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孫晶茹
孫晶茹，女，博士，湖南大學信息科學與工程學院通信工程系副教授，碩士研究生導師。2004年碩士畢業于東北大學計算機軟件與理論專業，并于當年進入湖南大學信息科學與工程學院工作。2014年博士畢業于湖南大學計算機科學與技術專業。2016年3月—2017年3月，英國赫特福德大學訪學。主要從事憶阻器存算一體電路設計、圖像加密技術，智慧交通等方向的研究工作。近年來發表SCI檢索論文20余篇，主持國家自然科學基金面上項目一項，湖南省自然科學基金項目2項，湖南省科技計劃項目1項，參與國家自然科學基金項目及其他省部級項目多項。
孫晶茹
2021-12-31
北京晶品賽思科技有限公司
北京晶品賽思科技有限公司
2025-03-25
二維Bi2O2Se超快高敏紅外芯片材料
具有超高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定和可批量制備特點的全新二維半導體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現出優異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(從可見光到1700 nm短波紅外區)，并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區1200nm處靈敏度高達~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩定性，完全可暴露于空氣中存放數月且保持穩定。
北京大學
2021-04-11
原位熱壓燒結工藝制備致密ＺｒＯ２／Ｔｉ２ＡｌＮ復合材料
研發階段/n原位熱壓燒結工藝制備致密ＺｒＯ２／Ｔｉ２ＡｌＮ復合材料 本發明是原位熱壓燒結工藝合成致密ＺｒＯ２／Ｔｉ２ＡｌＮ復合塊體材料。原料組成及成分范圍為：以Ｔｉ粉、Ａｌ粉、ＴｉＮ粉的摩爾比為ｎ（Ｔｉ）∶ｎ（Ａｌ）∶ｎ（ＴｉＮ）＝１∶（０．８～１．４）∶１，ＺｒＯ２粉的摻入量為５～４０ｖｏｌ％。本材料由原位熱壓燒結工藝制成，其步驟包括：按配比稱取原料，原料混合均勻后，置于石墨模具中，在熱壓燒結系統中的真空環境下進行燒結，真空度為１０－２Ｐａ；升溫速度為５～８０℃／ｍｉｎ，燒結溫度為１２００～１４
湖北工業大學
2021-01-12
一種大塑性非晶基復合材料的制備方法
本發明公開了一種非晶基復合材料的制備方法，其特征在于， 包括：將片狀非晶合金與增韌第二相材料交替層疊后置于夾具中，其 中所述增韌第二相為板狀且上下表面開有陣列通孔的結構；在恒壓或 漸增載荷的條件下，對層疊的非晶合金及多孔板加熱，同時對其實施 超聲振動，非晶合金迅速軟化并被壓入第二相增韌板的孔中，使得非 晶相合金與增韌第二相的界面冶金良好結合，而且成形過程中不會發 生晶化，從而獲得塑形良好的非晶合金復合材料。本發明還公
華中科技大學
2021-04-14
一種制備/成形非晶合金及其復合材料的方法
本發明公開了一種利用選區激光熔化制備非晶合金及其復合材 料零件方法，運用這種方法，可以制備出尺寸較大、形狀復雜、強度 較高、成分均勻、晶化較少的非晶合金及其復合材料零件。該方法具 體包括如下步驟：(1)非晶粉末制備，(2)非晶復合粉末制備，(3)零件模 型準備，(4)基板安裝，(5)氣氛保護，(6)紅光定位，(7)激光加工，(8) 熱處理。本發明將選區激光熔化(Selective-Laser-Melting,SLM)技術運用
華中科技大學
2021-04-14
自增強 6 型雜 化串晶改性聚丙烯材料及制品
項目簡介： 常規聚丙烯 ( PP) 材料存在強度低、韌性差、單位體積質量難以進一步降低等缺陷。本項目基于這一現狀，利用分子
西華大學
2021-04-14
Ag/SnO2復合材料的制備方法
本發明涉及銀基復合材料的制備，旨在提供一種Ag/SnO2復合材料的制備方法。該方法包括：在攪拌條件下將氨水與SnCl4·5H2O的酸性水溶液同時滴加到WC懸浮水溶液中反應后，將懸浮液過濾、洗滌，真空干燥后煅燒，獲得具有核殼包覆結構的復合SnO2顆粒；將顆粒與銀粉球磨混合均勻得到混合粉體；將混合均勻后的粉體通過等靜壓壓制成坯體，然后依次經過燒結、復壓、復燒工藝，最后熱擠壓成型獲得Ag/SnO2復合材料。通過本發明制備獲得的Ag/SnO2復合材料，一方面保證了復合顆粒具有與SnO2相類似的優良特性，另一方面可以通過調整SnO2和WC的復合比例有效克服傳統電接觸材料在使用過程中因成分偏析導致的性能劣化，進而消除經長期使用后接觸電阻增大、溫升提高對電氣使用性能的不利影響。
浙江大學
2021-04-11
2D材料寬光譜光探測器
在這種獨特的vdW p?g?n結中，互補帶隙的MoTe2和SnS2、石墨烯夾層、結內形成的垂直內置電場的組合為增強的寬帶光吸收、高效的激子分離和載流子轉移提供了無可比擬的優勢。研究發現，石墨烯夾層在增強探測率和拓寬光譜范圍方面起到關鍵作用(圖2e)。優化的器件(包含5?7層石墨烯夾層)在紫外?可見?近紅外光譜中顯示出超過2600 A/W的光響應度(圖2b)、快的光響應速度(圖2c)、高達1013 Jones的比探測率 (圖2d)。特別是在1550 nm短波紅外激發下，其比探測率也高達1.06×1011 Jones，可媲美商業的短波紅外探測器(譬如非??制冷的Ge-on-Si光電探測器)。 這些研究結果為寬帶的超高性能光電探測器提供了切實可行的思路，且本研究成果在目前寬光譜光電探測器件方面以及未來的柔性的光電子與智能傳感器件方面具有極大的應用潛力。
南方科技大學
2021-04-13
Sb2Te3(GeTe)n基熱電材料
研究中發現，通過適當的退火工藝，可以有效調控Sb2Te3(GeTe)n基材料中陽離子缺陷的類型，該工作運用球差矯正電子顯微鏡的原位觀測技術及高角暗場掃描透射電鏡技術（in situ/HAADF-STEM）等, 通過比對退火前后的樣品及在電鏡下模擬退火過程，清楚地追蹤到樣品中陽離子缺陷由短程的點缺陷聚集演化成長程的面缺陷的過程，使得調控樣品內載流子濃度降低到合適的程度，最終達到優化材料性能的目的。? 該項工作使得Sb2Te3(GeTe)n基熱電材料的總體性能大幅提升。據悉，熱點材料優值ZT越高，其轉換效率越高。在溫度達到773K時，熱電材料優值ZT達到了2.4，在323~773K較寬的工作溫度區間內，材料的平均ZT高達1.51，能夠滿足中溫區熱電材料在商業應用中對性能的需求，有望解決Sb2Te3(GeTe)n基熱電材料效率較低的問題。 本研究成果在目前熱電材料亟待推廣的低品位廢熱發電方向以及未來有可能實現的可穿戴自驅動電子器件與智能傳感設備方面有較大的應用前景。
南方科技大學
2021-04-13