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一種加工硅通孔互連結(jié)構(gòu)的工藝方法
本發(fā)明公開了一種加工硅通孔互連結(jié)構(gòu)的工藝方法，步驟為：①在基板上刻蝕盲孔；②在基板上沉積一層圖案化介電質(zhì)層；③刻蝕圖案化介電質(zhì)層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側(cè)壁的介電材料，在基板上形成介電質(zhì)孔；④在介電質(zhì)孔上沉積一層導電材料，形成導電孔；⑤在導電層上再沉積一層圖案化介電質(zhì)層，填充導電孔；⑥刻蝕板背面，暴露出導電層，在導電層上形成焊料微凸點。圖案化介電質(zhì)層的材料優(yōu)選聚對二甲苯。本發(fā)明簡化了工藝步驟，減少工藝時間并降低了費用；使用二層圖案化介電質(zhì)層，降低了寄生電容，提升了互連電性能，適用于高速和
華中科技大學
2021-04-14
鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)的可控制備方法及產(chǎn)品
本發(fā)明公開了一種鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)可控制備方法及產(chǎn)品，該 方法具體為：(a)清洗硅襯底；(b)在硅襯底上外延生長鍺硅合金形成外 延襯底；(c)涂敷電子抗蝕劑，通過電子束光刻技術(shù)在電子抗蝕劑上曝 光所需的鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)圖形；(d)采用干法刻蝕將鍺硅納米低維結(jié) 構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到外延襯底上得到樣品；(e)去除樣品上的電子抗蝕劑；(f) 高溫環(huán)境下進行氧化和退火，使得氧氣優(yōu)先與硅反應(yīng)形成氧化硅而鍺 被析出；(g)在氮氫混合氣氛下
華中科技大學
2021-04-14
一種基于硅基液晶的偏振檢測系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的偏振檢測系統(tǒng)及方法，所述 偏振檢測系統(tǒng)包括檢偏器、光探測器、硅基液晶驅(qū)動模塊、控制單元 和用于相位調(diào)制的硅基液晶，硅基液晶在硅基液晶驅(qū)動模塊的驅(qū)動下 對待測光進行相位調(diào)節(jié)，獲取一系列偏振光，通過對這一系列偏振光 的分析獲取待測光的偏振信息，包括豎直方向與水平方向的振幅及相 位差。本發(fā)明的系統(tǒng)在精確可編程控制下，進行偏振態(tài)檢測與控制， 不受類似于波片的波長敏感性制約；且本發(fā)明采用硅基液晶進
華中科技大學
2021-04-14
耐超低溫有機硅密封膠生產(chǎn)技術(shù)
航空航天器、飛機、導彈、火箭、超低溫冷凍機、極寒冷地區(qū)工程機械和高速列車等設(shè)備，在極低溫度條件下運行時，對密封材料要求很高，一旦出現(xiàn)密封效果不佳或不可靠情況，會出現(xiàn)嚴重后果，極端情況會造成機毀人亡等重特大事故，形成嚴重的財產(chǎn)和人員損失。密封材料大多采用有機高分子材料，在低溫條件下，密封材料中分子熱運動減少，分子鏈段會變得僵硬甚至凍住，使之失去彈性，導致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料應(yīng)用于上述設(shè)備和地域時，必須采用特殊制備的耐低溫硅橡膠才能保證安全及設(shè)備的穩(wěn)定運行。這就要求密封材料必須具備
山東大學
2021-04-14
新一代硅烷法電子級晶體硅生產(chǎn)技術(shù)
上海交通大學
2021-04-13
微型皮拉尼計與體硅器件集成加工的方法
本發(fā)明公開了一種微型皮拉尼計的制備方法及其與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對有光刻膠掩膜的一面進行感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能有效提高皮拉尼計的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計與體硅器件集成封裝工藝難度大，風險高，成本高且產(chǎn)量低的技術(shù)問題。
華中科技大學
2021-04-14
承建丙烯酸涂料，硅PU塑膠藍、排、網(wǎng)、羽球場
產(chǎn)品詳細介紹承建丙烯酸涂料，硅PU塑膠藍、排、網(wǎng)、羽球場
廣州市奧力生體育設(shè)施有限公司
2021-08-23
低成本制備高效硅薄膜太陽電池關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
