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一種ZnGeP2晶體的腐蝕劑，由冰醋酸、氫氟酸、硝酸、碘和純凈水配制而成，冰 醋酸、氫氟酸、硝酸、純凈水的體積比為：冰醋酸∶氫氟酸∶硝酸∶純凈水＝1∶2∶2∶ 1，碘的質(zhì)量∶冰醋酸體積＝4∶1。一種ZnGeP2晶體的腐蝕方法，使用上述腐蝕劑，工 藝步驟依次為：(1)腐蝕，將ZnGeP2晶片浸入腐蝕劑中，在超聲波振蕩下于常壓、室 溫腐蝕4～16分鐘取出；(2)清洗，將從腐蝕劑中取出的ZnGeP2晶片浸入反應(yīng)終止液 中擺動清洗終止反應(yīng)，再用純凈水清洗至中性，所述反應(yīng)終止液由質(zhì)量濃度5％的NaOH 和質(zhì)量濃度為3％的Na2S2O3配制而成，NaOH與Na2S2O3的體積比＝1∶1；(3)干燥。

項目簡介 本泵過流部件為內(nèi)襯陶瓷、外加水泥隔離層，采用兩級葉輪與導(dǎo)葉。泵進液口在軸 密封同向，軸密封處在低壓環(huán)境下；應(yīng)用范圍廣泛：該泵備有多種可以互換的襯里材料， 可以適用各種化學(xué)性質(zhì)的腐蝕性、磨蝕性清液和料漿的輸送，而且各種不同材料的備件 互換性能好，用戶調(diào)整極為方便。雙級耐腐耐磨料漿泵的耐磨性好，為以較低的單個葉 輪線速度，獲得較高的泵出口壓力，從而克服了單級料漿泵為增加壓力而增加線速度， 而導(dǎo)致葉輪、泵殼磨損加劇的缺點，有效提高了葉輪、泵蓋等磨損件的使用壽命。175 性能指標

簡介：本發(fā)明提供一種超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調(diào)制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結(jié)構(gòu)多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的

晶硅太陽電池生產(chǎn)仿真實訓(xùn)讓學(xué)員以車間技術(shù)人員的身份參與整條晶硅太陽電池產(chǎn)線的生產(chǎn)工作。學(xué)員可以按標準生產(chǎn)流程操作車間生產(chǎn)設(shè)備、檢測生產(chǎn)樣品以及對電池生產(chǎn)進行工藝仿真，從而深刻了解整個太陽電池生產(chǎn)流程以及關(guān)鍵工藝參數(shù)。 一.1.1. 場景設(shè)計 場景由制絨車間、擴散車間、后清洗車間、PECVD鍍膜車間、絲網(wǎng)印刷車間和分選包裝車間六大場景組成。場景素材從多個真實工廠采集而來，高保真還原車間設(shè)備與生產(chǎn)流程 場景模型主要包括：潔凈車間、制絨機、自動上下料機、硅片、電子天平、分光光度計、電源柜、水冷機、空壓機、化學(xué)液柜、電腦，鍵盤、鼠標、擴散爐、石英舟、插片房、傳遞窗、純水箱、石英舟清洗槽、防毒面具、試驗臺、緩沖墊、防化服、源瓶、氣柜、硅槳、方阻測試儀，萬用表，石墨舟、PECVD鍍膜機、舟車、烘箱、全自動絲網(wǎng)印刷機、網(wǎng)版、刮刀、攪拌機、槳料、夾具、接觸電阻測試儀、燒結(jié)爐、IV分選儀、硅片盒、五格花藍等... 一.1.2. 互動設(shè)計 第一人稱視角控制主角場景漫游，學(xué)員可以在三維空間中自由活動和觀察場景中的物體。 拾取物體操作采用3D空間實際抓取的方式，沒有采用一般游戲中的背包欄方式，而當需要同時拾取多個物體時則提供3維工具用于裝放，采取這種方式會更加接近現(xiàn)實，使學(xué)員更真實的體驗實際工具的存放及使用的技巧。 各生產(chǎn)車間按照真實生產(chǎn)流程設(shè)計實訓(xùn)生產(chǎn)任務(wù)，完成當前任務(wù)后才能進入下一個任務(wù)，每個任務(wù)記錄完成時間以及工藝仿真結(jié)果 縮略地圖實時顯示角色位置與任務(wù)點位置 第一人稱視角與特寫觀察視角無縫平滑撤換 機器與設(shè)置仿真控制，通過機器控制面板設(shè)置工藝參數(shù)，控制啟動生產(chǎn)，檢測生產(chǎn)結(jié)果 表單填寫與作業(yè)報告生成 使用儀器與設(shè)備檢測生產(chǎn)樣品 操作規(guī)程與關(guān)鍵知識點主動提示學(xué)習(xí) 原理動畫演示

“一種化學(xué)浴沉積擇優(yōu)取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。現(xiàn)有方法一般對設(shè)備要求較高，需要比較復(fù)雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴重影響Cu2O薄膜的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡(luò)合；調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應(yīng)1.0h～3.

年青煤 (泥炭、褐煤、風化煤) 中存在的黃腐酸是天然生物技術(shù)和地球物理化學(xué)的產(chǎn)物， 采用現(xiàn)代生物技術(shù)提取泥炭蛋白、萜類、甾類等化合物，結(jié)合分子印跡技術(shù)研制藥用級的黃 腐酸，于抗病毒、抗腫瘤、抗白血病、抗關(guān)節(jié)炎、提高免疫T、B細胞方面已通過動物應(yīng)用試 驗，由ID、ED等指標顯示效果顯著。 

本發(fā)明屬于納米材料領(lǐng)域，特別涉及一種錐形的非晶的SiO2納米線及其制備方法。本發(fā)明提供的錐形SiO2納米線如圖1所示，形貌上納米線根部直徑300nm~600nm，高度2~4um，對于一根納米線，隨高度增加，直徑逐漸減小，成圓錐形，圓錐角4~15°且可以通過調(diào)控原料的量使得納米線直徑，高度以及錐角發(fā)生變化。成分上Si和O，不含催化劑。所述方法的工藝步驟為：（1）生長基底及載物盤的清洗；（2）半封閉勢井形氣流裝置的組合（3）錐形SiO2納米線的生長。在通流動載流氣體條件下將高溫區(qū)管式爐升溫至1250°，爐內(nèi)壓強保持在0.04~0.06Mpa，然后在上述溫度和壓強保溫2~5h，保溫時間屆滿后，所述生長基底上即生長出錐形SiO2納米線；所述載流氣體為H2和Ar組成的混合氣體，H2的體積百分數(shù)為3~7%，Ar的體積百分數(shù)為93~97%。

【產(chǎn)品信息】 顯色：≥ 80 功率：40W 色溫： 4000K / 5700K 產(chǎn)品尺寸： 1198*298*30mm 【產(chǎn)品優(yōu)勢】 微晶防眩 高顯指 直角邊框，可嵌入，可吊裝 專業(yè)護眼，綠色環(huán)保，節(jié)能省電

【產(chǎn)品信息】 顯色：≥ 80 功率：40W 色溫： 4000K / 5700K 產(chǎn)品尺寸： 598*598 mm 【產(chǎn)品優(yōu)勢】 微晶防眩 高顯指 直角邊框，可嵌入，可吊裝 專業(yè)護眼，綠色環(huán)保，節(jié)能省電

介紹了具有抑制鋰枝晶生長和多硫化鋰（Li 2