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卷膜特性：可滿足120℃蒸煮及抽真空 長度及寬度：不大于60cm 厚度：雙面8-40絲 材質：復合袋，根據不同的要求設計復合膜 印刷：凹版印刷，九色 質量認證：ISO9001/SGS 產地：山東青島 交貨期：十萬條以內七天交貨，不含制版時間

一種正余弦編碼器的誤差補償裝置，屬于數字信號誤差補償裝置，解決現有誤差補償系統需要專門誤差測試儀器的問題，對正余弦編碼器輸出信號的各種誤差進行補償及糾正。本發明包括差分放大電路、AD 轉換電路，以及依次串聯的直流誤差補償模塊、幅值誤差補償模塊和相位誤差補償模塊。直流誤差、幅值誤差補償模塊先后消除編碼器輸出信號中的直流誤差和幅值誤差，最后將處理結果輸入相位補償模塊；相位誤差補償模塊首先經過移相和乘法器倍頻將相位誤差轉換為直流誤差和幅值誤差，然后進行直流誤差補償和相位誤差補償，得到兩路理想的高質量正余弦信號。本發明實施簡單、方便，使用效果好，為減小細分誤差，提高細分精度和分辨率提供基礎。

錦正茂霍爾效應測試系統低溫型測量儀 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 錦正茂霍爾效應測試系統低溫型測量儀 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 作為北京高科技企業，錦正科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。 錦正茂始終秉承“誠信、合作、創造、共贏”的經營理念，將現代化管理技術引入到產品生產與管理中，通過新的軍民融合平臺建設，形成具有一定市場競爭優勢的高科技企業；其次，公司逐步形成以現代化高科技產業化帶動企業價值增張的商業模式，堅持“與時俱進，科技創新”的思路，彰顯業務的核心優勢，共創新的戰略制高點。 公司目前擁有各類技術人員30余名，其中產品研發工程師10余名（高級工程師4名）、工藝工程師3名、檢測工程師2名，售后服務工程師3名。已形成完整的設計、生產、安裝、調試、維修及相關配套服務的專業化的人才隊伍。承接大、中、小型儀器儀表的設計、生產、安裝、調試、維修業務。      

概述： FCP磁場控制平臺是根據磁控原理設計的理想磁測量系統，磁場范圍超過3T，利用TESTIK475高斯計穩定磁場控制，適合各系列電磁鐵配置，連續可變的電磁氣隙，實心的和光學入口極帽，線型雙極，真實四象限電磁鐵電源。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 錦正茂磁場控制平臺磁控原理磁測量系統 FCP磁場控制平臺控制特征： TESTIK475型高斯計努力保持確切的磁場密度，用戶輸入的控制設定點，用G、T、Oe、A/m來表示。北京錦正茂的電磁鐵磁場控制平臺集成了硬件和控制部件來形成一個變化的磁場平臺，可以被獨立的被利用或做為用戶設計的測量系統的一個基礎。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 錦正茂磁場控制平臺磁控原理磁測量系統 ※ 磁場控制平臺包括錦正茂公司的電磁鐵、雙極電源、具有控制能力的DSP技術的高斯計、霍爾探頭及支架等。 錦正茂提供的磁場控制平臺具有不同的配制用來滿足在磁場強度、磁場均勻性、樣品尺寸、自定義測量要求等基礎之上的用戶要求。可以獨立的形成用戶所需要的不同磁場強度的可變磁場。廣泛用于磁光測量系統、VSM測量系統、在線退火、霍爾效應、磁化率測量、自旋磁共振、B-H曲線測量和精準的傳感器校準等領域。 475高斯計從高斯計霍爾探頭得到反饋來計算并調整控制（模擬）輸出。為了更大程度實現控制的穩定性，475型高斯計每33毫秒更新模擬輸出。結果是一個內置的PI 控制器提供了峰值-到-峰值的0.5 G*的磁場穩定性。 ※ 當設定點速率激活的時候，儀器會開始從當前磁場讀數加速而不是當前設定點，基于對P和I的設定。另外，475高斯計能設定速率來控制設定點，從當前磁場讀數到一個新的值，使用一個磁場中平滑線性變換而不是瞬態特性的PI控制。 ※ 開環磁場控制也可能用手動輸出來使用475模擬輸出，這意味著忽視了反饋并且模擬輸出停留在手動用戶調整。這個方法使磁體電源操作處于恒定電流模式。 ※ 475也包含了用戶可設定的控制斜率限制和模擬輸出電壓限制。這些軟件限制保證了磁體電源如果磁場控制系統遭到不合適的調整或開始擺動而不會損壞。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ FCP磁場控制平臺標準配置： TESTIK475有1個計算機接口：RS-232串口:。這個接口可以設置所有儀器參數和測量值得讀回。在磁場控制期間，接口的讀數率是額定每秒30個讀數。475的LabVIEW驅動是提供的（選配）。磁場控制平臺不含應用軟件。    

