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用Bi/Mo/Co/Ce/Fe五組分復合氧化物催化劑移動床合成1,3-丁二烯的方法
（專利號：ZL 201510685135.0） 簡介：本發明公開了一種用Bi/Mo/Co/Ce/Fe五組分復合氧化物催化劑移動床合成1,3?丁二烯的方法，屬于化學化工技術領域。本發明將制備好的五組分復合氧化物催化劑置于移動床反應器中，并將混合氣導入反應器中，保持一定空速和催化劑床層溫度進行反應，得到1,3?丁二烯產物，反應催化劑逐漸移動至再生反應器，并向移動床反應器中補充新鮮催化劑。本發明采用Bi、Mo、Co、Ce、Fe和去離子水按照一定摩爾比配置，堿液調節pH值，經濃縮、過濾、干燥、焙燒、冷卻后，再通過研磨、篩分得到Bi/Mo/Co/Ce/Fe。與傳統的工藝不同的是：根據本發明，調節催化劑中金屬Co、Ce、Fe的含量就可以制得用于1,3?丁二烯制備工藝的高活性、高選擇性五組分復合氧化物催化劑。
安徽工業大學
2021-04-11
一種對于二氧化碳 (CO2) 還原反應具有高選擇性和活性的電催化劑
開發出了一種基于鈷酞菁（CoPc）分子的高性能CO 2 還原電催化劑材料。在納米尺度上，CoPc分子通過強π-π相互作用均勻的附著在碳納米管(CNT)外壁上，形成CoPc/CNT復合物。與CoPc分子相比，該復合物電催化劑顯著提高了CO 2 還原為一氧化碳（CO，一種在大規模化工產品制造中廣泛應用的重要工業氣體）反應的電流密度并有效改善了催化劑的選擇性以及穩定性。在0.1 M 碳酸氫鉀 (KHCO 3 ) 電解質中進行電催化CO 2 還原時，CoPc/CNT復合催化劑能夠在0.52 V的過電勢下穩定地維持10mA cm -2 左右電流密度10小時以上，并且CO的法拉第效率始終保持在90%以上。在分子水平上，通過在CoPc分子上引入氰基（CN）,得到的CoPc-CN/CNT復合物電催化劑在0.1M KHCO 3 水相電解質中催化CO 2 還原為CO的法拉第效率在研究的電勢區間內都達到95%以上。該CoPc-CN/CNT電催化劑能夠在0.52V過電勢下進一步提高CO 2 還原的電流密度至15mAcm -2 ，轉化頻率（Turnover Frequency, TOF）為4.1s -1 。該復合催化劑在電催化CO 2 還原中能夠實現較高的電極電流密度(可媲美當前最好的非均相電催化劑)，同時維持單個催化位點的高活性(可媲美當前最好的分子體系電催化劑)。該項研究表明這種分子/納米碳復合材料是一類非常誘人的能夠轉換過剩排放CO 2 為可再生燃料的電催化劑材料。
南方科技大學
2021-04-13
翼緣摩擦型形狀記憶合金桿自復位鋼框架梁-邊柱節點
本發明公開了一種翼緣摩擦型形狀記憶合金桿自復位鋼框架梁?邊柱節點，包括鋼柱、位于鋼柱一側的鋼梁、橫穿過鋼柱的形狀記憶合金桿、位于鋼梁翼緣內側的L型支架、位于鋼梁腹板中間位置的剪切板、位于鋼梁翼緣外側的摩擦耗能器；摩擦耗能器包括設置在鋼梁翼緣外側的鋼板、填充于鋼板和鋼梁翼緣之間的耗能摩擦片、以及穿過鋼梁翼緣并將所述鋼板、耗能摩擦片、L型支架連接在一起的高強螺栓。本發明可以顯著提升節點的穩定耗能能力，同時利用形狀記憶合金的超彈性，以實現節點的自復位性能；通過合理設計節點構造，以提高節點處樓板布置的便利性和構件的可更換性，并加強鋼梁翼緣抵抗局部屈曲變形的能力。
