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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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氧化物薄膜晶體管材料及其器件
本項目主要研究和開發(fā)高遷移率透明氧化物半導(dǎo)體薄膜，重點研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導(dǎo)體薄膜;篩選合適的介質(zhì)層材料，研 究和制備優(yōu)質(zhì)致密的透明介質(zhì)層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導(dǎo)電氧化物電極、透明氧化物半導(dǎo)體溝道層和透明介 質(zhì)層構(gòu)成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術(shù)對 I-V 特
復(fù)旦大學
2021-01-12
微流體脈沖噴射儀及配套微流體器件制備儀
微流體數(shù)字化技術(shù)通過對裸結(jié)構(gòu)的微噴嘴實施脈沖的慣性力，使微量流體在慣性力與黏性力交替作用下實現(xiàn)微流體的脈沖流動，從而實現(xiàn)數(shù)字化可控的微量流體的噴射，適用于液體微噴射、粉體微噴射等領(lǐng)域。 成熟度：基于非晶態(tài)玻璃材料毛細加工原理，進行了拉制、鍛制、殘余應(yīng)力熱處理等工序研究，制作了出微納米級的微噴嘴、微管道。以玻璃微噴嘴制備儀為平臺研究了不同拉制參數(shù)、鍛制參數(shù)對微噴嘴幾何形狀的影響規(guī)律。基于微流體脈沖驅(qū)動-控制技術(shù)，分別采用拉制、鍛制的微噴嘴穩(wěn)定地制備了均一的微液滴。 微流體
南京理工大學
2021-04-14
硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互連技術(shù)可以有效的解決集成電路進一步發(fā)展的尺寸限制同時可以極大的提高芯片間信息傳輸?shù)乃俣群皖l率。Si基光子集成是實現(xiàn)集成電路光互聯(lián)的核心技術(shù)和重要研究方向。然而，Si因為其間接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)在光電子器件領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實現(xiàn)Si基光子芯片的一種理想途徑。
南京大學
2021-04-14
鎢酸鎘閃爍單晶材料的制備技術(shù)與器件應(yīng)用
寧波大學晶體材料實驗室在國際上首次成功開發(fā)鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長技術(shù)，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術(shù)。
一、項目分類
關(guān)鍵核心技術(shù)突破
二、成果簡介
閃爍單晶是廣泛應(yīng)用于高能射線探測成像技術(shù)的光學功能材料。寧波大學晶體材料實驗室在國際上首次成功開發(fā)鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長技術(shù)，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術(shù)。近年來所制備閃爍單晶性能完全達到射線探測器制造所要求實用化指標，CWO閃爍單晶材料可廣泛應(yīng)用于安檢設(shè)備、集裝箱檢查系統(tǒng)、CT診療儀等技術(shù)領(lǐng)域。迄今已經(jīng)形成單晶原坯、多規(guī)格晶片和單晶陣列的批量生產(chǎn)能力，相關(guān)材料產(chǎn)品已銷往國內(nèi)外相關(guān)射線探測成像設(shè)備制造廠商。
寧波大學
2022-08-16
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超聲納米燒結(jié)快速實現(xiàn)高功率器件的封裝互連
針對汽車電子、5G通訊基站、航空航天及電力電子設(shè)備等功率電子元器件難以在高溫、大電流/電壓、潮濕等惡劣工作環(huán)境下服役的難題，并且要求芯片封裝互連接頭尺寸更小、高溫穩(wěn)定性更好、可靠性更高，本團隊首次采用超聲輔助納米燒結(jié)的新型互連工藝，利用納米銀包銅顆粒作為焊料，成功獲得大功率器件高溫高可靠服役要求的互連接頭，為高功率芯片貼裝高導(dǎo)熱界面制造提供了新材料和新工藝。
哈爾濱工業(yè)大學
2021-04-14
基于白光LED器件的可見光無線通信系統(tǒng)
南京郵電大學
2021-04-14
太赫茲波譜與成像理論及功能器件基礎(chǔ)研究
本項目通過多年研究，發(fā)現(xiàn)了物質(zhì)/結(jié)構(gòu)在太赫茲波段產(chǎn)生的共振、吸收、折射、濾波、偏振等多種新現(xiàn)象和新效應(yīng)。發(fā)展了太赫茲波物質(zhì)探測、低損傳輸、高速控制和光譜成像的新手段和新方法。在太赫茲波譜應(yīng)用和功能器件研究方面取得了重要進展，研制出多種實用化的太赫茲功能器件。近5 年來在Appl. Phys. Lett., Optics Letter, Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國際主流期刊上總共發(fā)表SCI 論文57 篇。申請國家發(fā)明專利22 項，已授權(quán)專利7 項。本項目多項研
電子科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器件的神經(jīng)元電路
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器件的神經(jīng)元電路，本發(fā)明中，突 觸陣列的憶阻器選用部分易失性雙極性電阻轉(zhuǎn)變器件，表達神經(jīng)元膜 電位的憶阻器選用易失性電阻轉(zhuǎn)變器件，構(gòu)建神經(jīng)元電路，并具有突 觸基本單元。該神經(jīng)元電路能夠?qū)崿F(xiàn)生物神經(jīng)元中的整合放電功能， 表達出局部分級電位，突觸具有部分易失性，可以表達活動時序相關(guān) 的可塑性，與生物學上神經(jīng)元與突觸在信息存儲、傳遞與處理方面有 極大相似性。本發(fā)明可以為硬件模擬大腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)提供基
華中科技大學
2021-04-14
鈣鈦礦單晶光電器件領(lǐng)域研究新進展
新型光電器件中載流子傳輸層與金屬鹵化物鈣鈦礦單晶異質(zhì)原位集成的關(guān)鍵問題，在無機電子傳輸層上異質(zhì)原位生長高質(zhì)量全無機金屬鹵化物鈣鈦礦單晶方面取得研究進展 在全無機電子傳輸層
南方科技大學
2021-04-14
一種磁隧道結(jié)單元及自旋電子器件
本發(fā)明公開了一種隧道結(jié)單元及磁隨機存儲器，包括依次連接 的第一電極、第一自由層、非磁性絕緣層、釘扎層和第二電極，還包 括連接在第一電極與第一自由層之間的第二自由層，第二自由層的橫 截面積小于自由層的橫截面積；第二自由層和第一自由層一起形成了 復(fù)合自由層結(jié)構(gòu)；第二自由層用于聚集電流，使得第二自由層處的電 流密度大于第一自由層處的電流密度，從而使得第二自由層的磁矩先 于第一自由層發(fā)生翻轉(zhuǎn)；由于第二自由層和第一自由層之間的
華中科技大學
2021-04-14