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產品詳細介紹 產品詳情：KJ016科技小零件套裝               針對補充；易損；易丟失；使用率高的科技小零件。  產品圖片如下：

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產品詳細介紹鐵基粉末冶金簡介：鐵基粉末冶金硬度。鐵基粉末是通過調劑18－8型或Cr13型不銹鋼的Ni、Cr含量，并增加B、Si元素而成 的。鐵基合金粉末的噴涂層硬度、致密性、聯合強度等于鎳基合金粉末涂層大體相稱，因而在不少場所下可替代鎳基合金粉末，但涂層的韌性低于鎳基合金粉末涂 層。鐵基合金粉末涂層具備良好的耐磨性。（1）碳鋼和低合金粉末這類資料是運用最普遍的機械工程資料。它強度好，耐磨，起源普遍，價錢昂貴，個別都用在常溫下任務的機械零部件，作滑動外表的硬面涂層及磨損部位的尺寸修復，但這類資料的熔點較高，噴涂時輕易形成氧化和涂層多孔等。（2）鐵－鉻－硅系合金粉末此類合金噴涂可得到光明、致密的涂層和良好的加工光明度，涂層硬度可達90HRB，用于修復磨損了的青銅、不銹鋼零件，還可用于修補不銹鋼容器中的汽蝕，作為泵軸上的襯墊面、機械密封面或電機軸外表的涂層等。（3）鐵－鉻－硼－硅系合金粉末此系列合金耐磨性、耐壓性和韌性較好，易于加工，用于耐磨件和軸泵面、汽輪箱體密封面等部位。因為含有硼、硅等元素，具備自熔性，可間接噴涂，也可進行重熔解決，能夠用于激光熔覆。鐵基粉末冶金密度計、比重儀解釋：罕用于粉末冶金行業測量粉末冶金異型件，齒輪件等各種龐雜零件。能夠間接讀取生胚密度，燒結后密度，及含油軸承含油率測試儀粉末冶金齒輪密度計，含油率測試儀 軸承密度計 數顯齒輪密度計 電子齒輪密度計 數顯齒輪密度計　不規矩齒輪密度計 不規格金屬件密度儀 齒輪密度計 齒輪橡膠密度計 齒輪齒輪密度計 齒輪廠專用密度計粉末冶金齒輪密度計，含油率測試儀，相似資料密度，可間接讀數，省去稱重和盤算，運用簡樸，操作不便，粉末冶金齒輪密度計，含油率測試儀 適宜消費車間工藝性的疾速測定和鉆研部門運用。粉末冶金齒輪密度計，含油率測試儀 契合GBT1423－1996貴金屬合金黃金等標準標準鐵基粉末冶金密度計、比重儀規格：型號： DX－120Q DX–300Q DX–600Q秤重規模： 0。001g 0。01g~ 300g 0。01g~ 600g比重精度： 0。001÷0。0001 g÷cm3 0。001 g÷cm3測量時光： 約10秒設定： 溫度彌補設定、溶液彌補設定、體比重封蠟法密度設定標準接口： RS－232可隨便的銜接PC和打印機。本機采取一體注塑成型測量架，一體注塑成型透明水槽，組裝不便，耐磨耐摔，防侵蝕，可清晰視察樣品在介質中狀況。鐵基粉末冶金密度計、比重儀標準附件：①主機、②水槽、③測量臺、④鑷子、⑤解釋書、⑥砝碼、⑦防風防塵罩、⑧測顆粒配件一套、⑨測浮體配件一套、⑩電源變壓器一個鐵基粉末冶金密度計、比重儀測量步驟：①將樣品放入測量臺，測空氣中分量，按M鍵記憶。②將樣品完整浸入水中，測水中分量，按M鍵記憶，間接顯示密度值。

本發明公開了一種用于多晶硅鑄錠爐的隔熱塊，設置在多晶硅鑄錠爐的坩堝底部外周，用于坩堝加熱或冷卻多晶硅過程中的隔熱保溫，該隔熱塊為中空方形筒體結構，筒體筒壁為中空夾層結構，其中內壁用于包覆設置在坩堝底部的熱交換塊外周壁面，且該內壁與所述熱交換塊外周壁面具有間隙，所述外壁用于與設置在坩堝外圍的豎直隔熱板固定接觸，所述坩堝中心線、熱交換塊中心線以及隔熱塊中心線重合，且所述隔熱塊頂部低于熱交換塊頂部。本發明還公開了具有

簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的

菊花晶和金銀花晶具有清熱去火的功效，目前市售的菊花晶和金銀花晶主要 以粉末狀的形態存在，外觀形狀較差，且溶解時所需的時間較長。本項目開發的 菊花晶和金銀花晶顆粒較大，溶解性較好。 溶解時間：熱水中 3 s 以內全部溶解，不使用食品添加劑。 效益分析：菊花和金銀花中的有效成分具有清熱去火等諸多功效，將其從菊花和金銀花 中提取出來制備成菊花晶和金銀花晶可以提高食用的方便。此外，將菊花晶和金 銀花晶與奶粉同時食用，可以有效降低嬰兒食用奶粉時引起的上火等問題。因此， 開發具有良好外觀形態和溶解性的菊花晶和金銀花晶具有較強的市場競爭力。

