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GeTe熱電材料
通過制備合適比例的Bi2Te3與GeTe的合金，人為地向體系中引入了大量的Ge空位缺陷，且如圖所示，運用球差矯正電子顯微鏡的觀測技術可以清楚地觀測到這些Ge空位的前驅體空位“簇”。通過合適的熱處理優化過程，研究人員還追蹤到此類前驅體逐步演化成van der Waals gap空位面缺陷的過程。這些面缺陷會在材料內部誘導產生大量呈負電性的新的180度鐵電疇結構，平衡材料內由載流子濃度過高導致的過剩的正電性，最終達到優化材料性能的目的。最終，該項工作使得GeTe基熱電材料的總體性能大幅提升，在溫度達到773K時，該體系熱電材料優值ZT達到了2.4，相比于優化前，提升了60%；在323~773K較寬的工作溫度區間內，材料的平均ZT高達1.28，相比于優化前整整提升了一倍，達到了中溫區熱電材料在商業應用中對性能的需求，使其成為中溫區優良的候選材料。
南方科技大學
2021-04-13
PbTe熱電材料
目前p和n型PbTe材料都擁有了非常高的熱電優值。然而，PbTe材料的機械性能差，遠低于其他主流的熱電材料。比如，PbTe材料的洛氏硬度和抗沖擊韌性分別只有39 kgmm-2和0.35 MPam1/2，遠低于Bi2Te3的。這一矛盾非常不利于PbTe材料的實際應用。何佳清團隊之前在n型PbTe材料中加入單質Sb，得到PbTe-3%Sb復合材料，顯著提高了熱電性能 (Energy and Environmental Science, 2017,10,2030)。本文在之前工作的基礎上，進一步采用了固溶PbS的方法，將n型PbTe-3%Sb材料的硬度提高了60%，而其熱電優值僅僅降低了6%。這一結果使PbTe材料擺脫了當前的窘境。研究發現固溶PbS（<12.5%）雖然對彈性性質如彈性模量等參數影響很小，卻可以引入大量的點缺陷和位錯網。因此硬度的增強主要是由于缺陷對位錯運動的阻礙，而非化學鍵的強化作用。之前的觀點認為是固溶PbS之后，PbTe材料內部的成分波動（團簇）造成了硬度顯著增強。該團隊的發現從一個新的視角解釋了PbTe-PbS合金體系硬度的強化。
南方科技大學
2021-04-13
常見的材料
鋁合金箱包裝，含卡紙、膠片、黏土、油泥、石膏、木材、金屬、塑料等。
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
角操作材料
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
組裝水輪材料
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
組裝風車材料
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
組裝水輪材料
寧波浪力儀器有限公司（余姚市朗海科教儀器廠）
2021-08-23
吸波材料
產品詳細介紹可根據用戶要求生產窄帶微波復合吸收體，其中三公分，五公分，十公分頻段最佳厚度分別為：1.8mm，2.0mm，3.0mm。廣泛用于微波技術、雷達、導航、航天技術、電子對抗中作吸收屏蔽、消振、“隱身”抗干擾等用途。
綿陽泰美格磁電科技有限公司
2021-08-23
一種噴射沉積成形制備大塊非晶合金的方法
霧化噴射沉積成形技術近年來被廣泛用于研究和發展高性能的快速凝固材料。該技術最突出的創新點在于，將液態金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進的過程。在多年研究噴射成形技術的基礎上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結果表明，沉積態La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區寬度DTx和約化玻璃轉變溫度Trg均高于單輥旋轉熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6。“高熔點高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術”，獲中國有色金屬工業科學技術獎一等獎（2003.12）。
北京科技大學
2021-04-11
晶圓級二維半導體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學
2021-04-11