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近日，天津大學(xué)趙廣久教授團(tuán)隊(duì)在鈣鈦礦材料的激發(fā)態(tài)化學(xué)機(jī)制研究方面取得突破性進(jìn)展。相關(guān)研究成果發(fā)表在《Chemical Engineering Journal》（IF: 10.65）上。該團(tuán)隊(duì)首次合成了一種新型非鉛雙鈣鈦礦材料，并調(diào)控晶格畸變，調(diào)控了激發(fā)態(tài)載流子動(dòng)力學(xué)，從而顯著促進(jìn)了光致發(fā)光量子產(chǎn)率的提升，對(duì)進(jìn)一步的材料開(kāi)發(fā)和應(yīng)用有很強(qiáng)的指導(dǎo)意義。 研究背景 在過(guò)去的十年中，關(guān)于鈣鈦礦材料的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用一直在光伏電池和發(fā)光領(lǐng)域得到了極大的發(fā)展。鈣鈦礦納米晶體的與其塊狀材料相比，具有許多優(yōu)勢(shì)，例如鈣鈦礦納米晶具有高的光致發(fā)光量子產(chǎn)率，顏色可調(diào)，同時(shí)易于大規(guī)模制備柔性器件。因此，鹵化鈣鈦礦納米晶體已成為研究人員的重要研究對(duì)象。 不幸的是，鉛的毒性限制了鹵化鉛的進(jìn)一步應(yīng)用鈣鈦礦納米晶體。最近報(bào)道了一些無(wú)鉛鈣鈦礦納米晶體的合成，但是其很難構(gòu)造3D的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致性能不佳。鉛基鈣鈦礦的出色光學(xué)性能NC由獨(dú)特的3D鈣鈦礦結(jié)構(gòu)和ns2電子軌道，使其具有優(yōu)異的電荷載流子行為。同時(shí)，幾種雙鈣鈦礦納米晶體 3D結(jié)構(gòu)取得了一些進(jìn)展。但是有兩個(gè)問(wèn)題仍然存在。一種是開(kāi)發(fā)更新穎的雙納米晶體來(lái)配合設(shè)備的應(yīng)用；另一種是使用高精度光譜探索更深層次的激發(fā)態(tài)動(dòng)力學(xué)。因此，更有效的合成技術(shù)改造和更深刻的載流子動(dòng)力學(xué)研究是目前最有效的方法，這可提高無(wú)鉛鈣鈦礦納米晶體的應(yīng)用前景。 研究基礎(chǔ) 在前期的研究中，團(tuán)隊(duì)在鈣鈦礦光電材料設(shè)計(jì)與機(jī)理研究方面取得了一系列的原創(chuàng)性成果。前期我們團(tuán)隊(duì)通過(guò)離子摻雜誘導(dǎo)相轉(zhuǎn)變，從非活性相轉(zhuǎn)變?yōu)榛钚韵啵沟冒l(fā)光效率得到大幅度提高 (Angew. Chemie. Int. Ed. 2019, 58, 11642.) ; 在認(rèn)識(shí)到晶型對(duì)發(fā)光調(diào)控的重要影響后，我們進(jìn)一步地通過(guò)離子摻雜控制晶格變形程度進(jìn)而調(diào)控發(fā)光峰的寬度，可以在實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率的同時(shí)隨意控制發(fā)光峰寬度的窄化和拓寬(Chem. Eng. J. 2020, 125367; J. Lumin. 2020, 117045; 2D Mater. 2020, 7, 031008.)；最后我們?yōu)榱碎_(kāi)發(fā)多手段實(shí)現(xiàn)構(gòu)象調(diào)控，我們通過(guò)引入不同的左右旋手性基團(tuán)，從而實(shí)現(xiàn)手性的傳遞和放大(J. Mater. Chem. C. 2020, 8, 5673. Phys. Chem. Chem. Phys. 2020, 22, 17299.)。 研究進(jìn)展 在這項(xiàng)工作中，趙廣久團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新地開(kāi)發(fā)了高效光致發(fā)光鈉鉍雙鈣鈦礦Cs2NaBiX6（X = Cl，Br）納米晶體。該團(tuán)隊(duì)通過(guò)離子摻雜控制晶格畸變，促進(jìn)自陷態(tài)激子的捕獲，實(shí)現(xiàn)了超快的熱載流子弛豫；同時(shí)，DFT理論計(jì)算分析表明離子摻雜后的晶體的能帶結(jié)構(gòu)從間接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋叮龠M(jìn)了電子空穴的輻射復(fù)合；此外離子摻雜也降低了晶體的體相缺陷，減少了缺陷產(chǎn)生的非輻射復(fù)合。