東南大學
2021-04-11
一種增加管嘴壁厚的鋁合金氣瓶的收口方法
（專利號：ZL 201510658070.0） 簡介：本發明公開一種增加管嘴壁厚的鋁合金氣瓶的收口方法，屬于旋壓成形技術領域。該方法區別于傳統的有芯模和無芯模旋壓，在此方法中先對管材進行幾個道次的無芯模半橢圓或圓軌跡收口，在管件的端部形成圓形空腔后，使用芯棒控制管嘴內徑并旋壓收口，最后在通過幾個道次的旋壓完成收口成形。本發明的工藝方法可以使得管嘴處的厚度得到有效控制，管嘴厚度分布均勻，內部的圓度好，有利于口部攻螺紋，同時也可以使得管嘴圓弧處的厚度有明顯的增加，有效的避免了此處由于厚度不足帶來的質量缺陷，提高了氣瓶使用的安全性與可靠性。
安徽工業大學
2021-04-11
高耐腐蝕性熱浸鍍Zn-Al-Mg合金材料
一、研究背景
熱浸鍍鋅是用于鋼鐵材料腐蝕防護最主要的方法之一。為了應對現代科技對鋼鐵耐腐蝕性日益增長的要求，歐美、日韓等一些發達國家先后研發出了一批具有高耐腐蝕性的熱浸鍍用Zn-Al系合金材料（見表1），尤其是Zn-Al-Mg合金具有優異的耐腐蝕性，如日本新日鐵公司開發的SuperDyma合金鍍層，耐蝕性大約為普通純鋅鍍層的15倍以上，可與部分不銹鋼相媲美，但是成本遠低于不銹鋼產品，具有極大的市場價值。
我國是世界上最大的熱鍍鋅板生產國，而山東省的熱鍍鋅板產能位居全國第一，但絕大部分為普通鍍鋅板，以及少量的鍍鋁鋅硅板產品。因此，研究和開發高耐腐蝕性Zn-Al-Mg合金鍍層材料，對山東省鋼鐵材料產業的轉型升級具有非常重要的經濟和社會價值。
二、項目內容
本項目系統研究了Ti, Sb元素對熱浸鍍Zn-11Al-3Mg合金組織與性能的影響。通過XRD對Zn-11Al-3Mg-Ti-Sb合金試樣進行了物相分析，通過SEM和EDS觀察和分析了合金試樣的組織結構，通過洛氏硬度計測量分析了合金試樣的硬度性能，通過電化學阻抗分析和電化學極化分析，研究了不同含量Ti、Sb元素對合金耐腐蝕性能的影響，并在實驗室進行了鋼板熱浸鍍實驗。
三、項目產業化可行性分析
前已述及，本項目市場前景非常廣闊，目前日韓等國生產的熱浸鍍Zn-Al-Mg板材在國內市場已有銷售，售價比國內普通熱鍍鋅板貴一倍以上，產品增值極為顯著。本項目技術創新達到了國內領先水平，已經獲得國家發明專利授權（圖4），技術轉化條件趨近成熟，實驗室也進行了小批量的熱浸鍍實驗。我們希望與省內具有較強實力的熱浸鍍板生產廠家進行合作，繼續完成相關性能的測試和中試試驗，早日實現該項目的產業化生產。
四、項目負責人及團隊簡介
項目負責人：周國榮，博士，副教授，目前主要從事金屬板材涂鍍材料的研究，承擔山東省重點研發計劃1項，完成山東省博士基金1項，同時參與了多項國家和省部級項目的研究，已發表SCI/EI收錄的研究論文20余篇，已獲國家發明專利授權3項，曾于2011年10月赴韓國國立慶尚大學訪學1年；
項目組成員包括教授1人、副教授2人、講師2人、碩士研究生2人，秉持嚴謹踏實、團結協作的精神，致力于實踐“學以致用、學有所用”的宗旨，期望發揮高校科研能力強之長，增補企業研發力量弱之短，努力實現產學研緊密結合，將實驗室的科研能力轉化為企業的產品競爭力，為祖國早日成為世界制造強國添磚加瓦！
