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一種摻雜鋅和鈷的氫氧化鎳/碳納米復合材料及其制備方法和應用
一種摻雜鋅和鈷的氫氧化鎳/碳納米復合材料，包括碳材料粉末基底和負載在碳材料粉末基底上的摻 雜鋅和鈷的氫氧化鎳，所述碳材料粉末的質量百分比為 1wt.％～99wt.％，所述鎳、鋅和鈷的摩爾比為 80-98：1-10：1-10。其制法為：將碳材料粉末與溶劑加入到反應器中，超聲波振動處理，得到充分潤濕 的碳材料；將鎳鹽、鈷鹽及鋅鹽加入到超純水中，配制成混合反應溶液；將混合反應溶液加入到充分潤 濕的碳材料中，以噴霧的方式加入強堿水溶液，過濾，洗滌、干燥
武漢大學
2021-04-14
一種基于石墨烯/介孔碳納米復合材料的 高效生物傳感器及其制備方法
本發明提供一種基于石墨烯/介孔碳納米復合材料生物傳感器及其制備方法。本發明包括采用水熱合 成法制備石墨烯/介孔碳納米復合材料，將其作為吸附酶固載材料；采用生物傳感及電化學原理，通過將 絲網和噴墨印刷相結合的方法制作檢測試紙，絲網印刷用于印制導電線路，采用非接觸的噴涂方式將敏 感生物元件噴印到電極支持物上，其中噴涂材料的噴涂量和噴涂面積可以控制。納米復合載體材料是在 石墨烯片層的兩面生長介孔碳，制成石墨烯/介孔碳復合材料，將其作為載體固載酶，與生
武漢大學
2021-04-14
王紹金教授團隊在低水分食品致病菌射頻與熏蒸聯合處理技術取得新進展
近日，機電學院王紹金教授團隊在學校G2期刊《InternationalJournalofFoodMicrobiology》上發表題為“Combinedeffectsofintermittentradiofrequencyheatingwithcinnamonoilvaporonmicrobialcontrolandqualitychangesofalfalfaseeds”的論文。博士研究生徐淵美為論文第一作者，王紹金教授為論文通訊作者。
西北農林科技大學
2022-07-11
喜迎二十大 | 管培俊：高質量的高等教育是億萬人民的期待
我們熱切地期望二十大之后，我國高等教育的發展實現新的歷史性跨越。
人民政協報
2022-10-12
可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法
本發明公開了一種可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質結，構成完整的器件。本發明在藍寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結晶度，提高電學性能，有效消除晶體質量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結區的剩余電子，增加ＺｎＯ區載流子復合效率，實現純ＺｎＯ紫外發光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質結發光二極管，發光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學
2021-04-11
一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途
本發明公開了一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進行操作實現非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進行操作實現非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學
2021-04-11
一種去除甲醛用天然沸石負載CuO納米管復合材料的制備方法
本發明屬于材料制備領域，具體為一種去除甲醛用天然沸石負載CuO納米管復合材料的制備方法。首先，用鹽酸對天然沸石進行處理，并水浴加熱，攪拌、過濾、洗滌、干燥，熱處理后制備出性能穩定的天然沸石，然后，結合浸漬工藝將天然沸石浸漬在氯化銅溶液中，以四甲基乙二胺為絡合劑，CTAB為軟模板，葡萄糖為還原劑，采用水熱法制備天然沸石負載Cu納米線，最后，采用熱處理法制備天然沸石負載CuO納米管復合光催化材料。該工藝過程簡單，成本低，便于實現，制備的天然沸石負載CuO納米管復合材料比表面積大，易于回收，吸附降解性能好。
天津城建大學
2021-04-11
一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管
本發明公開了一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管，包括：由下而上依次設置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯合
東南大學
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管
本發明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管，包括：由下至上依次設置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導電層，在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型
東南大學
2021-04-14
一種基于分形維數的碳納米管分散狀態的數值化表征方法
本發明屬于納米復合材料制備及應用領域，具體公開了一種基 于分形維數的碳納米管分散狀態的數值化表征方法。該方法首先通過 獲取分散體系中碳納米管分散狀態的掃描電鏡圖片，然后采用圖像處 理軟件(ImageJ)將所得掃描電鏡圖片進行二值化處理，再提取出圖片中 單根碳納米管或者碳納米管團聚體的邊界輪廓，最后利用盒子算法計 算處理后圖片的分形維數，所得的分形維數值即是對碳納米管分散狀 態中豐富信息的定量化描述，從而實現分散體系中
華中科技大學
2021-04-14