以上三者的貢獻(xiàn)綜合作用從而大幅度促進(jìn)了光致發(fā)光產(chǎn)率的提升，結(jié)果離子摻雜后的雙鈣鈦礦Cs2NaBiCl6 NCs可顯示約16％的明亮寬帶光致發(fā)光PLQY，高于迄今為止報(bào)告的單組分鈣鈦礦發(fā)光材料（2-10％）。我們的研究為未來(lái)的新材料的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用提供了指導(dǎo)。

項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:近日，天津大學(xué)趙廣久教授團(tuán)隊(duì)在鈣鈦礦材料的激發(fā)態(tài)化學(xué)機(jī)制研究方面取得突破性進(jìn)展。相關(guān)研究成果發(fā)表在《Chemical Engineering Journal》（IF: 10.65）上。該團(tuán)隊(duì)首次合成了一種新型非鉛雙鈣鈦礦材料，并調(diào)控晶格畸變，調(diào)控了激發(fā)態(tài)載流子動(dòng)力學(xué)，從而顯著促進(jìn)了光致發(fā)光量子產(chǎn)率的提升，對(duì)進(jìn)一步的材料開(kāi)發(fā)和應(yīng)用有很強(qiáng)的指導(dǎo)意義。 研究背景 在過(guò)去的十年中，關(guān)于鈣鈦礦材料的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用一直在光伏電池和發(fā)光領(lǐng)域得到了極大的發(fā)展。鈣鈦礦納米晶體的與其塊狀材料相比，具有許多優(yōu)勢(shì)，例如鈣鈦礦納米晶具有高的光致發(fā)光量子產(chǎn)率，顏色可調(diào)，同時(shí)易于大規(guī)模制備柔性器件。因此，鹵化鈣鈦礦納米晶體已成為研究人員的重要研究對(duì)象。 不幸的是，鉛的毒性限制了鹵化鉛的進(jìn)一步應(yīng)用鈣鈦礦納米晶體。最近報(bào)道了一些無(wú)鉛鈣鈦礦納米晶體的合成，但是其很難構(gòu)造3D的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致性能不佳。鉛基鈣鈦礦的出色光學(xué)性能NC由獨(dú)特的3D鈣鈦礦結(jié)構(gòu)和ns2電子軌道，使其具有優(yōu)異的電荷載流子行為。同時(shí)，幾種雙鈣鈦礦納米晶體 3D結(jié)構(gòu)取得了一些進(jìn)展。但是有兩個(gè)問(wèn)題仍然存在。一種是開(kāi)發(fā)更新穎的雙納米晶體來(lái)配合設(shè)備的應(yīng)用；另一種是使用高精度光譜探索更深層次的激發(fā)態(tài)動(dòng)力學(xué)。因此，更有效的合成技術(shù)改造和更深刻的載流子動(dòng)力學(xué)研究是目前最有效的方法，這可提高無(wú)鉛鈣鈦礦納米晶體的應(yīng)用前景。 研究基礎(chǔ) 在前期的研究中，團(tuán)隊(duì)在鈣鈦礦光電材料設(shè)計(jì)與機(jī)理研究方面取得了一系列的原創(chuàng)性成果。前期我們團(tuán)隊(duì)通過(guò)離子摻雜誘導(dǎo)相轉(zhuǎn)變，從非活性相轉(zhuǎn)變?yōu)榛钚韵啵沟冒l(fā)光效率得到大幅度提高 (Angew. Chemie. Int. Ed. 2019, 58, 11642.) ; 在認(rèn)識(shí)到晶型對(duì)發(fā)光調(diào)控的重要影響后，我們進(jìn)一步地通過(guò)離子摻雜控制晶格變形程度進(jìn)而調(diào)控發(fā)光峰的寬度，可以在實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率的同時(shí)隨意控制發(fā)光峰寬度的窄化和拓寬(Chem. Eng. J. 2020, 125367; J. Lumin. 2020, 117045; 2D Mater. 2020, 7, 031008.)；最后我們?yōu)榱碎_(kāi)發(fā)多手段實(shí)現(xiàn)構(gòu)象調(diào)控，我們通過(guò)引入不同的左右旋手性基團(tuán)，從而實(shí)現(xiàn)手性的傳遞和放大(J. Mater. Chem. C. 2020, 8, 5673. Phys. Chem. Chem. Phys. 2020, 22, 17299.)