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大電流同步降壓型DC/DC電源管理芯片
由于便模式電子設(shè)備的集成度不斷增加,功能越來越強.體積卻越來越小，因此迫切要求電源有更大的電流及低壓輸出能力，同時具備體積小、重量輕效率高性能好的特點。因此低壓大電流的BUCKDC-DC交換器是便攜式電子設(shè)備必不可少的組件，它為設(shè)備的各子系統(tǒng)電路提供穩(wěn)定的調(diào)制電壓,具備高頻化、高效率、低壓大電流低噪聲低紋波超薄型封裝等特點，實現(xiàn)了開關(guān)電源的小型化、集成化高效化。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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一種具有安全頂針的芯片剝離裝置
本發(fā)明公開了一種具有安全頂針的芯片剝離裝置，可以用于FlipChip 等 IC 封裝工藝中芯片與粘晶膜的剝離。粘晶膜置于該套筒一端端面上，待剝離的芯片粘接在所述粘晶膜上；頂針設(shè)置在套筒內(nèi)，用于在驅(qū)動裝置驅(qū)動下頂起芯片以與粘晶膜剝離；調(diào)節(jié)機構(gòu)設(shè)置在套筒內(nèi)，用于夾持頂針，并調(diào)整頂針有效受壓長度，以調(diào)整其歐拉臨界載荷；其中頂針為一種安全頂針，能保護半導(dǎo)體芯片不受損傷，其具有預(yù)設(shè)屈曲特性，即達到預(yù)設(shè)的額定頂起力時，該頂針發(fā)生屈曲，所述額定頂起力的值介于芯片剝離力和芯片損傷力之間。本發(fā)明的芯片剝離裝置可以與傳
華中科技大學(xué)
2021-01-12
一種半導(dǎo)體芯片的外觀檢測裝置
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體芯片的外觀檢測裝置，包括吸取機構(gòu)、U 形反光板、兩個光源、平面反射鏡、鏡頭、相機及調(diào)節(jié)機構(gòu)，吸取機構(gòu)用于吸取待檢測芯片至待檢測位，U 形反光板安裝在吸取機構(gòu)上，對稱設(shè)置在芯片側(cè)方，兩光源發(fā)出的光一部分照射在 U 形反光板上，對芯片底面和其中的一組對邊側(cè)面進行背光照明，一部分對芯片的另一組對邊側(cè)面進行背光照明，平面反射鏡為多個，傾斜對稱均勻設(shè)置在芯片下方四周，使經(jīng)平面反射鏡反射后的光線垂直入射到鏡頭前端面，鏡頭安裝在相機上，位于芯片下方，相機安裝在調(diào)節(jié)機構(gòu)上，調(diào)節(jié)機構(gòu)用于調(diào)節(jié)所述
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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雙系統(tǒng)兼容衛(wèi)星導(dǎo)航芯片組研制技術(shù)
衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)是國家安全與經(jīng)濟社會的核心基礎(chǔ)設(shè)施之一，隨著我國“北斗”二代衛(wèi)星導(dǎo)航計劃的加速推進，為衛(wèi)星導(dǎo)航應(yīng)用系統(tǒng)中最具有戰(zhàn)略意義的核心技術(shù)——導(dǎo)航芯片帶來空前的挑戰(zhàn)和機遇。 本項目通過對以“北斗二號”與GPS系統(tǒng)兼容接收機總體技術(shù)研究，突破雙系統(tǒng)兼容接收機芯片組關(guān)鍵技術(shù)研究，完成國內(nèi)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的“北斗二號”兼容型接收機射頻芯片和數(shù)字芯片的研制，填補國內(nèi)相關(guān)專業(yè)領(lǐng)域空白，奠定“北斗二號”導(dǎo)航系統(tǒng)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)，從而推進“北斗二號”產(chǎn)品在國民經(jīng)濟中的應(yīng)用，促進我國衛(wèi)星應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 本項目成功研制開發(fā)雙系統(tǒng)兼容接收機及OEM主機板和接收機、雙系統(tǒng)兼容接收機導(dǎo)航軟件、雙系統(tǒng)兼容接收機射頻芯片、高頻A/D、D/A、鎖相環(huán)等芯片、雙系統(tǒng)兼容接收機基帶芯片。 “北斗二號”兼容芯片組及OEM可應(yīng)用于傳統(tǒng)GPS應(yīng)用領(lǐng)域，成為GPS產(chǎn)品替代品。“北斗二號”兼容芯片組具有自主知識，實現(xiàn)導(dǎo)航接收機的集成微小型化，應(yīng)用領(lǐng)域更加擴展，可廣泛應(yīng)用于鐵路、電信以及軍事等關(guān)系國計民生、國家安全等領(lǐng)域。
北京航空航天大學(xué)
2021-04-13
