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透明防偽包裝薄膜—透明激光全息防偽膜
該成果是原有的鋁反射激光全息防偽末的升級替換品。這種薄膜結構簡單，僅有信 息層和基底層兩層組成。全息圖像以激光全息技術拍攝并用激光雕刻和電鑄手段，以光 柵條紋的形式復制到鎳質金屬模版上。以金屬模版熱壓氣凝膠或有機高聚物聚氨酯涂層， 形成承載全息圖像的信息層，可在薄膜上再現全息圖像。
同濟大學
2021-04-11
太陽電池用ZAO透明導電薄膜
透明導電氧化物薄膜具有良好的導電性能和透光性能，廣泛應用于平面液晶顯示（LCD）、電致發光顯示（ELD）、等離子體顯示（PD）以及太陽能電池、熱鏡、電磁屏蔽等。在相當一段時間內, In2O3：Sn (ITO) 薄膜作為一種典型的透明導電氧化物薄膜得到了極廣泛的應用，但ITO 薄膜中的銦有毒，在制造和應用中對人體有害；ITO 中的In2O3 的價格昂貴,成本較高， ITO 薄膜易受氫等離子體的還原作用，這些缺點在很大程度上限制了ITO 薄膜的研究和應用。新型透明導電ZnO :Al (AZO) 薄膜中的ZnO 價格便宜,來源豐富,無毒,并且在氫等離子中穩定性要優于ITO，在很多領域特別是太陽電池領域具有逐步取代ITO薄膜的趨勢。本產品是多層ZAO透明導電膜，具有透過率高和電阻率低的優點，而且非常適合制備絨面，可作為陷波結構應用于薄膜太陽能電池中。 透明導電膜的主要性能指標有兩個：透過率和方阻。產業化對透明導電膜透過率的要求一般要達到80%以上，南韓的Ｗｏｏｎ－ＪｏＪｅｏｎｇ制備的ZAO膜在可見光區域的平均透過率大于９５％，是國際最高水平。國外科研人員制備的ZAO透明導電膜室溫電阻率最低可達3×10-4Ω·cm，方塊電阻最低可達3Ω/□。國內制備的ZAO透明導電膜一般平均透過率約為80%，電阻率在10-3數量級。 本產品具體性能指標是：透過率＞85%，方阻<50Ω/□。 太陽電池是正在蓬勃發展的產業。國務院剛剛頒布的《可再生能源中長期發展規劃》中明確提出：到2010年，太陽能發電總容量達到30萬千瓦，其中全國將建成1000個屋頂光伏發電項目，總容量5萬千瓦，大型并網光伏電站總容量2萬千瓦；到2020年，太陽能發電總容量達到180萬千瓦，其中全國建成2萬個屋頂光伏發電項目，總容量100萬千瓦，太陽能光伏電站總容量將達到20萬千瓦；另外，光伏發電在通訊、氣象、長距離管線、鐵路、公路等領域的應用，計劃到2010年也將累計達到3萬千瓦，到2020年將達到10萬千瓦。而全球太陽能光伏市場將從2000年的10億美元到2015年擴大到1500億美元。透明導電薄膜是太陽電池中關鍵的薄膜，需求巨大。
上海理工大學
2021-04-11
全透明薄膜晶體管及其電路
薄膜晶體管（thin film transistor, TFT）本質上是一種場效應晶體管，其電性質與傳統的MOS場效應管一樣，都是利用垂直于導電溝道的電場強度來控制溝道的導電能力來實現系統放大，這被稱為電導率調制或場效應原理。同時它也是良好的開關元件，當柵源電壓小于閾值電壓時器件截止，反之導通。場效應管是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的，它是電壓控制器件，不吸收信號源電流，不消耗信號源功率，因此它的輸入阻抗很高，它還具有很好的溫度特性、抗干擾能力強、便于集成等優點。 與硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁帶寬度大、透明等優異的半導體特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成為平板顯示器件的像素開關。若使用ZnO-TFT作為有源矩陣驅動的開關元件有以下明顯優勢： (1) ZnO為寬禁帶半導體材料，可以避免可見光照射對器件性能的影響，保證顯示器的清晰度不受太陽光照的影響； (2) 提高開口率，提高顯示器的亮度，進而可以降低功耗； (3) 如果存儲電容也用透明材料制備，制備全透明顯示器件便成為可能； (4) 對襯底要求不高。ZnO薄膜的生長溫度較低，即使室溫條件下也可以生長高質量ZnO薄膜，因此襯底可以選擇廉價的玻璃或者柔韌性塑料等，這又是柔性顯示器成為可能； (5) ZnO具有很好的載流子遷移率，使得ZnO-TFT既具有很高的開態電流，又有效的抑制關態電流的增加；研究ZnO-TFT的另一個重要意義在于推動透明電子學的研究。ZnO-TFT的實現對透明電子學來說是一個富有成效的進展，具有里程碑的意義，為制造透明電路和系統創造了條件。
大連理工大學
2021-04-13
n-型有機薄膜晶體管
設計并成功合成了兩種新型噻唑酰亞胺缺電子受體單元,并在其基礎上得到全受體類型均聚物PDTzTI（圖1a）。單晶XRD分析表明，DTzTI單體中存在S…N非共價鍵相互作用因而平面性較好，單體間的π堆積也非常緊密，非常適合構建全受體聚合物。噻唑酰亞胺的強拉電子能力也使得聚合物的前沿軌道能級較低，有利于晶體管中電子注入并提升器件穩定性，同時抑制空穴注入和降低器件關電流?；赑DTzTI的有機薄膜晶體管器件表現出優異的單極性n-型輸運性能（圖1b）。晶體管電子遷移率達到1.6 cm 2 V -1 s -1 ，關電流僅為10 ?10 -10 ?11 A，因而電流開關比高達10 7 -10 8 。該遷移率是全受體均聚物材料中的最高紀錄，同時在晶體管關電流和開關比性能上顯著優于常見給體-受體共聚物材料，表明全受體結構是實現單極性n-型聚合物材料的有效途徑,為新型受體單元和單極性n-型材料的設計提供重要參考依據。
南方科技大學
2021-04-13
高壓大功率薄膜電容器
該成果由于采用新型的安全膜結構和絕氧吸弧工藝（減小金屬材料在加工過程中的氧化，降低接觸電阻、電勢壘等），產品具有自愈性，在高壓大電流的沖擊下不會發生短路擊穿現象，無需防爆裝置；由于采用端面高密度、低電阻的等離子放電噴射沉積制備技術和大功率電容器電極的電阻焊接技術，寄生電阻和發熱量減小，使產品在可靠性、穩定性上具有明顯的優勢。
揚州大學
2021-04-14
一種基于紅外成像的薄膜測厚儀
本發明公開了一種基于紅外成像的薄膜測厚儀，包括光源、準直透鏡、分光棱鏡、參考路散射玻璃、參考路紅外濾光片、參考路反射鏡、測量路散射玻璃、測量路紅外濾光片、測量路反射鏡、半透半反分光鏡、成像透鏡、CCD；測量時參考物經反射鏡、分光鏡和成像透鏡成像到 CCD 光敏面，被測物經反射鏡和成像透鏡也成像到 CCD光敏面，CCD 將圖像傳送至計算機，經圖像處理后根據圖像的灰度值求得被測物的厚度；如此形成雙光路測量系統，避免了光源光強變化的影響；使用散射光透射成像的測量體系，避免了傳統紅外測厚裝置中存在的干涉影響
華中科技大學
2021-04-14
大尺寸多頻段應用BiLuIG單晶薄膜材料