首次使用炔烴作為卡賓前體完成了一例不對稱Si-H鍵插入反應，高效構筑了一類新型手性有機硅化合物。該反應使用手性羧酸雙銠催化劑，首先促進羰基-烯-炔底物發生分子內環化現場生成雙芳基金屬卡賓，該金屬卡賓中間體進而對硅烷的Si-H鍵發生高對映選擇性的插入反應，給出相應的手性有機硅化合物。該反應的條件溫和，底物適用范圍廣，大部分產物的ee值都能達到90%以上。所得的手性烯丙基硅產物能夠進一步轉化，例如發生烯丙基乙酰化反應，對映選擇性能夠得到很好的保持，因此在有機合成中具有一定的應用潛力。動力學實驗表明，反應對雙銠催化劑、硅烷展現出一級動力學效應，對底物則表現出零級動力學特征，說明銠卡賓對Si-H鍵的插入步驟是反應的決速步，這與動力學同位素實驗的結果（KIE=1.5）相一致。本研究表明炔烴作為卡賓前體同樣可以發生高對映選擇性的Si-H鍵插入反應，結合炔烴化學在從簡單原料構筑復雜產物上的優勢，為結構多樣性有機硅化合物的合成提供了新的方向。

傳統的CCD、CMOS硅基成像器件都不能響應紫外波段的光信號，這是因為紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年來隨著紫外探測技術的日趨發展，人們越來越需要對紫外波段進行更深的探測分析與認識。紫外探測技術是繼激光探測技術和紅外探測技術之后發展起來的又一軍民兩用光電探測技術。幾十年來，紫外探測技術已經逐漸應用于光譜分析、軍事、空間天文、環境監測、工業生產、醫用生物學等諸多領域，對現代科研、國防和人民生活都產生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內急迫需要響應波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是應用最廣泛的光電探測器件。當前最先進的光譜儀器大都采用了CCD或CMOS作為探測器件，這是因為CCD、CMOS具有靈敏度強、噪聲低、成像質量好等優點。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段響應都很弱。成像器件的這種紫外弱響應限制了其在先進光譜儀器及其他領域紫外波段探測的使用。 在技術發達國家,寬光譜響應范圍、高分辨率、高靈敏度探測器CCD已經廣泛應用于高檔光譜儀器中。上世紀中葉美國Varian公司開發的Varian700 ICP-AES所使用的寬光譜CCD檢測器分辨率達0.01nm,光波長在600nm和300nm時QE分別達到了84%和50%；美國熱電公司開發的CAP600 系列ICP所用探測器光譜響應范圍更是達到165～1000nm，在200nm時的分辨率達到0.005nm.法國Johinyvon的全譜直讀ICP，其所用的CCD探測器像素分辨率達0.0035nm,紫外響應拓展到120nm的遠紫外波段。德國斯派克分析儀器公司的全譜直讀電感耦合等離子體發射光譜儀一維色散和22個CCD檢測器設計，其光譜響應范圍為120－800nm。德國耶拿JENA 連續光源原子吸收光譜儀contrAA采用高分辨率的中階梯光柵和紫外高靈敏度的一維CCD探測器，分辨率達0.002nm,光譜響應范圍為189—900 nm。總而言之，發達國家在寬光譜響應和高分辨率高靈敏度探測器件的研制領域已取得相當的成就。主要技術指標和創新點（1）  我們在國內首次提出紫外增強的硅基成像器件，并在不改變傳統硅基成像探測器件的結構的基礎上，利用鍍膜的方法增強成像探測器件CCD、CMOS的紫外響應，使其光譜響應范圍拓寬到190—1100nm，實現對190nm以上紫外光的探測。（2）  提高成像探測器的紫外波段靈敏度，達到0.1V/lex.s。（3）  增強成像探測器件的紫外響應的同時，盡量不削弱探測器件對可見波段的響應。（4）  選用適合的無機材料，克服有機材料使用壽命短的缺陷。 紫外探測技術已經逐漸應用于光譜分析、軍事、空間天文、環境監測、工業生產、醫用生物學等諸多領域，對現代科研、國防和人民生活都產生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內急迫需要響應波段拓展到紫外的硅基成像器件，該設計與傳統CCD、CMOS結合，能滿足寬光譜光譜儀器所需的紫外響應探測器的需要。能提高光譜儀器光譜響應范圍，在科學實驗和物質分析和檢測中具有很廣的市場前景。 該設計樣品能取代傳統CCD、CMOS，應用于大型寬光譜光譜儀器上，作為光譜儀的探測器件。將傳統光譜儀器的光譜檢測范圍拓寬到190—1100nm. 實現紫外探測和紫外分析。具有較強的市場推廣應用價值。