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碳化硅材料外延關鍵技術研究
小試階段/n本項目研究的碳化硅外延技術有其特殊性，不同于一般的半導體外延技術， SiC 外延生長技術在生長溫度、生長速率、缺陷和均勻性控制的具體指標要求以及實現 途徑上都突出了電力系統應用的特點。目前，國際上已經形成了從碳化硅襯底材料、 外延材料到器件制備的一整套產業體系。高質量 SiC 外延材料是 SiC 功率器件的基 礎材料，目前的國內外電力電子器件需要的碳化硅外延材料的發展趨勢都是向大直 徑、低缺陷、高度均勻性等方向發展。 目前，幾乎所有的碳化硅器件都是在碳化硅外延層上制備的。高質量的碳化硅
中國科學院大學
2021-01-12
一種碳化硅納米線的制備方法
本發明涉及一種碳化硅納米線的制備方法領域。本發明所述的碳化硅納米線的制備 方法如下：將不含氧的碳硅烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內，將剛玉坩堝或剛玉舟放在耐高 溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰 性氣體保護，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－3 小時后自然 降到室溫。由本發明所述的碳化硅納米線的制備方法所得產物均為碳化硅納米線，長度 比現有的方法制備的碳化硅納米線提高了 2 個量級，且制備方法簡單，原料便宜易得， 設備要求簡化，成本低。
同濟大學
2021-04-11
碳化硅納米粉體分離分級方法與技術
項目成果/簡介:創新了一種納米顆粒的分離方法并實現了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗證方法及其實現裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達到分離和分級的目的。技術方面涉及不同粒徑（質量）納米顆粒的荷電狀態、在電場中的運動速度（及其分布）、給料時間間隔、顆粒落點以及收集周期等多種因素的復雜作用及其之間的優化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統分離方法相比，本方法和技術不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調節，分離效果好，可使分離效率大幅提高。應用范圍:本項目采用的方法和技術不是用于納米顆粒的制備，而是將已有的不同粒徑納米顆粒的混料進行分離和分級。效益分析:可用于具有納米顆粒分離、分級需求的廣泛場合，如電子器件、集成電路制膜的原料準備和光學、電子、醫療等精密部件的磨料準備，應用潛力巨大。知識產權類型:發明專利知識產權編號:ZL201610401673.7技術先進程度:達到國內先進水平成果獲得方式:與企業合作獲得政府支持情況:無
蘭州大學
2021-04-10
碳化硅納米粉體分離分級方法與技術
創新了一種納米顆粒的分離方法并實現了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗證方法及其實現裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達到分離和分級的目的。技術方面涉及不同粒徑（質量）納米顆粒的荷電狀態、在電場中的運動速度（及其分布）、給料時間間隔、顆粒落點以及收集周期等多種因素的復雜作用及其之間的優化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統分離方法相比，本方法和技術不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調節，分離效果好，可使分離效率大幅提高。
蘭州大學
2021-05-11
高性能碳化硅熱電偶保護管開發
碳化硅工程陶瓷材料具有優異的高溫性能，能夠滿足高溫和嚴酷環境使用環境。碳化硅工程陶瓷在工業領域具有最廣泛的應用前景、并可能在較短時間內形成產業化規模，有巨大的市場潛力。國家科委在“九五”科技攻關項目“結構陶瓷產品開發”中安排了“高性能碳化硅熱電偶保護管開發”的專題。通過產品開發牽引形成若干具有特色的高性能碳化硅陶瓷材料制備技術。
西安交通大學
2021-01-12
玉米秸稈水熱碳化制取水熱焦炭的研究
本項目組長期從事水熱制取炭基材料的研究，近三年在 Bioresource Technology、Applied thermal engineeringEnergy Conversion and Managements太陽能學報等期刊發表SCI、EI論文5 篇，授權發明專利《一種利用生物質制備水熱焦的方法》（專利號 ZL201510070287. X）,提出的處理方法與工藝以典型農業廢物玉米秸稈 為原料，在高溫高壓反應釜中，進行反應溫度為180~290°C,停留時間 為480min的水熱碳化實驗研究，
南京工程學院
2021-01-12
一種鋼包抑渣裝置的制備方法
（專利號：ZL 201510161322.9） 簡介：本發明公開了一種鋼包抑渣裝置的制備方法，屬于熔融金屬的擋渣技術領域。本發明的步驟如下：步驟一、鑄鐵塊制備：根據鋼包抑渣裝置的結構準備砂模空腔，然后采用砂模鑄造工藝注入鐵水，得到鑄鐵塊；其中：鋼包抑渣裝置中的第一擋臂和第二擋臂的中軸線相互垂直且交叉固定，第三擋臂的中軸線垂直于第一擋臂和第二擋臂構成的平面；步驟二、涂覆層材料準備；步驟三、涂覆工序：將涂覆層材料均勻地涂抹于鑄鐵塊的外側，涂覆
安徽工業大學
2021-01-12
煤礦巷道履帶式清渣裝載機
山東益礦鉆采科技有限公司
2021-08-30
一種納米級碳化釩粉末的制備方法
本發明提供了一種納米級碳化釩粉末的制備方法。其特征是:以粉狀釩酸銨、碳質還原劑和微量稀土等催化劑為原料,按一定配比將它們溶于去離子水或蒸餾水中,并攪拌均勻,制得溶液。然后將該溶液加熱、干燥,最后得到含有釩源和碳源的前驅體粉末。將前驅體粉末置于高溫反應爐中,真空或氣氛保護條件下,于800～950℃、30～60min條件下碳化得到平均粒徑<100nm,粒度分布均勻的碳化釩粉末。本方法具有反應溫度低、反應時間短、生產成本低、工藝簡單等特點,適合工業化生產納米級碳化釩粉末。
四川大學
2021-04-11
新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法
（專利號：ZL 201310038265.6） 簡介：本發明公開一種新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法，屬于寬禁帶半導體技術領域。它包括襯底，所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構成，在所述襯底的硅面上有一層導電類型的第一摻雜層，摻雜類型為N型；所述襯底的碳面上有兩層導電類型的摻雜層，從內到外依次為：第二摻雜層和第三摻雜層，所述的第二摻雜層摻雜類型為P型，所述第三摻雜層摻雜類型為N型；所述硅面一側設置有開關的陽極
安徽工業大學
2021-01-12