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GPS/BDS衛(wèi)星授時芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)具有定位和授時功能，該項目專注于普通民用衛(wèi)星授時市場，研發(fā)衛(wèi)星授時專用芯片。由于省去了定位計算，與常用的衛(wèi)星導(dǎo)航芯片相比，在授時應(yīng)用時，該芯片的成本、功耗均可節(jié)約75%以上。芯片支持GPS和BDS，授時精度優(yōu)于20ms，可廣泛應(yīng)用于普通家用電子鐘、車載電子鐘、電子廣告牌、計時收費設(shè)備、智能電表、工業(yè)自動化控制及智慧農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域。 芯片可提供24個時區(qū)格林威治時間，無需用戶進行時區(qū)換算；提供年月日時分秒星期及中國的陰歷，免去了萬年歷的換算；具有守時功能，無需額外授時電路；提供串口輸出，方便工業(yè)及高端用戶；提供數(shù)碼管掃描輸出，可直接驅(qū)動數(shù)碼管，省去了掃描電路，為下游企業(yè)節(jié)約了成本。 該項目歷經(jīng)3年的FPGA樣機試驗，各項指標均滿足設(shè)計要求，目前已進行ASIC設(shè)計和流片階段，預(yù)計今年年底可以完成流片及測試，明年有望量產(chǎn)。現(xiàn)誠招投資合作伙伴，共同開發(fā)芯片市場；誠招芯片用戶企業(yè)，以芯片為核心開發(fā)各種衛(wèi)星授時產(chǎn)品；誠招芯片代理商，共同發(fā)展，互利共贏。
北京交通大學(xué)
2021-04-13
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磁隨機存儲器芯片（STT-MRAM）器件
已有樣品/nSTT-MRAM 是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當(dāng)前，美韓日三國在該項技術(shù)上全面領(lǐng)先，很有可能在繼硬盤、DRAM 及閃存等存儲芯片之后再次實現(xiàn)對我國100%的壟斷。微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團隊通過3 年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM 關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實現(xiàn)了重要突破，在國內(nèi)首次采用可兼容CMOS 工藝成
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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星上光學(xué)遙感數(shù)據(jù)處理SoC芯片（產(chǎn)品）
成果簡介：當(dāng)前已經(jīng)完成成果：已完成星上實時云剔除、關(guān)鍵區(qū)域/目標的快速提取算法研究；實現(xiàn)了光學(xué)遙感星上處理SoC芯片功能樣片研制和測試，單片可實現(xiàn)155Mbps輸入速率的實時處理，功耗小于600mw。 2015年完成成果：完成高性能、抗輻照星上光學(xué)遙感數(shù)據(jù)SoC處理器研發(fā)，并基于自主芯片構(gòu)建星上并行實時處理原型樣機，實現(xiàn)星上90%以上實時云剔除、關(guān)鍵區(qū)域/目標的快速提取等智能實時處理。 項目來源：民口863項目 技術(shù)領(lǐng)域：地球觀測與導(dǎo)航技術(shù)
北京理工大學(xué)
2021-04-14
單芯片高光束質(zhì)量光子晶體激光器
可以量產(chǎn)/n波長范圍905-1064nm、水平、垂直發(fā)散角<10度；直流輸出功率>5W;窄脈沖輸出功率>20W;光子晶體激光器模塊窄脈沖輸出功率>130W；并與傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光器工藝相兼容。此外還開展了808nm、980nm和1064nm等波段光子晶體激光器研究。“先進半導(dǎo)體光子晶體激光器技術(shù)研究”獲得2013年度北京市科學(xué)技術(shù)獎二等獎，光子晶體高功率高亮度激光器被評為“2014中國光學(xué)重要成果”。市場預(yù)期：半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用范圍覆蓋了整個光電子學(xué)領(lǐng)域，已成為當(dāng)今光電子科學(xué)的核
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
空間微流控芯片技術(shù)與生物實驗載荷
微流控芯片是空間生物實驗與生命信息探測的最新技術(shù)。“微流控芯片” 被美國宇航局譽為空間生物學(xué)實驗的“終結(jié)者”。微流控芯片是當(dāng)前微全分析系統(tǒng)發(fā)展的熱點領(lǐng)域。結(jié)合空間生命特征分子的特點，發(fā)展高集成度芯片和芯片檢測技術(shù)將是一項成本低、信息量高、簡便易行的創(chuàng)新技術(shù)。此技術(shù)的研究和應(yīng)用將為我國空間生命科學(xué)研究提供先進的技術(shù)手段。
北京理工大學(xué)
2021-01-12
一種微流控芯片的封裝方法
本發(fā)明公開了一種微流控芯片的封裝方法，用于對具有微通道 結(jié)構(gòu)的微米級基片和與基片相固定連接的蓋片進行封裝得到微流控芯 片，包括下述步驟，S1 根據(jù)微流控芯片上的圖案制備基片與蓋片；S2 根據(jù)微流控芯片上的圖案制備與其圖案相同的自蔓延多層膜；S3 分別 將進行表面處理后的所述基片和所述蓋片層疊在所述自蔓延多層膜兩 側(cè)面以形成封裝結(jié)構(gòu)；S4 對所述封裝結(jié)構(gòu)施加壓力并引燃所述自蔓延 多層膜，燃燒引起材料融化實現(xiàn)所述基片和所
華中科技大學(xué)
2021-04-14