。 研究進(jìn)展 在這項(xiàng)工作中，趙廣久團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新地開(kāi)發(fā)了高效光致發(fā)光鈉鉍雙鈣鈦礦Cs2NaBiX6（X = Cl，Br）納米晶體。該團(tuán)隊(duì)通過(guò)離子摻雜控制晶格畸變，促進(jìn)自陷態(tài)激子的捕獲，實(shí)現(xiàn)了超快的熱載流子弛豫；同時(shí)，DFT理論計(jì)算分析表明離子摻雜后的晶體的能帶結(jié)構(gòu)從間接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋叮龠M(jìn)了電子空穴的輻射復(fù)合；此外離子摻雜也降低了晶體的體相缺陷，減少了缺陷產(chǎn)生的非輻射復(fù)合。以上三者的貢獻(xiàn)綜合作用從而大幅度促進(jìn)了光致發(fā)光產(chǎn)率的提升，結(jié)果離子摻雜后的雙鈣鈦礦Cs2NaBiCl6 NCs可顯示約16％的明亮寬帶光致發(fā)光PLQY，高于迄今為止報(bào)告的單組分鈣鈦礦發(fā)光材料（2-10％）。我們的研究為未來(lái)的新材料的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用提供了指導(dǎo)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種非晶合金微細(xì)零件的制備方法，包括：將非晶合金所需的各種純金屬按比例配制成非晶合金原材料，并置于所述真空電弧吸鑄爐的真空熔腔內(nèi)；準(zhǔn)備用于制備非晶合金微細(xì)零件的硅模具，將該硅模具置于內(nèi)部型腔為通孔的銅模具中，并將所述銅模具置于真空電弧吸鑄爐的下型腔中；將真空熔腔抽真空并充入保護(hù)氣，對(duì)非晶合金原材料進(jìn)行熔煉，并通過(guò)降低銅模具內(nèi)的氣壓使熔煉后的非晶合金熔液通過(guò)所述通孔由真空熔腔吸入硅模具內(nèi)；脫模即可得到非晶合金微細(xì)零件。本發(fā)明還公開(kāi)一種非晶合金微細(xì)零件的制備裝置。本發(fā)明采用真空吸鑄，克服了非

懸賞金額：10萬(wàn)元 發(fā)榜企業(yè)：德旭新材料（廣州）股份有限公司 產(chǎn)業(yè)集群：先進(jìn)材料產(chǎn)業(yè)集群 需求領(lǐng)域：特種功能材料;精細(xì)化工;電子材料;半導(dǎo)體材料;表面改性材料 技術(shù)關(guān)鍵詞：抗磨;超滑;切割;拋光

華中科技大學(xué)X射線應(yīng)力測(cè)定儀采購(gòu)項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)性磋商

高質(zhì)量鉬系硫族化合物單層材料的CVD生長(zhǎng)一直受限于難以控制的化學(xué)動(dòng)力學(xué)條件，其中最為重要的是對(duì)于Mo蒸汽釋放的合理調(diào)控。近日，課題組在傳統(tǒng)的MoO 3

一種網(wǎng)格狀CuxS/Cu2O，x＝1.75～2復(fù)合類金字塔薄膜的制備方法，具體作法是：將方塊面電阻為10-14歐的FTO，依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、異丙醇溶劑超聲洗凈，晾干；取含CuSO4和乳酸的混合溶液，以FTO為工作電極，鉑片為對(duì)電極，采用電壓法沉積；沉積后取出FTO，清洗烘干得Cu2O類金字塔薄膜的FTO；再將其放入Na2S溶液中處理，清洗烘干即在FTO上得網(wǎng)格狀CuxS/Cu2O復(fù)合類金字塔薄膜。該方法設(shè)備簡(jiǎn)單，能耗低，適合大規(guī)模生產(chǎn)；制得物對(duì)太陽(yáng)光吸收波長(zhǎng)范圍寬，作為太陽(yáng)能電池材料具有應(yīng)用前景；可作為模版和反應(yīng)介質(zhì)直接合成其它具有窄禁帶寬度的類金字塔形化合物，作為太陽(yáng)能電池材料。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 1.      