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新型硅基環(huán)柵納米線MOS?器件
已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上，通過(guò)高級(jí)刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合，最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
氮化鎵高壓電力電子器件
已有樣品/n基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料體系，通過(guò)采用導(dǎo)電機(jī)制融合和能帶分區(qū)調(diào)控的先進(jìn)技術(shù)路線改變傳統(tǒng)氮化鎵肖特基二極管正向電壓與反向電流等參數(shù)之間的經(jīng)典調(diào)控規(guī)律，采用無(wú)損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進(jìn)一步提升了氮化鎵肖特基二極管的性能。測(cè)試結(jié)果達(dá)到1700V反向耐壓，正向開(kāi)啟電壓達(dá)到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極管器件市場(chǎng)提供了一種新選擇。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
陽(yáng)離子基阻變器件電流-保持特性
已有樣品/n通過(guò)石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數(shù)量，集中化/離散化陽(yáng)離子基阻變器件中導(dǎo)電通路的分布來(lái)調(diào)控其穩(wěn)定性,此工作是該領(lǐng)域首次在相同結(jié)構(gòu)阻變器件中實(shí)現(xiàn)電流-保持特性的雙向調(diào)控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調(diào)控方法，也能夠移植應(yīng)用到離子電池，離子傳感等研究領(lǐng)域。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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高速光通信用微結(jié)構(gòu)光纖器件
項(xiàng)目簡(jiǎn)介本成果提出新型微結(jié)構(gòu)光纖器件，提出基于非對(duì)稱耦合理論的實(shí)現(xiàn)模式轉(zhuǎn)換、波分 復(fù)用等功能器件。已申請(qǐng)發(fā)明專利 6 項(xiàng)，其中已授權(quán)發(fā)明專利 3 項(xiàng)（ZL200810021652.8、 ZL200810021651.3、ZL200910032535.6）。 性能指標(biāo) （1）模式轉(zhuǎn)換效率可達(dá) 80%以上，帶寬在 100 nm 以上。 （2）實(shí)現(xiàn) 1310、1550 nm 波長(zhǎng)復(fù)用、解復(fù)用，消光比低于-25 dB。 適用范圍、市場(chǎng)前景 適用范圍：高速光通信關(guān)鍵器件，組成高速、大容量光 通信
江蘇大學(xué)
2021-04-14
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極深紫外光源與納米器件制造
徐永兵課題組于2014年啟動(dòng)了國(guó)家重大儀器研究計(jì)劃（飛秒級(jí)時(shí)間分辨并自旋分辨電子能譜探測(cè)系統(tǒng)，項(xiàng)目編號(hào)61427812）。此項(xiàng)目就是旨在建立國(guó)內(nèi)第一套極深紫外的光源系統(tǒng)。目前已經(jīng)成功地在實(shí)驗(yàn)室中，實(shí)現(xiàn)了波長(zhǎng)為120~24 nm左右的脈沖光源，脈沖重復(fù)頻率為1kHz，單個(gè)脈沖為30fs。單個(gè)光子能量最大到50 eV左右，亮度為1 ′ 1011光子/s。從光
南京大學(xué)
2021-04-14