產品概述：      VSM振動樣品磁強計可測量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲線，磁滯回線，退磁曲線，升溫曲線、升/降溫曲線、降溫曲線、溫度隨時間的變化等)，得到相應的各種磁學參數(如飽和磁化強度，剩余磁化強度，矯頑力，磁能積，居里溫度，磁導率(包括初始磁導率)等)，可測量粉末、顆粒、片狀、塊狀等磁性材料。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 錦正茂直銷磁性材料測量系統振動樣品磁強計 可原位測量磁性材料從液氮溫區至室溫或室溫至500℃溫區的磁性能隨溫度的變化曲線。 錦正茂直銷磁性材料測量系統振動樣品磁強計 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 技術指標： 1、測量磁矩范圍(磁極間距30mm時)：1*10-3emu—300emu(靈敏度：5×10-5emu) 2、相對精度(量程30emu時)：優于±1% 3、重復性(量程30emu時)：優于±1% 4、穩定性(量程30emu時)：連續4小時工作優于1% 5、溫度范圍：室溫到500攝氏度以及室溫到液氮溫區 6、磁場強度：0—±3.8T之間 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 錦正科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。    

偃師市正浩儀器設備有限公司（原偃師市化電訊儀器廠），位于“九都古都”洛陽境內，距世界文化遺產龍門石窟、白馬寺、少林寺等名勝古跡僅數十公里，310、207國道、連霍高速、隴海鐵路等橫貫境內，交通十分便利。 我公司是中國教學儀器設備行業協會會員單位，河南省教學儀器設備生產骨干企業。本公司中有中、高級專職技術人員，專業從事中、小學教學儀器、電教儀器的研制、開發、生產、經營，已有二十余年專業生產歷史。 我公司憑著嚴格的科學管理體系，先進的生產技術手段，雄厚的技術力量，以品種全、信譽高、服務好、價位合理為經營宗旨，多次被省市工商、質監等部門評為“誠信單位”、“質量管理達標企業”，通過ISO9001-2000國際質量管理體系認證，在世行貸款招標項目中多次中標，產品銷往全國二十多個省市，深受用戶一致好評。 我公司以“尊重知識、奉獻教育、服務社會”為宗旨，以“重合同、守信用”為原則，竭誠與社會各界新老朋友全力為教育事業做了貢獻。 總經理趙治安先生攜全體員工竭誠歡迎您的光臨指導，并期待著與您真誠合作！

山東永正產業技術研究院有限公司成立于2019-07-12，法定代表人為竇霆，注冊資本為5000萬元人民幣，統一社會信用代碼為91371625MA3Q6QHC66，企業地址位于山東省濱州市博興縣經濟開發區興博三路與興業六路交叉口往東100米路北，所屬行業為研究和試驗發展，經營范圍包含：環境保護技術、工業廢棄物資源綜合利用、高分子材料、硅酸鹽材料助劑、工業廢棄物利用生產設備的技術研發、技術轉讓、技術咨詢與服務、技術成果投資。

本發明公開了一種采用圖形噴嘴的有機氣相成膜裝置，包括蒸 發腔、與蒸發腔連通的噴印頭及與噴印頭相距一定間隙的基板載臺， 基板載臺受控制相對噴印頭分別沿噴印頭主軸方向、與噴印頭主軸垂 直平面內的水平方向以及平面內與水平方向垂直的第三方向直線移 動。噴印頭包括噴印頭基體、包覆噴印頭基體的加熱套、位于噴印頭 基體一端的圖形噴嘴、與圖形噴嘴連通的混合腔以及連通所述蒸發腔 與混合腔的氣體入口。圖形噴嘴的開口具有一定形狀，蒸發腔用于蒸 發固體有機材料得到氣相有機材料并通過噴印頭的氣體入口進入噴印 頭的混合腔，接著

本發明公開了一種正滲透汲取液及其應用，該正滲透汲取液包 括質量分數為 5％～50％的有機膦化合物，所述有機膦化合物具有如 式 I 所示的化學結構式，其中，m 為 1～6，n 為 0～6，x 為 0～2m+4n+8， Y 為 Na ， K 或 Li<img file=""DDA0000920592790000011.GIF"" wi=""1226"" he=""539"" />本發明還公開了用于該正滲透汲取液的有機 膦化

本發明涉及一種基于超表面的光偏振控制的透反射一體式轉換器，包括上層的納米二聚體陣列和下層的襯底，襯底平面為xy軸平面，x軸垂直于y軸，兩個結構材質完全相同的半導體圓柱體納米結構間隔固定距離排列構成納米二聚體，納米二聚體中兩個圓柱體中心連線方向為二聚體軸方向，即x軸方向；襯底平面上的納米二聚體陣列為沿x軸、y軸周期排列的納米二聚體陣列。