主要參數(shù)： ★掃描方式：激光手持照相式 ★掃描技術(shù)：激光線網(wǎng)格掃描技術(shù) 幀掃描區(qū)域：250mm×250mm 景深：250mm（自動(dòng)） 工作距離：300mm ★掃描速率： 300000次/秒 掃描分辨率：0.100（毫米） ★測(cè)量精度：0.03 mm ★體積精度：0.020 + 0.100（毫米/米） 體積精度（結(jié)合DigiMetric）：0.020 + 0.025（毫米/米） 測(cè)量范圍（物件尺寸）：0.1 ～6米，可擴(kuò)展 傳輸方式： USB3.0 工作溫度：-10 - 40℃ 工作濕度：10 - 90 % 三維光學(xué)掃描系統(tǒng)配置與功能 數(shù)據(jù)采集傳感器：高速、高精密工業(yè)級(jí)相機(jī)2臺(tái) ★內(nèi)置微慣性傳感器，實(shí)時(shí)輸出設(shè)備位姿； ★測(cè)量光源：10束交叉激光線，激光級(jí)別ClassII(人眼安全)，波長(zhǎng)大于600納米 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)：支持windows 7，32位和64位操作系統(tǒng)，支持內(nèi)存16G以上 拼接方式：系統(tǒng)整合“專業(yè)模式”全自動(dòng)標(biāo)志點(diǎn)拼接模塊 全局誤差控制方式：GREC Pro全局誤差控制 ★掃描方式：FLESA可變點(diǎn)距掃描 ★使用方便：整個(gè)過(guò)程全部手持完成，無(wú)需三腳架等支撐裝置 所測(cè)量的物體表面可不做任何形式（如噴白）的預(yù)先處理 防抖設(shè)計(jì)：采用先進(jìn)的防抖動(dòng)算法，防止掃描過(guò)程中人為的抖動(dòng)對(duì)誤差的影響 自動(dòng)探測(cè)被掃描物體顏色材質(zhì)，從而自動(dòng)調(diào)節(jié)激光亮度及CCD曝光 可一鍵自動(dòng)過(guò)濾掃描背景數(shù)據(jù)，自動(dòng)刪除雜點(diǎn)及過(guò)濾不良點(diǎn)云數(shù)據(jù) 軟件界面實(shí)時(shí)捕捉靜態(tài)圖像，一鍵截圖功能 ★碳纖維材質(zhì)標(biāo)定板，輕量化，抗壓耐高溫，不易變形，非石英玻璃材質(zhì)。雙面標(biāo)定，白平衡標(biāo)定功能，有效減少掃描噪聲 三維光學(xué)掃描系統(tǒng)軟件功能 ★全中文軟件界面 ★自適應(yīng)形面掃描模塊 自動(dòng)調(diào)節(jié)系統(tǒng)參數(shù)，自適應(yīng)各種材質(zhì)/顏色表面的不同掃描對(duì)象，無(wú)需手動(dòng)調(diào)節(jié)； FLESA可變點(diǎn)距掃描，在同一次掃描中，可對(duì)點(diǎn)距進(jìn)行靈活設(shè)置和改變，同時(shí)滿足高速掃描以及精細(xì)掃描的需求 ★自動(dòng)拼接模塊 智能標(biāo)志點(diǎn)識(shí)別技術(shù)：系統(tǒng)自動(dòng)跟蹤識(shí)別標(biāo)志點(diǎn)； 慣性—光學(xué)混合式傳感器定位技術(shù)，實(shí)時(shí)將數(shù)據(jù)自動(dòng)配準(zhǔn)到同一坐標(biāo)系； GREC Pro全局誤差控制模塊，可對(duì)拼接后的誤差進(jìn)行全局控制； ★全局框架掃描模塊 全局框架掃描技術(shù)，對(duì)框架點(diǎn)累積誤差進(jìn)行全局控制； 兼容DigiMetric系統(tǒng)，搭載全局?jǐn)z影測(cè)量技術(shù)可將掃描范圍擴(kuò)展至幾十米； ★后處理模塊 掃描數(shù)據(jù)后，可進(jìn)行點(diǎn)云噪聲處理及修剪 內(nèi)置友好的網(wǎng)格處理控制參數(shù)人機(jī)交互界面，可對(duì)去除釘狀物、精簡(jiǎn)、平滑、特征銳化等網(wǎng)格處理參數(shù)進(jìn)行設(shè)置 自動(dòng)生成STL三角面 自動(dòng)對(duì)三角網(wǎng)格數(shù)據(jù)進(jìn)行補(bǔ)洞、去除釘狀物、精簡(jiǎn)、平滑、特征銳化等處理 數(shù)據(jù)輸入輸出 導(dǎo)出結(jié)果為ASC，STL，OBJ，OKO等格式數(shù)據(jù)輸出接口廣泛,測(cè)量結(jié)果可與CATIA、Geomagic Studio、Imageware等逆向工程軟件自由交換數(shù)據(jù) 配備三維數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)  1套 