本項目共包括8項授權專利，另有20余項專利正處于公開階段。 項目主要創新點為：（1）提出了一種Bi+Lu共摻雜新配方，實現了在傳統GGG襯底上外延出具有大法拉第效應的BiLuIG石榴石單晶薄膜材料。 （2）提出了“緩沖法”技術，克服了無鉛液相外延工藝中熔體粘度偏高，薄膜均勻性差的難題，成功制備出3英寸的高質量單晶BiLuIG薄膜材料，厚度可達20微米以上，其法拉第效應是含鉛工藝制備材料的10倍。項目總體達到國際先進水平，其中在Bi+Lu共摻雜材料設計和無鉛液相
電子科技大學
2021-04-14
一種聲學薄膜制備方法及其產品
本發明公開了一種聲學薄膜制備方法及其產品，其制備方法包 括以下步驟：首先將空心不銹鋼管插入液態紫外膠并靜置，再沿豎直 向上方向取出不銹鋼管，在液態紫外膠自身張力的作用下，液態紫外 膠在空心不銹鋼管的末端形成一層均勻的紫外膠薄膜；采用紫外光固 化該薄膜，使完全固化；制備得的聲學薄膜厚度為 2.1um～8.1um，直 徑為 0.11mm～2.61mm，在 0.025Hz～25000Hz 的聲波頻率響應范圍具 有很高的靈敏
華中科技大學
2021-04-14
半導體薄膜斷層吸收光譜儀
公司的核心產品包括系列全球首創半導體薄膜斷層吸收光譜儀，并已經成功應用于高校、研究所、相關企業半導體薄膜斷層檢測中，并已實際發表多篇論文，平均影響因子達到10以上，獲得一致好評。
一、項目進展
創意計劃階段
二、負責人及成員
姓名
學院/所學專業
入學/畢業時間
侯曉清
管理學院/工商管理
2019/2023
師鳴遙
生命學院/化學生物
2019/2023
李想
生命學院/化學生物
2020/2024
徐婧謹
電信學部/儲能科學與工程
2019/2023
董梓竣
管理學院/工商管理
2019/2023
楊舒婷
化學學院/材料化學
2019/2023
吳一品
管理學院/大數據管理與應用
2020/2024
趙靜怡
人文學院/環境設計
2020/2024
劉彥麟
軟件學院/軟件工程
2020/2024
袁子翔
管理學院/工商管理
2019/2023
三、指導教師
姓名
學院/所學專業
職務/職稱
研究方向
魯廣昊
前沿科學技術研究院
教授
有機半導體薄膜和器件
卜臘菊
化學學院
教授
薄膜斷層分析技術及科研儀器的開發
魏澤龍
管理學院
教授
技術創新與創業管理
四、項目簡介
本項目依托于西安交通大學前沿科學與技術學院以及中國西部創新港的科研平臺，擁有半導體薄膜斷層檢測技術頂級研發團隊，并已有國內外超過100所高校、科研院所、企業等正在采用本產品檢測的數據或正在實際試用本產品，本團隊可以更好了解產品需求及效果，能夠實現量產、快速研發與后續更新迭代。
公司的核心產品包括系列全球首創半導體薄膜斷層吸收光譜儀，并已經成功應用于高校、研究所、相關企業半導體薄膜斷層檢測中，并已實際發表多篇論文，平均影響因子達到10以上，獲得一致好評。作為國內外首家使用軟等離子體源刻蝕技術，實現了半導體薄膜斷層的精準檢測，占據了全球領先地位，將“卡脖子”技術轉換成“殺手锏”，為基于光譜分析的半導體薄膜斷層精準檢測提供了中國方案，提高了我國半導體薄膜檢測的科技實力水平。
西安交通大學
2022-08-10
一種金納米棒光學薄膜
本發明公開了一種金納米棒光學薄膜，屬于光學薄膜材料技術領域。一種金納米棒光學薄膜，光化 學薄膜中金納米棒呈周期排列。其優點是:本發明對不同偏振的入射波具有不同的等效折射率，故可以 制造其它器件如偏振器件、雙折射器件等，在光學薄膜領域，其容易實現折射率匹配，從而達到鍍膜層 數較少的情況下具有較高透過率。
武漢大學
2021-04-13