~1350℃，保溫4~10小時；然后升溫至在1
武漢科技大學
2021-01-12
利用亞甲基自轉(zhuǎn)移反應(yīng)制備 N-甲基化烏洛托品鹽的方法
本發(fā)明提供一種制備 N-甲基烏洛托品鹽的方法，將烏洛托品和質(zhì)子酸生成的質(zhì)子化烏洛托品鹽在適 宜條件下直接轉(zhuǎn)化成 N-甲基烏洛托品鹽。其原理為:烏洛托品質(zhì)子化后生成含 N-H 鍵的叔胺陽離子; 陽離子的生成使與質(zhì)子化氮原子相連的烏洛托品骨架上的亞甲基活化，繼之在適宜條件下發(fā)生斷鏈、轉(zhuǎn) 移和插入 N+-H 鍵的反應(yīng)，最終生成 N-甲基烏洛托品陽離子，在這種亞甲基轉(zhuǎn)移反應(yīng)中，陰離子一般不 參與反應(yīng)。該制備方法不用其它甲基化試劑，涉及化學
武漢大學
2021-04-14