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砷化鎵基超快激光器與高效率輕質砷化鎵薄膜三結太陽電池
激光雷達等傳感器以及高效率砷化鎵太陽能電池是國務院國家制造強國建設戰略咨詢委員會列出的核心基礎元器件，本項目在國務院國資委以及國家級人才計劃科研項目支持下，聯合國內知名企業進行關鍵技術攻關，研制出基于砷化鎵的超快半導體激光芯片與激光器可適用于激光加工、5G通信、生物醫療等領域，同時研制出的高效率砷化鎵薄膜三結電池曾獲得世界最高效率，相關產品已處于中試和量產階段，本項目相關技術和產品曾獲得過2018年度上海市科技進步二等獎，2020年中國發明協會發明創新二等獎，2020年中國光學學會光學科技獎一等獎等獎勵。本次將展示本項目研制的相關砷化鎵基半導體激光器以及高效率柔性輕質砷化鎵薄膜三結太陽能電池。
復旦大學
2021-09-18
HKM定制汽車輪轂六分三維扭矩力傳感器動態測試路譜信號外部載荷
HKM定制汽車輪轂六分力傳感器動態測試路譜
安徽中科米點傳感器有限公司
2021-12-16
國家知識產權局 科技部 財政部 自然科學基金委國家國防科工局 中央軍委裝備發展部關于印發建立財政資助科研項目形成專利的聲明制度實施方案的通知
按照中共中央、國務院印發的《知識產權強國建設綱要（2021—2035年）》、國務院印發的《“十四五”國家知識產權保護和運用規劃》和國務院辦公廳印發的《專利轉化運用專項行動方案（2023—2025年）》決策部署，國家知識產權局、科技部、財政部、自然科學基金委、國家國防科工局和中央軍委裝備發展部聯合制定了《建立財政資助科研項目形成專利的聲明制度實施方案》。
國家知識產權局
2024-01-23
國家知識產權局 科技部 財政部 自然科學基金委 國家國防科工局 中央軍委裝備發展部關于印發建立財政資助科研項目形成專利的聲明制度實施方案的通知
為貫徹落實中共中央、國務院印發的《知識產權強國建設綱要（2021—2035 年）》、國務院印發的《“十四五”國家知識產權保護和運用規劃》和國務院辦公廳印發的《專利轉化運用專項行動方案（2023—2025 年）》決策部署，建立完善財政資助科研項目形成知識產權的聲明制度，支撐財政資助科研項目形成專利（含國防專利）（以下統稱財政科研項目專利）的質量監測、績效分析和科學管理，制定如下實施方案。
國家知識產權局
2024-02-29
《上海市高質量孵化器建設評估管理辦法（征求意見稿）》公開征求意見的公告
為深入實施創新驅動發展國家戰略，落實市委全會精神，加快建設若干高質量孵化器，示范引領全市創新創業高質量發展，孵化培育更多面向全球的本土硬科技企業。結合《上海市高質量孵化器培育實施方案》（滬府辦規〔2023〕16號）具體落實，市科委會同市相關職能部門、相關區研究起草了《上海市高質量孵化器建設評估管理辦法（征求意見稿）》。
上海市科學技術委員會
2023-08-07
《德國應用化學》報道華東理工大學靶向降解膜結合細胞器內蛋白質新策略
近日，藥學院錢旭紅院士、楊泱泱副教授課題組在蛋白靶向降解策略研究中取得重要進展，相關成果以“An Endoplasmic Reticulum (ER)-Targeting DNA Nanodevice for Autophagy-Dependent Degradation of Proteins in Membrane-Bound Organelles”為題發表于著名期刊Angew. Chem. Int. Ed. (DOI: 10.1002/anie.202205509)，并入選VIP (Very Important Paper)。
華東理工大學
2022-09-28
一種基于 MEMS 系統的高靈敏度高分辨率的 微型溫度傳感器及監測方法
本發明涉及一種基于 MEMS 系統的高靈敏度高分辨率的微型溫度傳感器及監測方法，包括兩組 V 型彎曲梁組件，其中每組 V 型彎曲梁組件包括若干上下疊放的 V 型梁，所述每組 V 型彎曲梁組件的所 有 V 型梁同中心，且同時固定在一個固定塊上；兩組 V 型彎曲梁組件通過連接桿與固定在一個杠桿的 一端，所述杠桿另一端設有壓電陶瓷，壓電陶瓷的上下斷面分別是接電的上電極和下電極。本發明可以 感應極其微小的溫度變化并且將之轉換為較大的電信號輸出，能夠顯著
武漢大學
2021-04-14
DT640-BC型裸片溫度計硅二極管低溫溫度傳感器錦正茂科技
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-11-17
中國海洋大學服務器、圖形工作站、相機等設備采購項目（二次）競爭性磋商
中國海洋大學服務器、圖形工作站、相機等設備采購項目（二次）競爭性磋商
中國海洋大學
2022-06-02
市科技局關于天津市應用基礎研究多元投入微處理器設計項目擬立項項目的公示
經專家評審等程序，市科技局局長辦公會審議通過了天津市應用基礎研究多元投入微處理器設計項目擬立項項目，現予以公示。
基礎研究處
2023-07-19