葡京娱乐场-富盈娱乐场开户

一種共摻雜的硅酸鹽綠色熒光粉的制備方法，屬于發(fā)光材料技術(shù)領(lǐng)域，其化學(xué)式為Ba2-x/2-2y-zSiO4:Eu2+z,Li+x+y,Er3+y，其中0≤x≤0.25，0＜y≤0.02，0＜z≤0.1。具體步驟為：按化學(xué)式中各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取鋇鹽、二氧化硅、銪鹽、鋰鹽、鉺鹽及適量的表面活性劑；將稱取的鋇鹽、鋰鹽、二氧化硅、銪鹽、鉺鹽、表面活性劑和適量的配體充分混合，在室溫下球磨一定時(shí)間，球磨時(shí)加入適量的潤(rùn)滑劑；直接烘干，得到前驅(qū)體；將前驅(qū)體置于有還原性氣氛的氣氛爐中于1000～1300℃煅燒2～7h，即得所需熒光粉。本發(fā)明制備的熒光粉結(jié)晶性好，結(jié)構(gòu)疏松，顆粒細(xì)小，分布均勻，具有良好的涂覆性能，適于用作近紫外輻射的InGaN管芯激發(fā)的LED用綠色熒光粉。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于相變磁性材料的非易失性邏輯器件及邏 輯操作方法，非易失性邏輯器件包括磁頭以及依次附著于襯底上的底 電極、絕緣層，相變磁性薄膜和頂電極；其中相變磁性材料由一種相 變材料基質(zhì)中摻雜鐵磁性元素構(gòu)成，材料的磁性能夠通過(guò)非晶態(tài)-晶態(tài) 相變來(lái)可逆調(diào)控。本發(fā)明基于材料的相變控磁特性實(shí)現(xiàn)“實(shí)質(zhì)蘊(yùn)涵” 邏輯運(yùn)算以及“與”、“或”、“與非”和“或非”四種布爾邏輯運(yùn) 算，其運(yùn)算結(jié)果以材料的剩余磁化存儲(chǔ)在器件中，從而實(shí)現(xiàn)

