小試階段/n本發明涉及一種Si3N4/SiCW復相結合SiC耐火材料及其制備方法。其技術方案是:以50~75wt%的碳化硅、18~36wt%的單質硅和2~15wt%的碳為原料,外加所述原料3~7wt%的改性結合劑,攪拌均勻,機壓成型,成型后的坯體在220℃條件下干燥8~48小時;干燥后的坯體在氮氣氣氛中燒成,隨爐自然冷卻至室溫,即得Si3N4/SiCW復相結合SiC耐火材料。所述燒成的溫度制度是:先升溫至890~920℃,保溫1~3小時;再升溫至1180~1350℃,保溫4~10小時;然后升溫至在1
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