|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種碳化硅納米線的制備方法
本發明涉及一種碳化硅納米線的制備方法領域。本發明所述的碳化硅納米線的制備 方法如下：將不含氧的碳硅烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內，將剛玉坩堝或剛玉舟放在耐高 溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰 性氣體保護，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－3 小時后自然 降到室溫。由本發明所述的碳化硅納米線的制備方法所得產物均為碳化硅納米線，長度 比現有的方法制備的碳化硅納米線提高了 2 個量級，且制備方法簡單，原料便宜易得， 設備要求簡化，成本低。
同濟大學
2021-04-11
碳化硅納米粉體分離分級方法與技術
項目成果/簡介:創新了一種納米顆粒的分離方法并實現了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗證方法及其實現裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達到分離和分級的目的。技術方面涉及不同粒徑（質量）納米顆粒的荷電狀態、在電場中的運動速度（及其分布）、給料時間間隔、顆粒落點以及收集周期等多種因素的復雜作用及其之間的優化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統分離方法相比，本方法和技術不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調節，分離效果好，可使分離效率大幅提高。應用范圍:本項目采用的方法和技術不是用于納米顆粒的制備，而是將已有的不同粒徑納米顆粒的混料進行分離和分級。效益分析:可用于具有納米顆粒分離、分級需求的廣泛場合，如電子器件、集成電路制膜的原料準備和光學、電子、醫療等精密部件的磨料準備，應用潛力巨大。知識產權類型:發明專利知識產權編號:ZL201610401673.7技術先進程度:達到國內先進水平成果獲得方式:與企業合作獲得政府支持情況:無
蘭州大學
2021-04-10
碳化硅納米粉體分離分級方法與技術
創新了一種納米顆粒的分離方法并實現了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗證方法及其實現裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達到分離和分級的目的。技術方面涉及不同粒徑（質量）納米顆粒的荷電狀態、在電場中的運動速度（及其分布）、給料時間間隔、顆粒落點以及收集周期等多種因素的復雜作用及其之間的優化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統分離方法相比，本方法和技術不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調節，分離效果好，可使分離效率大幅提高。
蘭州大學
2021-05-11
高性能碳化硅熱電偶保護管開發
碳化硅工程陶瓷材料具有優異的高溫性能，能夠滿足高溫和嚴酷環境使用環境。碳化硅工程陶瓷在工業領域具有最廣泛的應用前景、并可能在較短時間內形成產業化規模，有巨大的市場潛力。國家科委在“九五”科技攻關項目“結構陶瓷產品開發”中安排了“高性能碳化硅熱電偶保護管開發”的專題。通過產品開發牽引形成若干具有特色的高性能碳化硅陶瓷材料制備技術。
西安交通大學
2021-01-12
玉米秸稈水熱碳化制取水熱焦炭的研究
本項目組長期從事水熱制取炭基材料的研究，近三年在 Bioresource Technology、Applied thermal engineeringEnergy Conversion and Managements太陽能學報等期刊發表SCI、EI論文5 篇，授權發明專利《一種利用生物質制備水熱焦的方法》（專利號 ZL201510070287. X）,提出的處理方法與工藝以典型農業廢物玉米秸稈 為原料，在高溫高壓反應釜中，進行反應溫度為180~290°C,停留時間 為480min的水熱碳化實驗研究，
南京工程學院
2021-01-12
Nature刊發華理朱為宏教授團隊最新研究成果
國際權威學術期刊《自然》（Nature）以“Reconstructedcovalentorganicframeworks”為題，在線報道了華東理工大學材料生物學與動態化學教育部前沿科學中心、化學與分子工程學院朱為宏教授、田禾院士和英國利物浦大學AndrewCooper教授基于動態化學構筑共價有機框架材料研究取得的突破性進展。
華東理工大學
2022-04-08
一種納米級碳化釩粉末的制備方法
本發明提供了一種納米級碳化釩粉末的制備方法。其特征是:以粉狀釩酸銨、碳質還原劑和微量稀土等催化劑為原料,按一定配比將它們溶于去離子水或蒸餾水中,并攪拌均勻,制得溶液。然后將該溶液加熱、干燥,最后得到含有釩源和碳源的前驅體粉末。將前驅體粉末置于高溫反應爐中,真空或氣氛保護條件下,于800～950℃、30～60min條件下碳化得到平均粒徑<100nm,粒度分布均勻的碳化釩粉末。本方法具有反應溫度低、反應時間短、生產成本低、工藝簡單等特點,適合工業化生產納米級碳化釩粉末。
四川大學
2021-04-11
新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法
（專利號：ZL 201310038265.6） 簡介：本發明公開一種新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法，屬于寬禁帶半導體技術領域。它包括襯底，所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構成，在所述襯底的硅面上有一層導電類型的第一摻雜層，摻雜類型為N型；所述襯底的碳面上有兩層導電類型的摻雜層，從內到外依次為：第二摻雜層和第三摻雜層，所述的第二摻雜層摻雜類型為P型，所述第三摻雜層摻雜類型為N型；所述硅面一側設置有開關的陽極
安徽工業大學
2021-01-12
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學
2021-04-10
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。
電子科技大學
2021-04-10