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介        光纖通信作為一門新興技術(shù)，它具有容量大、中繼距離長(zhǎng)、保密性好、不受電磁干擾和節(jié)省銅材等優(yōu)點(diǎn)。近年來(lái)發(fā)展速度快，已被廣泛應(yīng)用到軍事通信、民用通信等各種領(lǐng)域，是世界新技術(shù)革命的重要標(biāo)志和未來(lái)信息社會(huì)中各種信息的主要傳送工具。在光纖的使用過(guò)程中，光纖線路的耦合對(duì)于其中光功率的傳輸至關(guān)重要。其中存在著兩種主要的系統(tǒng)問(wèn)題：1、如何從多種類型的發(fā)光光源將光功率耦合進(jìn)一根特定的光纖；2、如何將光功率從一個(gè)光纖發(fā)射出來(lái)后經(jīng)過(guò)特定的裝置耦合進(jìn)另外一根光纖。光無(wú)源器件是光纖通信設(shè)備的重要組成部分。它是一種光學(xué)元器件，也是其它光纖應(yīng)用領(lǐng)域不可缺少的元器件。該實(shí)驗(yàn)儀重點(diǎn)介紹了常用的光無(wú)源器件的相關(guān)參數(shù)及測(cè)試方法。為此公司研制出本實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，讓學(xué)生了解和認(rèn)識(shí)光纖耦合的相關(guān)參數(shù)和特性、光無(wú)源器件的相關(guān)參數(shù)及測(cè)試方法等，通過(guò)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的搭建，可以讓學(xué)生更深刻的了解，也能鍛煉學(xué)生校準(zhǔn)光路等方面的動(dòng)手能力，是學(xué)校金工實(shí)習(xí)（工程實(shí)習(xí)）與工程檢測(cè)的不二之選。 二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 650nm激光器與光纖耦合實(shí)驗(yàn) 1550nm光纖激光器與光纖耦合實(shí)驗(yàn) 相同模式光纖之間耦合實(shí)驗(yàn) 不同模式光纖之間耦合實(shí)驗(yàn) 光源與顯微物鏡及準(zhǔn)直器耦合特性對(duì)比實(shí)驗(yàn) 光纖轉(zhuǎn)換器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖變換器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖耦合器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖隔離器特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 波分復(fù)用器和解復(fù)用器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 可調(diào)光纖衰減器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖機(jī)械光開(kāi)關(guān)特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖偏振控制器特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖偏振分束器（PBS）性能能參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn) 不同種類光纖、光纜及光器件認(rèn)知和操作實(shí)驗(yàn) 熔接機(jī)原理及使用實(shí)訓(xùn)操作實(shí)驗(yàn) 剝纖、清潔、切纖及光纖接續(xù)實(shí)訓(xùn)操作實(shí)驗(yàn) 手動(dòng)模式下，光纖熔接實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn) 自定義模式下，光纖熔接實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn) 光纖端面處理基本操作實(shí)驗(yàn) 光纖耦合技術(shù)基本操作實(shí)驗(yàn) 光纖耦合技術(shù)基本操作實(shí)驗(yàn) 光功率耗損法對(duì)光纖熔接質(zhì)量測(cè)試 三、實(shí)驗(yàn)配置參數(shù) 1、光源：波長(zhǎng)1310±20nm，1550±20nm；輸出功率：1-2.5mw，連續(xù)可調(diào)；輸出端口：FC/PC；穩(wěn)定性＜0.5db（5h）；光源類型：LD光源； 2、光功率計(jì)：波長(zhǎng)范圍800-1700nm；輸入接口：FC 校準(zhǔn)波長(zhǎng)：1550nm,1310nm； 3、偏振控制器：插入損耗＜0.05dB；消光比＞40dB；回波損耗＞65dB； 4、光纖機(jī)械光開(kāi)關(guān)：插入損耗：1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ，P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波損耗＞50dB ；開(kāi)關(guān)速度：≦8ms ； 5、高隔離度光纖隔離器：最大插入損耗：0.35dB ；回波損耗：≧50dB ；隔離度：≧30dB ； 6、光纖耦合器：分光比：50% : 50% ；最大插入損耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纖波分復(fù)用器：隔離度：1310nm ：31.8% ；1550nm ：34%；插入損耗：1310nm ：0.30%；1550nm ：0.34% ； 8、光纖可調(diào)衰減器：0-30db可調(diào)； 9、軟件：配套儀器使用，數(shù)據(jù)采集處理； 10、光纖熔接機(jī)：適用光纖：SM (單模), MM (多模), DS (色散位移)光纖, NZDS (非零色散位移，即G.655光纖)，BIF/UBIF（G.657）； 光纖切割長(zhǎng)度：8-16mm, 被覆光纖直徑250µm，16mm，被覆光纖直徑250µm-1000µm；平均接續(xù)損耗：0.02dB(SM)、0.01dB(MM)、0.04dB(DS)、0.04dB(NZDS)；顯示：高性能5.6英寸彩色LCD顯示屏，提供清晰的數(shù)字圖像顯示；電極壽命：2500次；鋰電池容量：典型熔接250次，充電時(shí)間3小時(shí)，可在充電時(shí)使用；電源：交流適配器輸入電壓100-240V  50／60Hz，輸出電壓：DC13.5V /5A，直流輸入電壓11.1v ( 內(nèi)置鋰電池8800mAh )； 四、實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 1、了解光纖連接器及其原理、種類，實(shí)驗(yàn)操作進(jìn)行連接器參數(shù)測(cè)量； 2、掌握光纖頭平端面的處理技術(shù)。 3、掌握光纖之間的耦合、調(diào)試技術(shù)，了解光纖橫向和縱向偏差對(duì)光纖耦合損耗的影響。 4、掌握光纖熔接的基本技術(shù)。 5、熟悉光纖型號(hào)及結(jié)構(gòu)，掌握其裝配方法、使用環(huán)境及保護(hù)措施等；

最近以來(lái)，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍(lán)光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過(guò)藍(lán)光和黃光復(fù)合產(chǎn)生白光，但這種粉體不能應(yīng)用于高能量的紫外LED芯片產(chǎn)生白光，因?yàn)閅AG：Ce3+的光譜中缺乏藍(lán)光波段。本項(xiàng)目通過(guò)特有的表面包覆和處理技術(shù)，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒(méi)有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍(lán)光發(fā)射，通過(guò)調(diào)控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時(shí)，器件發(fā)射出CIE坐標(biāo)（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍(lán)光和黃光兩種波段，進(jìn)而復(fù)合產(chǎn)生白光，工藝簡(jiǎn)單，技術(shù)領(lǐng)先。

本發(fā)明涉及一種新型二價(jià)銪摻雜的含氮硅酸鹽固溶體基發(fā)光材料及其自還原制備方法。這種發(fā)光材料的化學(xué)組成可表示為：Ca3Si3(O9-xNx):Eu2+。制備方法采用兩步法，（1）溶膠凝膠法制備Ca2SiO4:Eu3+產(chǎn)物。（2）Ca2SiO4:Eu3+和氮化硅混合物在非還原氣氛下焙燒，利用Si3N4的自還原作用獲得最終產(chǎn)物。所用原料是硝酸鈣（CaN2O6·4H2O）、硝酸銪（EuN3O9·6H2O）、正硅酸乙酯（C8H20O4Si）和Si3N4。本發(fā)光材料在近紫外到藍(lán)光有寬帶(300~450nm)吸收，發(fā)射出黃綠色光（534~544nm）。所得產(chǎn)物發(fā)光強(qiáng)度高，性能穩(wěn)定。制備過(guò)程僅需在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下就能完成，無(wú)需還原氣氛和其它還原手段，制備方法簡(jiǎn)單，安全。

