一種在 SOI 硅片上制備微機(jī)械懸空結(jié)構(gòu)的方法
本發(fā)明公開了一種在 SOI 硅片上制備微機(jī)械懸空結(jié)構(gòu)的方法。對懸空結(jié)構(gòu)及其固定結(jié)構(gòu)采用不同的槽寬設(shè)計(jì),其中,固定結(jié)構(gòu)的槽寬明顯大于懸空結(jié)構(gòu),寬槽底部經(jīng)刻蝕首先到達(dá)或更加接近 SiO2 層,再通過各向同性干法刻蝕使窄槽底部相互連通并與窄槽下方的 Si 層分離,將窄槽間的梁釋放,形成具有平整底面的懸空結(jié)構(gòu),同時(shí)去除固定結(jié)構(gòu)與懸空結(jié)構(gòu)連接區(qū)底部的 Si 以及固定結(jié)構(gòu)與其它結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域底部的 Si,使得固定結(jié)構(gòu)與窄槽下方的 Si 層及其它結(jié)構(gòu)隔離,從而使不同的固定結(jié)構(gòu)間相互絕緣。本發(fā)明的方法簡單有效,能廣
華中科技大學(xué)
2021-04-14