采用三維引擎實(shí)現(xiàn)對(duì)三維模型、圖片和文字的顯示； ★采用Access數(shù)據(jù)庫(kù)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)對(duì)象的樹(shù)狀管理和從圖片上選擇區(qū)域進(jìn)行切換等功能，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)三維數(shù)據(jù)、圖片和文字的有效管理； ★能對(duì)三維數(shù)據(jù)進(jìn)行多層次樹(shù)狀結(jié)構(gòu)管理，實(shí)現(xiàn)從大場(chǎng)景到局部細(xì)節(jié)的有效管理； ★支持對(duì)三維模型、圖片和文字的綜合管理，并能相互切換； 支持從圖片上選擇區(qū)域切換，用戶可以隨心所欲的瀏覽對(duì)象的每一個(gè)細(xì)節(jié)； ★截取高清晰的光照?qǐng)D信息； ★實(shí)現(xiàn)對(duì)三維模型的分析如距離等進(jìn)行量測(cè)，得到最準(zhǔn)確的測(cè)繪資料； 數(shù)據(jù)庫(kù)基于Windows XP操作系統(tǒng)； 三維模型的支持格式為： STL，OBJ，VRML，IGES，OKO； 圖片支持的格式為：JPG，BMP； 文字支持的格式為：html； ★素材支持：配備一個(gè)3d素材庫(kù)，素材庫(kù)數(shù)量須大于2萬(wàn)個(gè)，素材涵蓋人物、卡通、教育、建筑、時(shí)尚、玩具、動(dòng)物、植物、家居、工具、動(dòng)漫游戲等類別，素材擁有25個(gè)以上特色專題，每個(gè)專題包含至少5個(gè)以上同類別優(yōu)質(zhì)素材。素材庫(kù)包含網(wǎng)站及APP，APP同步支持安卓及IOS下載，素材庫(kù)系統(tǒng)須取得電腦終端與iphone移動(dòng)終端及Android移動(dòng)終端《計(jì)算機(jī)軟件著作權(quán)登記證書(shū)》。 2. 提供生產(chǎn)廠商對(duì)本項(xiàng)目的原廠項(xiàng)目授權(quán)委托書(shū)及售后服務(wù)承諾書(shū)原件。（須加蓋生產(chǎn)廠商單位公章） 3. 投標(biāo)單位配備的3D模型庫(kù)需提供《軟件著作權(quán)登記證書(shū)》。（復(fù)印件并加蓋軟件供應(yīng)商單位公章） 4. 投標(biāo)人所投3D掃描儀具有中美青年創(chuàng)客大賽指定3D掃描品牌證書(shū) 第1條所列產(chǎn)品參數(shù)為招標(biāo)基礎(chǔ)要求，加★部分為必須滿足項(xiàng)，投標(biāo)產(chǎn)品的參數(shù)值應(yīng)符合或高于本條要求。投標(biāo)單位須提供投標(biāo)產(chǎn)品的印刷彩頁(yè)，并加蓋生產(chǎn)廠商單位公章，否則視為不能響應(yīng)招標(biāo)參數(shù)。 第2條項(xiàng)目授權(quán)委托書(shū)及售后服務(wù)承諾書(shū)須提供原件并加蓋生產(chǎn)廠商單位公章，否則視為不能響應(yīng)招標(biāo)文件參數(shù)。 第3條《軟件著作權(quán)登記證書(shū)》須提供復(fù)印件并加蓋軟件供應(yīng)商單位公章，否則視為不能響應(yīng)招標(biāo)文件參數(shù)。 第4條要求為招標(biāo)附加要求，投標(biāo)產(chǎn)品如符合要求，可加5分，如不符合，須減5分。

大連理工大學(xué)X射線顯微CT掃描儀采購(gòu)項(xiàng)目招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在大連市甘井子區(qū)軟件園路80號(hào)科技園大廈B座601室獲取招標(biāo)文件，并于2022年06月30日09點(diǎn)00分（北京時(shí)間）前遞交投標(biāo)文件。

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于凈化重金屬污水的改性浮石及其制備方法和用途，采取浮石為原料，通過(guò)破碎，篩分，球磨加工成不規(guī)則粒狀，加工成Φ＝16-100目所需大小的顆粒現(xiàn)狀，放入烘箱烘干，馬弗爐煅燒，自來(lái)水淬火，瀝干，烘箱烘干，小粒狀浮石即為成品。采用改性后浮石通過(guò)吸附-離子交換作用，將水體中的重金屬離子Cu2+、Pb2+、Zn2+、Cd2+、Cr2+、Hg2+、As5+除去，達(dá)到凈化重金屬?gòu)U水的目的。該原料成本低廉，加工工藝簡(jiǎn)單，使用改性浮石去除單體重金屬及混合重金屬效果好，見(jiàn)效快，無(wú)二次污染。