鍺硅納米低維結構的可控制備方法及產品

新材料及其應用

本發明公開了一種鍺硅納米低維結構可控制備方法及產品，該

方法具體為：(a)清洗硅襯底；(b)在硅襯底上外延生長鍺硅合金形成外

延襯底；(c)涂敷電子抗蝕劑，通過電子束光刻技術在電子抗蝕劑上曝

光所需的鍺硅納米低維結構圖形；(d)采用干法刻蝕將鍺硅納米低維結

構圖形轉移到外延襯底上得到樣品；(e)去除樣品上的電子抗蝕劑；(f)

高溫環境下進行氧化和退火，使得氧氣優先與硅反應形成氧化硅而鍺

被析出；(g)在氮氫混合氣氛下

未應用