南開大學 1978 年在國內(nèi)率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術(shù)獲得天津市技術(shù)發(fā)明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續(xù) 4個五年國家科技攻關(guān)計劃，獲科技部重點攻關(guān)和天津市科委的支持，經(jīng)過 20 余年潛心研發(fā)，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。于 2003 實現(xiàn)非晶硅電池產(chǎn)業(yè)化。 2000 年始，在國內(nèi)率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年，該成果實現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)移生產(chǎn)。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術(shù)的、襯底面積0.79m2、線列式 5 室連續(xù) VHF-PECVD 系統(tǒng)及相應(yīng)中試生產(chǎn)線及其組件制造技術(shù)。成為國際上為數(shù)不多可開展大面積新一代硅基薄膜太陽 電池研究的單位。 2011 年，開發(fā)出年產(chǎn)能 2 兆瓦、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的、我國首條年產(chǎn)能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產(chǎn)線及其組件生產(chǎn)技術(shù)。生產(chǎn)出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池技術(shù)推向產(chǎn)業(yè)化。
南開大學
2021-02-01
低成本制備高效硅薄膜太陽電池關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
南開大學 1978 年在國內(nèi)率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術(shù)獲得天津市技術(shù)發(fā)明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續(xù) 4 個五年國家科技攻關(guān)計劃，獲科技部重點攻關(guān)和天津市科委的支持， 經(jīng)過 20 余年潛心研發(fā)，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。 于 2003 實現(xiàn)非晶硅電池產(chǎn)業(yè)化。 2000 年始，在國內(nèi)率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年， 該成果實現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)移生產(chǎn)。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術(shù)的、襯底面積 0.79m2、線列式 5 室連續(xù) VHF-PECVD 系統(tǒng)及相應(yīng)中試生產(chǎn)線及其 組件制造技術(shù)。成為國際上為數(shù)不多可開展大面積新一代硅基薄膜太 陽電池研究的單位。 2011 年，開發(fā)出年產(chǎn)能 2 兆瓦、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的、我國首條 年產(chǎn)能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產(chǎn)線及其組件生 產(chǎn)技術(shù)。生產(chǎn)出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池 技術(shù)推向產(chǎn)業(yè)化。
南開大學
2021-04-11
基于硅基外腔芯片的窄線寬連續(xù)調(diào)頻激光器
1. 痛點問題
激光雷達在自動駕駛等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。基于調(diào)頻連續(xù)波技術(shù)的激光雷達（FMCW Lidar）有著探測距離遠、抗干擾和同時測速等優(yōu)勢，被認為是最具應(yīng)用潛力的激光雷達。激光光源是FMCW激光雷達的核心器件之一，F(xiàn)MCW光源的調(diào)頻非線性會嚴重影響激光雷達的分辨率，導致有效工作距離縮短，阻礙激光雷達性能的提升。
2. 解決方案
本成果預期解決目前調(diào)頻連續(xù)波激光雷達（FMCW Lidar）中光源調(diào)頻非線性的問題。本成果提出一種基于硅基外腔芯片的窄線寬激光器，通過無源硅基外腔芯片反射波長中心頻率和反射相位的聯(lián)合調(diào)諧，可以實現(xiàn)高線性的激光輸出頻率調(diào)諧，其原理架構(gòu)與和實驗驗證結(jié)果如圖1所示。從而突破了傳統(tǒng)FMCW光源直接通過電流調(diào)制進行調(diào)頻導致的非線性限制，直接產(chǎn)生高線性連續(xù)調(diào)頻光信號。
合作需求
1、需要融資1800~2000萬元，完成研發(fā)實驗室及一期生產(chǎn)線的建設(shè)，以及前期工程樣品的開發(fā)；
2、需要800平米左右萬級超凈廠房及配套辦公面積，希望有興趣的地區(qū)或者園區(qū)能夠提供優(yōu)惠的政策與支持；
3、歡迎FMCW激光雷達廠家及其它對FMCW光源有需求的客戶合作，聯(lián)合測試、共同開發(fā)；
4、歡迎在硅光設(shè)計、光有源、無源耦合及自動化生產(chǎn)等方面的技術(shù)、管理專家加盟，共同打造激光雷達的中國光芯，共創(chuàng)美好未來。
清華大學
2022-03-28