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新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法
2021-01-12 00:00:00
云上高博會
http://www.a00n.com
關鍵詞：
新型多層結構
所屬領域:
項目成果/簡介:
（專利號：ZL 201310038265.6）
簡介：本發明公開一種新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法，屬于寬禁帶半導體技術領域。它包括襯底，所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構成，在所述襯底的硅面上有一層導電類型的第一摻雜層，摻雜類型為N型；所述襯底的碳面上有兩層導電類型的摻雜層，從內到外依次為：第二摻雜層和第三摻雜層，所述的第二摻雜層摻雜類型為P型，所述第三摻雜層摻雜類型為N型；所述硅面一側設置有開關的陽極
項目階段:
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