|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
.jpg){kind=logo}
一種納米級(jí)碳化釩粉末的制備方法
本發(fā)明提供了一種納米級(jí)碳化釩粉末的制備方法。其特征是:以粉狀釩酸銨、碳質(zhì)還原劑和微量稀土等催化劑為原料,按一定配比將它們?nèi)苡谌ルx子水或蒸餾水中,并攪拌均勻,制得溶液。然后將該溶液加熱、干燥,最后得到含有釩源和碳源的前驅(qū)體粉末。將前驅(qū)體粉末置于高溫反應(yīng)爐中,真空或氣氛保護(hù)條件下,于800～950℃、30～60min條件下碳化得到平均粒徑<100nm,粒度分布均勻的碳化釩粉末。本方法具有反應(yīng)溫度低、反應(yīng)時(shí)間短、生產(chǎn)成本低、工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn),適合工業(yè)化生產(chǎn)納米級(jí)碳化釩粉末。
四川大學(xué)
2021-04-11
大學(xué).jpg){kind=logo}
新型多層結(jié)構(gòu)碳化硅光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)及其制備方法
（專利號(hào)：ZL 201310038265.6） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)一種新型多層結(jié)構(gòu)碳化硅光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)及其制備方法，屬于寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。它包括襯底，所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構(gòu)成，在所述襯底的硅面上有一層導(dǎo)電類型的第一摻雜層，摻雜類型為N型；所述襯底的碳面上有兩層導(dǎo)電類型的摻雜層，從內(nèi)到外依次為：第二摻雜層和第三摻雜層，所述的第二摻雜層摻雜類型為P型，所述第三摻雜層摻雜類型為N型；所述硅面一側(cè)設(shè)置有開(kāi)關(guān)的陽(yáng)極
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
.jpg){kind=logo}
全自動(dòng)晶圓級(jí)LED熒光粉智能涂覆機(jī)
項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介: 本產(chǎn)品圍繞晶圓級(jí)、芯片級(jí)和倒裝等先進(jìn)封裝形式的大功率白光LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展重大需求，突破了高速高均勻度熒光粉膠霧化涂覆控制、生產(chǎn)過(guò)程品質(zhì)控制與優(yōu)化管理等核心技術(shù)，自主研發(fā)了面向晶圓級(jí)級(jí)封裝的全自動(dòng)晶圓級(jí)LED熒光粉高均勻涂覆機(jī)。本產(chǎn)品采用自動(dòng)上下料傳送機(jī)構(gòu)、自動(dòng)加熱、自動(dòng)視覺(jué)定位、涂覆厚度自動(dòng)檢測(cè)、自動(dòng)按照設(shè)定路徑和涂覆參數(shù)進(jìn)行涂覆，是以復(fù)雜的光機(jī)電一體化精密封裝設(shè)備，主要技術(shù)性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。 應(yīng)用于LED生產(chǎn)行業(yè)，滿足了各種新型LED封裝自動(dòng)化生產(chǎn)需求，有效提升了封裝質(zhì)量、熱阻分散性、色品一致性、出光效率等性能指標(biāo)和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體照明等新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)的持續(xù)性發(fā)展。 全自動(dòng)晶圓級(jí)LED熒光粉智能涂覆機(jī)知識(shí)產(chǎn)權(quán)類型:發(fā)明專利技術(shù)先進(jìn)程度:達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平成果獲得方式:獨(dú)立研究獲得政府支持情況:無(wú)
華南理工大學(xué)
2021-04-10
全自動(dòng)晶圓級(jí)LED熒光粉智能涂覆機(jī)
本產(chǎn)品圍繞晶圓級(jí)、芯片級(jí)和倒裝等先進(jìn)封裝形式的大功率白光LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展重大需求，突破了高速高均勻度熒光粉膠霧化涂覆控制、生產(chǎn)過(guò)程品質(zhì)控制與優(yōu)化管理等核心技術(shù)，自主研發(fā)了面向晶圓級(jí)級(jí)封裝的全自動(dòng)晶圓級(jí)LED熒光粉高均勻涂覆機(jī)。本產(chǎn)品采用自動(dòng)上下料傳送機(jī)構(gòu)、自動(dòng)加熱、自動(dòng)視覺(jué)定位、涂覆厚度自動(dòng)檢測(cè)、自動(dòng)按照設(shè)定路徑和涂覆參數(shù)進(jìn)行涂覆，是以復(fù)雜的光機(jī)電一體化精密封裝設(shè)備，主要技術(shù)性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。
應(yīng)用于LED生產(chǎn)行業(yè)，滿足了各種新型LED封裝自動(dòng)化生產(chǎn)需求，有效提升了封裝質(zhì)量、熱阻分散性、色品一致性、出光效率等性能指標(biāo)和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體照明等新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)的持續(xù)性發(fā)展。