濟南大學
2021-05-11
一種在超細鎢絲表面電沉積鋁鎂合金薄膜的方法
本發明提供了一種在超細鎢絲表面電沉積鋁鎂合金薄膜的方法。該方法克服了在有機溶劑、離子液體體系中電沉積鋁鎂合金薄膜存在鍍液體系不穩定，原料成本高昂，鍍液配置不易，使用壽命較短，制得的鋁鎂合金薄膜中鎂含量較低等問題。該方法在低溫無機熔鹽體系中，氯化鋁和氯化鎂作為主鹽，氯化鈉和氯化鉀作為支持電解質；以超細鎢絲作為電沉積陰極，鋁為陽極，控制電鍍溫度，電鍍時間以及電流密度，在惰性氛圍保護下進行鋁鎂合金薄膜在超細鎢絲表面的電沉積。
電子科技大學
2021-04-10
使用中間層擴散制備多層非晶合金與銅復合結構的方法
本發明公開了一種使用中間層擴散制備多層非晶合金與銅復合 結構的方法，包括如下步驟：對非晶合金和銅片進行切割、研磨、拋 光和清洗，同時用刀片將中間層劃分成規定的尺寸，對非晶合金薄片， 中間層以及銅薄片進行組裝和固定，以形成固定后的工件，將固定后 的工件放進真空擴散爐中，使中間層溶解于非晶合金薄片與銅薄片中實現擴散焊接。本發明使用中間層能夠降低擴散溫度，使得非晶合金 薄板在擴散后中仍然保持非晶態。復合結構具有非晶合金的強度和銅 的韌性，能阻斷非晶合金塑性變形時剪切帶的延伸，從而避免了純非 晶合金材料容易脆斷的問題，增強抗剪切能力，焊接后薄片表面質量 高，連接可靠。
華中科技大學
2021-04-11
一種抗高溫氧化耐磨鈷基合金絲材及其制備方法
本發明公開了一種抗高溫氧化耐磨鈷基合金絲材及其制備方法。合金刷絲成分為Ｃｒ １３～１７％、Ｎｉ １１～１５％、Ｗ １０～１４％，Ｍｏ ２．４～４．３％、Ａｌ １．２～１．６％、Ｔｉ ２．８～３．６％，Ｎｂ ０．１～０．５％、Ｔａ １．２～１．８％、Ｒｅ ０．０３～０．０６％、Ｃｅ ０．０１～０．０５％、Ｃ ０．０２～０．１％、Ｂ ０．００５～０．０１５％、Ｚｒ ０．０２～０．０７％、Ｃｏ為余量。該合金的制備工藝路線為：真空熔煉?重熔?鍛造?熱軋?拉拔?固溶處理?時效處理。將原材料按質量百分比配料熔煉
東南大學
2021-04-14
一種鋁合金低壓鑄造用金屬型涂料及其制備方法
本發明公開了一種鋁合金低壓鑄造用金屬型涂料，其包括硅-鋁 -鉻三元復合溶膠、磷酸鹽粘結劑、耐火粉料、乙酰丙酮、消泡劑、分 散劑、附著力促進劑、流平劑及防沉降劑。所述硅-鋁-鉻三元復合溶膠、 所述磷酸鹽粘結劑、所述耐火粉料、所述乙酰丙酮、所述消泡劑、所 述分散劑、所述附著力促進劑、所述流平劑及所述防沉降劑的質量比 為 1 ： (0.2 ～ 0.6):0.15:0.02:0.005:0.03:0.01:(0.0055 ～ 0.006)
華中科技大學
2021-04-14
一種成分連續漸變的半導體合金薄膜及其制備方法和應用
本發明公開了一種成分連續漸變的半導體合金薄膜及其制備方法和應用，其中該薄膜的特征有：薄膜為三元硫硒化合物合金，硒成分在 X 軸方向能夠連續漸變，在 Y 軸方向和 Z 軸方向基本不變；該成分連續漸變的半導體合金薄膜作為良好的光吸收層被用于薄膜太陽能·831·電池陣列和光電探測器。其制備方法包括：(1)選取沉積襯底；(2)準備蒸發源；(3)制備半導體合金薄膜。本發明提出的方法能夠在同一條件下沉積成分大范圍連
華中科技大學
2021-04-14