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氧化物抑制層輔助二維MoX2 (X=S, Se, Te)單層的可控生長

2021-04-14 00:00:00
云上高博會 http://www.a00n.com
關鍵詞： 二維MoX2單層
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項目成果/簡介:

高質(zhì)量鉬系硫族化合物單層材料的CVD生長一直受限于難以控制的化學動力學條件，其中最為重要的是對于Mo蒸汽釋放的合理調(diào)控。近日，課題組在傳統(tǒng)的MoO 3

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