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一種納米級碳化釩粉末的制備方法
本發明提供了一種納米級碳化釩粉末的制備方法。其特征是:以粉狀釩酸銨、碳質還原劑和微量稀土等催化劑為原料,按一定配比將它們溶于去離子水或蒸餾水中,并攪拌均勻,制得溶液。然后將該溶液加熱、干燥,最后得到含有釩源和碳源的前驅體粉末。將前驅體粉末置于高溫反應爐中,真空或氣氛保護條件下,于800～950℃、30～60min條件下碳化得到平均粒徑<100nm,粒度分布均勻的碳化釩粉末。本方法具有反應溫度低、反應時間短、生產成本低、工藝簡單等特點,適合工業化生產納米級碳化釩粉末。
四川大學
2021-04-11
新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法
（專利號：ZL 201310038265.6） 簡介：本發明公開一種新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法，屬于寬禁帶半導體技術領域。它包括襯底，所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構成，在所述襯底的硅面上有一層導電類型的第一摻雜層，摻雜類型為N型；所述襯底的碳面上有兩層導電類型的摻雜層，從內到外依次為：第二摻雜層和第三摻雜層，所述的第二摻雜層摻雜類型為P型，所述第三摻雜層摻雜類型為N型；所述硅面一側設置有開關的陽極
安徽工業大學
2021-01-12
全自動晶圓級LED熒光粉智能涂覆機
項目成果/簡介: 本產品圍繞晶圓級、芯片級和倒裝等先進封裝形式的大功率白光LED產業發展重大需求，突破了高速高均勻度熒光粉膠霧化涂覆控制、生產過程品質控制與優化管理等核心技術，自主研發了面向晶圓級級封裝的全自動晶圓級LED熒光粉高均勻涂覆機。本產品采用自動上下料傳送機構、自動加熱、自動視覺定位、涂覆厚度自動檢測、自動按照設定路徑和涂覆參數進行涂覆，是以復雜的光機電一體化精密封裝設備，主要技術性能指標達到國內領先水平。 應用于LED生產行業，滿足了各種新型LED封裝自動化生產需求，有效提升了封裝質量、熱阻分散性、色品一致性、出光效率等性能指標和產業競爭力。推動我國半導體照明等新興戰略產業的持續性發展。 全自動晶圓級LED熒光粉智能涂覆機知識產權類型:發明專利技術先進程度:達到國內領先水平成果獲得方式:獨立研究獲得政府支持情況:無
華南理工大學
2021-04-10
全自動晶圓級LED熒光粉智能涂覆機
本產品圍繞晶圓級、芯片級和倒裝等先進封裝形式的大功率白光LED產業發展重大需求，突破了高速高均勻度熒光粉膠霧化涂覆控制、生產過程品質控制與優化管理等核心技術，自主研發了面向晶圓級級封裝的全自動晶圓級LED熒光粉高均勻涂覆機。本產品采用自動上下料傳送機構、自動加熱、自動視覺定位、涂覆厚度自動檢測、自動按照設定路徑和涂覆參數進行涂覆，是以復雜的光機電一體化精密封裝設備，主要技術性能指標達到國內領先水平。
應用于LED生產行業，滿足了各種新型LED封裝自動化生產需求，有效提升了封裝質量、熱阻分散性、色品一致性、出光效率等性能指標和產業競爭力。推動我國半導體照明等新興戰略產業的持續性發展。
全自動晶圓級LED熒光粉智能涂覆機
華南理工大學
2021-05-11
鍍鋅板彩涂預處理用水性表面處理劑
簡介：本發明提供一種鍍鋅板彩涂預處理用水性表面處理劑,屬于彩涂鍍鋅板的表面處理技術領域。本發明所提供的鍍鋅板彩涂預處理用水性表面處理劑組分及質量百分比如下:水性樹脂,20～60%;有機硅烷,1～5%;無機緩蝕劑,0.5～2.5%,封閉劑,0.5～3%;促進劑,1～3%,去離子水,余量。本發明將無機緩蝕劑、納米粒子、有機硅烷和水性樹脂有機地結合形成復合鈍化膜,不僅改善鈍化膜與鍍鋅層的結合力,且提高鍍鋅板表面處理后的涂裝性能。作為封閉劑的納米二氧化硅經改性后能均勻地分布在鈍化膜中,提高膜層的致密性,從而提高其耐腐蝕性能。本發明水性表面處理劑中不含任何價態的鉻,是一種環保型表面處理劑,本發明預處理工藝簡單,能夠滿足彩涂工藝的需求。
安徽工業大學
2021-04-13
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學
2021-04-10
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。
電子科技大學
2021-04-10
納米晶氮碳化鈦陶瓷超細粉的高溫碳氮化制備法
一種納米晶氮碳化鈦陶瓷超細粉的高溫碳氮化反應制備法,以納米氧化鈦和納米碳黑為原料,工藝步驟依次為配料、混料、干燥、裝料、高溫碳氮化、球磨、過篩。此法工藝簡單,成本較低,較一般碳熱還原法節約能源,容易實現規模化工業生產。通過控制反應溫度、保溫時間、氮氣壓力(或流量)、碳鈦配比等工藝因素可以合成各種氮含量的氮碳化鈦納米晶超細粉。用此法制備的氮碳化鈦粉末為球形,分散性較好,平均粒度為100～200NM,平均晶粒度為20～50NM,純度達99%以上。
四川大學
2021-04-11
一種圍壓可調的土樣碳化實驗儀器
本實用新型公開了一種圍壓可調的土樣碳化實驗儀器，由圍壓加載系統、供二氧化碳系統及碳化實 驗平臺系統組成：圍壓加載系統中，電機、水箱和加壓管構成回路，加壓管上裝有加壓閥；供二氧化碳 系統中，二氧化碳鋼瓶、壓力表和調壓閥通過二氧化碳管道相連共同提供一個穩定的氣壓，二氧化碳管 道末端通過一根進氣管連接到土體試樣上方透水石處，土體試樣下方基底座上布置有出氣管和備用出氣 管；碳化實驗平臺系統中，壓力室頂蓋布置有放氣螺栓，土體試樣放置于基底座上，上下方布置有透水 石，土體試樣周圍由橡膠薄膜包裹。本實用新型具有圍壓穩定、氣壓可調、進出氣方向可選的優點。
武漢大學
2021-04-13
采用激光選區燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的方法
本發明公開了一種采用激光選區燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步驟：按照預定質量比稱取碳粉、碳化硅粉末、粘結 劑及固化劑倒入球磨罐內，并進行球磨以得到粘接劑-碳化硅混合粉 末；采用計算機對待制備的零件進行三維數字建模，并將三維數字模 型信息輸入到激光選區燒結成型機，以所述粘接劑-碳化硅混合粉末為 原料，采用激光選區燒結快速成形工藝進行粉末燒結成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；對所述碳化硅素坯進行加熱固化；將
華中科技大學
2021-04-14