成果簡(jiǎn)介： 最近以來(lái)，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍(lán)光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過(guò)藍(lán)光和黃光復(fù)合產(chǎn)生白光，但這種粉體不能應(yīng)用于高能量的紫外LED芯片產(chǎn)生白光，因?yàn)閅AG：Ce3+的光譜中缺乏藍(lán)光波段。本項(xiàng)目通過(guò)特有的表面包覆和處理技術(shù)，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒(méi)有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍(lán)光發(fā)射，通過(guò)調(diào)控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時(shí)，器件發(fā)射出CIE坐標(biāo)（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍(lán)光和黃光兩種波段，進(jìn)而復(fù)合產(chǎn)生白光，工藝簡(jiǎn)單，技術(shù)領(lǐng)先。

本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制 備方法，包括由多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串構(gòu)成的存儲(chǔ)串陣列； 每個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串包括半導(dǎo)體區(qū)域以及圍繞半導(dǎo)體區(qū)域的四層包 裹結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體區(qū)域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯(lián)連接；溝道為方柱形結(jié)構(gòu)；四層包裹結(jié)構(gòu)從里到外依 次為隧穿電介質(zhì)層、電荷存儲(chǔ)層、阻隔電介質(zhì)層以及控制柵電極；阻 隔電介質(zhì)層在不同的方向具有不同的厚度，

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于 PID 反饋的預(yù)失真方法，所述方法包括分別對(duì)采集的功率放大器輸出信號(hào)中正半部分幅值、負(fù)半部分幅值和直流分量進(jìn)行提取進(jìn)而分別進(jìn)行 PID 反饋修正，使功率放大器輸出信號(hào)隨時(shí)間的變化而能保持穩(wěn)定。此外，在功率放大器輸出穩(wěn)定前提下，將基于磁納米粒子的非接觸式測(cè)溫的方法應(yīng)用在大功率LED燈結(jié)溫溫度測(cè)量。本發(fā)明基于 PID 反饋的預(yù)失真修正方法是對(duì)功率放大器的放大倍數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)，使功率放大器輸出信號(hào)的正

第二類超導(dǎo)體中量子化磁通的運(yùn)動(dòng)行為對(duì)超導(dǎo)材料和器件的電磁輸運(yùn)性質(zhì)起著關(guān)鍵作用。人為調(diào)控超導(dǎo)磁通量子的運(yùn)動(dòng)行為，不但可以有效提高超導(dǎo)體的臨界電流密度，還可實(shí)現(xiàn)具有新功能的超導(dǎo)電子器件，如超導(dǎo)磁通整流器、磁通二極管等。以往的磁通量子調(diào)控手段往往缺乏原位可調(diào)性，極大限制了相應(yīng)超導(dǎo)電子器件的應(yīng)用。近日，南京大學(xué)吳培亨院士領(lǐng)導(dǎo)的超導(dǎo)電子學(xué)研究所王永磊教授和王華兵教授研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)出了一種可調(diào)控的新型人工自旋冰與超導(dǎo)異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件，不但實(shí)現(xiàn)了超導(dǎo)電性的原位開(kāi)關(guān)，還實(shí)現(xiàn)了可開(kāi)關(guān)和可反轉(zhuǎn)的磁通霍爾效應(yīng)。 人工自旋冰是具有集體相互作用的納米小磁體陣列，其特殊的幾何排列使得系統(tǒng)具有很高的簡(jiǎn)并度、新奇的低能激發(fā)態(tài)（如磁單極子）、豐富的相變和磁疇。近年來(lái)該團(tuán)隊(duì)致力于人工自旋冰和超導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)器件等方面的研究，不但設(shè)計(jì)出了可擦寫的人工自旋冰，并且于國(guó)際上首次設(shè)計(jì)和制備出了人工自旋冰與超導(dǎo)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件，實(shí)現(xiàn)了可調(diào)控的超導(dǎo)磁通阻挫效應(yīng)和磁通整流效應(yīng)。近日該團(tuán)隊(duì)又設(shè)計(jì)出了一種基于風(fēng)車型人工自旋冰與超導(dǎo)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件，利用風(fēng)車型人工自旋冰易于調(diào)控的鏈條狀磁荷結(jié)構(gòu)，以及磁荷與超導(dǎo)磁通量子間的強(qiáng)耦合作用，實(shí)現(xiàn)了對(duì)超導(dǎo)磁通運(yùn)動(dòng)的原位操控，展示了超導(dǎo)零電阻態(tài)與耗散態(tài)之間的原位開(kāi)關(guān)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了可編程的磁通霍爾效應(yīng)。