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一種基于光學天線的片上無線光通信系統
本發明公開了一種基于光學天線的片上無線光通信系統，現有關于光學頻段天線的發明與研究多是基于諸如透鏡、反射鏡等傳統光學器件，這些設計只適用于較大的光學范圍。本發明利用金屬光學天線自身的定向輻射特性，采用片上系統集成的方式，將光學天線發射基站、反射單元、光學天線中繼單元以及光學天線接收終端構成基于光學天線的片上無線光通信系統。該系統能夠大大降低通信網絡中器件的串擾與功耗，同時使得系統空間響應大大減小達到亞波長量級，進而提高整個光纖通信網絡的傳輸帶寬與響應速度。
浙江大學
2021-04-11
一種汽車剎車片厚度實時檢測系統及其檢測方法
簡介：本發明公開了一種汽車剎車片厚度實時檢測系統及其檢測方法，屬于汽車剎車系統領域。本發明的剎車卡鉗上均設置有兩個渦流傳感器，用于實時檢測剎車片的厚度信號，渦流傳感器與采樣電阻、傳感器電源開關依次串聯后接入傳感器電源兩側，通過采樣電阻將渦流傳感器采集的電流信號轉換為電壓信號，并將采樣電阻接入信號處理模塊的輸入端，信號處理模塊用于計算剎車片的厚度，顯示模塊與信號處理模塊相連接，用于顯示剎車片的厚度信息，且信號處理模塊的輸出端接有聲光警報裝置。本發明結構簡單，測量精度高，相比接觸式開關原理的剎車片磨損檢測系統，能夠提供更多的關鍵信息，而且實施方便，通用性高，增加了駕駛員的安全掌控能力。
安徽工業大學
2021-04-13
一種微機電系統的圓片級真空封裝工藝
一種微機電系統的圓片級真空封裝工藝，屬于微機電系統的封裝方法，解決現有基于薄膜淀積真空封裝工藝所存在的淀積薄膜較薄、腔體小，容易損壞，以及封裝器件存在真空泄露、使用壽命降低的問題。本發明順序包括：淀積吸氣劑步驟；淀積薄犧牲層步驟；淀積緩沖腔犧牲層步驟；淀積厚犧牲層步驟；制作封裝蓋步驟；刻蝕釋放孔步驟；去除犧牲層步驟和密封步驟。本發明解決了現有封裝方法存在的真空保持時間短，密封質量低，封裝尺寸大，工藝與標準 IC 工藝不兼容，成本高的問題，從而保證最里面的腔體氣壓；同時成本少于基于圓片鍵合工藝的真空封
華中科技大學
2021-04-14
芊生緣牌沙棘綠豆排鉛咀嚼片(暫定名)
我國保健食品發展很迅速，與鉛中毒―防重于治‖發展趨勢吻合的 排鉛消食保健食品將成為新經濟增長點。該產品經具有國家保健食品評價資質的湖南疾病預防控制中心 動物功能評價結果提示對動物具有促進排鉛的功能，人體試食提示具 有促進排鉛功能，安全性評價提示 30 天喂養對大鼠未見明顯毒副作 用。該產品除了具有排鉛的功能還有消食的功能。該產品 2015 年已經報國家保健食品審評中心評審，根據 2018 年 5&nbs
蘭州大學
2021-04-14
芊生緣牌沙棘綠豆排鉛咀嚼片(暫定名)
該產品經具有國家保健食品評價資質的湖南疾病預防控制中心動物功能評價結果提示對動物具有促進排鉛的功能，人體試食提示具 有促進排鉛功能。
蘭州大學
2021-01-12
抗工藝漲落的自修調集成電路片上振蕩器
本發明公開了一種抗工藝漲落的自修調集成電路片上振蕩器，包括集成于同一芯片的用于產生基準脈沖的基準振蕩單元，用于產生輸出脈沖的待修調振蕩單元，以及用于接收基準脈沖和輸出脈沖，并根據接收到的基準脈沖和輸出脈沖向待修調振蕩單元發出相應的修調信號，控制待修調振蕩單元對輸出脈沖進行頻率修調的自修調邏輯控制單元。由可片內集成的基準振蕩單元提供頻率調修所需的基準脈沖，并在修調完成后關閉基準振蕩單元，實現了輸出頻率的片內自修調，避免片外修調，有利于降低芯片制備成本。且硬件結構簡單，容易實現，并在不修調時，關閉基準振蕩單元，降低芯片的功耗。
浙江大學
2021-04-13
一種噴射沉積成形制備大塊非晶合金的方法
霧化噴射沉積成形技術近年來被廣泛用于研究和發展高性能的快速凝固材料。該技術最突出的創新點在于，將液態金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進的過程。在多年研究噴射成形技術的基礎上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結果表明，沉積態La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區寬度DTx和約化玻璃轉變溫度Trg均高于單輥旋轉熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6?！案呷埸c高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術”，獲中國有色金屬工業科學技術獎一等獎（2003.12）。
北京科技大學
2021-04-11
晶圓級二維半導體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管?；诰A級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學
2021-04-11
一種超硬非晶碳薄膜的制備裝置和工藝
項目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學特性，在碳基薄膜中，是目前國際上公認的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達97%，吸收紫外光，達98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達0.2nm，摩擦系數≤0.08，電阻率達（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機滑塊，滑動環等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測量的靈敏度。
西安交通大學
2021-04-11
淺色導電納米晶須及白色復合導電纖維的制備技術
成功開發具有自主知識產權的新型淺色導電晶須，用晶須替代納米顆粒作為 基體制備導電填料加入纖維基體中，具有比導電超細顆粒更好的分散性，而且由 于晶須是棒狀結構，分散在纖維中可以通過搭接的方式首尾相接，更利于纖維導 電。淺色導電晶須的開發研究對白色導電纖維的制備提供了理論和實踐基礎，葛 明橋教授團隊開發的白色導電纖維經檢測達到 109?（熔融紡絲）和 106?（濕法 紡絲）達到導電纖維要求，是國內導電纖維領域的一項重大突破，可提高白色導 電纖維自產率，應用前景廣闊。 2 關鍵技術 （1）將高速攪拌與化學共沉積法結合，制備出的淺色導電二氧化鈦納米晶 須的電阻率達到了 103 ??cm。 （2）將納米晶須添加入紡絲液中，通過濕法紡絲方法制備出復合導電纖維，315 該種纖維的電阻達到了 106?。 （3）與企業合作制備導電母粒，進而通過熔融紡絲方法制備出各種復合結 構的導電纖維，該種纖維的電阻達到了 109?。 3 知識產權及項目獲獎情況 發表學術論文 9 篇；申請專利 6 項 4 項目成熟度 建立了 50L 的納米晶須合成反應釜，實現產業化生產 5 投資期望及應用情況 目前已與部分企業合作，成功制備該導電材料并應用于化纖、纖維素等。
江南大學
2021-04-13