全自動(dòng)晶圓級(jí)LED熒光粉智能涂覆機(jī)
華南理工大學(xué)
2021-05-11
鍍鋅板彩涂預(yù)處理用水性表面處理劑
簡(jiǎn)介：本發(fā)明提供一種鍍鋅板彩涂預(yù)處理用水性表面處理劑,屬于彩涂鍍鋅板的表面處理技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所提供的鍍鋅板彩涂預(yù)處理用水性表面處理劑組分及質(zhì)量百分比如下:水性樹(shù)脂,20～60%;有機(jī)硅烷,1～5%;無(wú)機(jī)緩蝕劑,0.5～2.5%,封閉劑,0.5～3%;促進(jìn)劑,1～3%,去離子水,余量。本發(fā)明將無(wú)機(jī)緩蝕劑、納米粒子、有機(jī)硅烷和水性樹(shù)脂有機(jī)地結(jié)合形成復(fù)合鈍化膜,不僅改善鈍化膜與鍍鋅層的結(jié)合力,且提高鍍鋅板表面處理后的涂裝性能。作為封閉劑的納米二氧化硅經(jīng)改性后能均勻地分布在鈍化膜中,提高膜層的致密性,從而提高其耐腐蝕性能。本發(fā)明水性表面處理劑中不含任何價(jià)態(tài)的鉻,是一種環(huán)保型表面處理劑,本發(fā)明預(yù)處理工藝簡(jiǎn)單,能夠滿足彩涂工藝的需求。
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-13
.jpg){kind=logo}
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點(diǎn)，能滿足下一代電力電子裝備對(duì)功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動(dòng)力車輛、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能發(fā)電、列車牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機(jī)等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實(shí)用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前基于國(guó)內(nèi)工藝平臺(tái)制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線
電子科技大學(xué)
2021-04-10
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)
本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
納米晶氮碳化鈦陶瓷超細(xì)粉的高溫碳氮化制備法
一種納米晶氮碳化鈦陶瓷超細(xì)粉的高溫碳氮化反應(yīng)制備法,以納米氧化鈦和納米碳黑為原料,工藝步驟依次為配料、混料、干燥、裝料、高溫碳氮化、球磨、過(guò)篩。此法工藝簡(jiǎn)單,成本較低,較一般碳熱還原法節(jié)約能源,容易實(shí)現(xiàn)規(guī)模化工業(yè)生產(chǎn)。通過(guò)控制反應(yīng)溫度、保溫時(shí)間、氮?dú)鈮毫?或流量)、碳鈦配比等工藝因素可以合成各種氮含量的氮碳化鈦納米晶超細(xì)粉。用此法制備的氮碳化鈦粉末為球形,分散性較好,平均粒度為100～200NM,平均晶粒度為20～50NM,純度達(dá)99%以上。
四川大學(xué)
2021-04-11
.jpg){kind=logo}
一種圍壓可調(diào)的土樣碳化實(shí)驗(yàn)儀器
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種圍壓可調(diào)的土樣碳化實(shí)驗(yàn)儀器，由圍壓加載系統(tǒng)、供二氧化碳系統(tǒng)及碳化實(shí) 驗(yàn)平臺(tái)系統(tǒng)組成：圍壓加載系統(tǒng)中，電機(jī)、水箱和加壓管構(gòu)成回路，加壓管上裝有加壓閥；供二氧化碳 系統(tǒng)中，二氧化碳鋼瓶、壓力表和調(diào)壓閥通過(guò)二氧化碳管道相連共同提供一個(gè)穩(wěn)定的氣壓，二氧化碳管 道末端通過(guò)一根進(jìn)氣管連接到土體試樣上方透水石處，土體試樣下方基底座上布置有出氣管和備用出氣 管；碳化實(shí)驗(yàn)平臺(tái)系統(tǒng)中，壓力室頂蓋布置有放氣螺栓，土體試樣放置于基底座上，上下方布置有透水 石，土體試樣周圍由橡膠薄膜包裹。本實(shí)用新型具有圍壓穩(wěn)定、氣壓可調(diào)、進(jìn)出氣方向可選的優(yōu)點(diǎn)。
武漢大學(xué)
2021-04-13
.jpg){kind=logo}
采用激光選區(qū)燒結(jié)工藝制備碳化硅陶瓷件的方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種采用激光選區(qū)燒結(jié)工藝制備碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步驟：按照預(yù)定質(zhì)量比稱取碳粉、碳化硅粉末、粘結(jié) 劑及固化劑倒入球磨罐內(nèi)，并進(jìn)行球磨以得到粘接劑-碳化硅混合粉 末；采用計(jì)算機(jī)對(duì)待制備的零件進(jìn)行三維數(shù)字建模，并將三維數(shù)字模 型信息輸入到激光選區(qū)燒結(jié)成型機(jī)，以所述粘接劑-碳化硅混合粉末為 原料，采用激光選區(qū)燒結(jié)快速成形工藝進(jìn)行粉末燒結(jié)成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；對(duì)所述碳化硅素坯進(jìn)行加熱固化；將
華中科技大學(xué)
2021-04-14