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一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制備方法
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.a00n.com
關鍵詞：
半導體存儲器件
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制
備方法，包括由多個垂直方向的三維 NAND 存儲串構成的存儲串陣列；
每個三維 NAND 存儲串包括半導體區域以及圍繞半導體區域的四層包
裹結構；半導體區域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極；
源極與漏極串聯連接；溝道為方柱形結構；四層包裹結構從里到外依
次為隧穿電介質層、電荷存儲層、阻隔電介質層以及控制柵電極；阻
隔電介質層在不同的方向具有不同的厚度，
項目階段:
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