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低導(dǎo)通電阻 VDMOS 器件及制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種低導(dǎo)通電阻 VDMOS 器件及制備方法，在傳統(tǒng)的 VDMOS 器件結(jié)構(gòu)中引入一塊與 源區(qū)摻雜雜質(zhì)相同的摻雜區(qū)。該摻雜區(qū)位于柵氧層正下方且與基區(qū)和柵氧層緊密接觸。相應(yīng)地，新?lián)诫s 區(qū)上方的柵極采用中空結(jié)構(gòu)。本發(fā)明 VDMOS 器件可有效降低溝道導(dǎo)通電阻和頸區(qū)電阻，從而降低 VDMOS 器件的導(dǎo)通電阻；同時(shí)，采用中空結(jié)構(gòu)的柵極既可避免新?lián)诫s區(qū)對(duì)擊穿電壓的影響，也可降低 柵極與漏極間結(jié)電容，提高 VDMOS 的開(kāi)關(guān)速度。本發(fā)明方法工藝簡(jiǎn)
武漢大學(xué)
2021-04-14
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高效有機(jī)磷光發(fā)光材料及OLED器件
高效有機(jī)磷光發(fā)光材料及OLED器件，2012年12月獲四川省科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平；申請(qǐng)發(fā)明專利12項(xiàng)（5項(xiàng)授權(quán)）。項(xiàng)目中所制備的銥配合物磷光電致發(fā)光材料在四川虹視顯示技術(shù)有限公司的3款OLED器件（1.1英寸、分辨率為96×64；1.8英寸、分辨率為128×64；2.2英寸、分辨率為160×128）樣品中使用，該項(xiàng)目研究成果，填補(bǔ)了我國(guó)在新型平板顯示器件---高效有機(jī)磷光電致發(fā)光材料及OLED器件方面的材料制備和器件化工藝的空白。
電子科技大學(xué)
2021-04-14
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有機(jī)半導(dǎo)體光電導(dǎo)器件研發(fā)及應(yīng)用
① 酞菁納米材料制備。使用四苯氧基金屬酞菁，采用混合溶劑緩慢揮發(fā)的方法，得到一維的酞菁納米線；
② 器件組裝。使用梳狀電極，將酞菁納米線搭在梳狀電極兩端，形成電路。得到的酞菁器件對(duì) 808 nm光敏感，可以迅速產(chǎn)生響應(yīng)，恢復(fù)時(shí)間短，課重復(fù)響應(yīng)。
安徽理工大學(xué)
2021-04-13
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芯片熱設(shè)計(jì)自動(dòng)化系統(tǒng)
TDA（芯片熱設(shè)計(jì)自動(dòng)化）軟件是清華航院曹炳陽(yáng)教授團(tuán)隊(duì)全自主研發(fā)的國(guó)際首個(gè)芯片跨尺度熱仿真與設(shè)計(jì)系統(tǒng)。TDA軟件可實(shí)現(xiàn)芯片從納米至宏觀尺寸的熱設(shè)計(jì)與仿真，支持芯片微納結(jié)構(gòu)內(nèi)部熱輸運(yùn)過(guò)程的模擬研究，直接提高芯片熱仿真精度與結(jié)溫預(yù)測(cè)準(zhǔn)確度，進(jìn)而提高芯片性能、壽命和可靠性。
清華大學(xué)
2025-05-16
業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
冬小麥智能化滴管水肥一體化栽培技術(shù)
水肥一體化滴灌技術(shù)是基于作物生長(zhǎng)特性和環(huán)境狀況等條件，借助新型滴灌系統(tǒng)， 在灌溉的同時(shí)將肥料配兌成肥液一起輸送到作物根部土壤，確保水分養(yǎng)分均勻、準(zhǔn)確、 定時(shí)定量地供應(yīng)，達(dá)到節(jié)水節(jié)肥、提高水肥利用效率、增產(chǎn)增收等效果。在山東省首次 提出了完整配套的冬小麥智能滴灌水肥一體化栽培技術(shù)體系，實(shí)現(xiàn)了冬小麥的節(jié)水、節(jié) 肥、高效、環(huán)保的可持續(xù)生產(chǎn)，整體達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平，經(jīng)濟(jì)、生態(tài)和社會(huì)效益顯著。 目前，冬小麥智能化滴灌水肥一體化栽培技術(shù)體系在青島、煙臺(tái)、濰坊等推廣應(yīng)用每年 超過(guò)了5萬(wàn)畝，實(shí)現(xiàn)節(jié)水40%-60%，提高勞動(dòng)效率80%以上，增加產(chǎn)量產(chǎn)量10％-20％。
青島農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-11