葡京娱乐场-富盈娱乐场开户

本發明涉及一種在泡沫炭材料表面原位合成Si3N4涂層的方法，屬于新材料技術領域。其主要特點在于利用泡沫炭多孔結構及Si3N4納米纖維復合體對自來水中顆粒及污染物的過濾和吸附功能實現軟凈水一體化功能。

裝配式鋼結構住宅體系經過國內外科研單位和企業多年的研究，目前已取得了一定的成果和應用，但還存在以下問題： ①現有裝配式鋼結構住宅的核心技術偏重于主體結構，沒有封閉成一套完整的建筑產品，因此各組成部分（建筑設計方案、結構設計方案、抗側力體系、圍護結構、三板方案）的銜接不足，存在諸多系統性問題。 ②缺乏與現行規范、規程有良好“接口”的設計方法和配套標準圖集，以及相應的統一的可執行行業標準、構造方案和施工方案。 ③缺乏針對不同的地域、環境、使用功能的多套針對性的裝配式鋼結構建筑產品。針對上述問題，本研發團隊提出一種基于減震耗能的高強全裝配式鋼結構住宅體系，提出一套完整的針對不同環境、不同使用工況，擁有主體結構（實腹式異形柱+鋼格構柱組合體系（8-11 層）、 異形鋼格構框架+鋼格構剪力墻體系（15-18 層）、異形鋼格構框架 +抗側力體系 SSF-LRS（19-26 層））、抗側力體系（四個系列 SSF-L RS）、樓板體系（皮卡汀尼樓板體系（皮卡汀尼梁+皮卡汀尼板+關 鍵連接節點））、墻板體系（帶限位功能的 CF 自保溫墻板），及相應的建筑、結構設計方案、成套設計方法、技術標準及圖集、構造方案、施工方案及配套設備，進而形成一套封閉的擁有自主知識產權的鋼結構裝配式建筑產品。 該體系的創新型、先進性、獨占性： （1）基于減震耗能的高強全裝配式鋼結構住宅體系是一套完整的全裝配式鋼結構建筑產品。該建筑體系包含主體結構、抗側力體系（四個系列 SSF-LRS）、樓板體系、墻板體系。主體結構根據不同使用工況有四種組合方案：實腹式異形柱+鋼格構柱組合體系 （8-11 層）、異形鋼格構框架+鋼格構剪力墻體系（15-18 層）、異 形鋼格構框架+抗側力體系 SSF-LRS（19-26 層）。抗側力體系為四種適用于不同需求的全栓接裝配式鋼框架-抗側力體系（SSF-LRS）。皮卡汀尼樓板體系包括 2 種形式的皮卡汀尼梁（翼緣型梁、箱型扁 梁）、4 種皮卡汀尼板（PTB60-310-930、PTB80-330-660、PTB110- 366-732、PTB130-390-750）、梁板連接節點、主次梁連接節點等。墻板體系為一種新型帶限位功能的 CF 自保溫墻板。整個建筑體系均為自主研發、自行設計，擁有完整的知識產權及獨特、領先的技術優勢。 （2）國內外已經開展一定數量有關鋼板剪力墻、粘彈性阻尼器等的研究，但將二者結合起來研究還未見報道。由于問題的復雜性，相關結構類型的抗震性能研究只有少量的小比例試驗。本研究對大比例的 SSF-LRS 體系進行循環加載試驗，考慮不同的鋼板截面形狀、阻尼器布置數量、節點轉動剛度對結構的動力特性和抗震性能的影響，屬創新性的工作。本項目同時研發了一系列新型減震耗能及全栓接構件，為結構體系形成堅實的圍護結構部分。 （3）提出一套基于減震耗能的高強全裝配式鋼結構住宅體系的設計方法、建筑設計方案、結構設計方案、構造方案、施工工藝及配套設備、產品模型、技術標準等，推動此研發成果在市場上的推廣應用。

項目簡介 一種在鈦金屬表面制備 Ti-Si-C 涂層的方法，其特征是它由涂層合金粉末片制備和 激光熔覆處理組成。其中，Ti 粉、Si 粉和石墨粉經混合球磨烘干后，在壓片機上壓制合 金粉末片，且涂層合金粉末片中各組分的原子個數百分比為：Ti 粉 50%，Si 粉 16.7%，C 粉 33.3 %。 產品性能、指標 本發明熔覆工藝性能優良，涂層組織致密，界面結合良好，主要組成相為 α-Ti、TiCx、 Ti5Si3 和 Ti3SiC2，組織為 α-Ti 基體＋

本項目針對多高層住宅的特點，提出了與鋼結構相適應的模數系統方案及系列房型 方案，為實現鋼結構多高層住宅產業化需求的標準化與系列化奠定了基礎。 應用領域： 研究取得 11 項專利，出版 4 部專著，形成了較完整的鋼結構多高層住宅建筑體系、 結構體系、維護體系和鋼結構防火的成套技術，成果直接用于了 24 個鋼結構(鋼混結構) 多高層住宅項目的建造，總建筑面積 122.4 萬 m 2，5 個項目被列為建設部推廣應用科技 示范工程，每年可節省采暖燃煤 4007.5 噸；項目成果還用于編制了多項國家和上海市 標準，對推廣鋼結構多高層節能住宅有積極意義。 

北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心沈波和楊學林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優異，能夠滿足現代電子技術對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術發展和國防建設具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導體材料和器件主要在異質襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優點，Si襯底上外延GaN成為近年來學術界和產業界高度關注的熱點領域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結構為三重排列，可為六方結構的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現GaN器件和Si器件的集成至關重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構體，導致GaN面內同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學林課題組創造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學基礎，而且對當前國際上關注的非晶襯底上氮化物半導體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導價值。

小試階段/n本發明解決單相α-Si3N4超細粉體制備技術存在的問題，如原料價格高、工藝過程復雜、不易控制、能耗高和工業化程度低，所制備的產品純度低、粉體顆粒粒徑分布不均勻和Alpha相含量低。本發明具有反應溫度低、成本低、合成工藝簡單、過程易于控制、產率高和產業化前景大的特點；所制備的單相α-Si3N4超細粉體粒度為100~500nm，無雜相、活性高、顆粒團聚小和粒度分布均勻。本發明處于待轉化階段，應用范圍廣闊，市場前景可觀，預期經濟效益優異。

本項目提出了裝配式剪力墻結構基于抗震性能的設計方法；解決了裝配式混凝土剪力墻結構的非線性分析問題；研發了適合裝配式剪力墻結構的能夠保證抗震性能的豎向連接方式；完成了新型裝配式剪力墻板的抗震性能研究。

成果簡介： 建造房屋由傳統的舊的模式改變成由工廠生產全部構件裝配而成已是人類房屋建造史發展的必然產物，很多先進國家也都在積極推行房屋制造產業的發展，在我國推行裝配式房屋是由建造房屋到制造房屋的必由之路。 本項目所研究的輕質節能型復合材料裝配式房屋可用于快速建造永久性輕型房屋、特色小鎮及景區房

所屬行業領域 鋁及鋁合金的釬焊材料 成果介紹 本研究成果是涉及一種Al-Si-Zn-Ge系低熔點鋁基釬料及其制備方法，釬料合金中主要添加元素為Si、Ge、Zn，旨在解決當前鋁基釬料所面臨的兩個關鍵問題：1、熔化溫度低的加工成型性差（如Al-Si-Cu、Al-Ag-Cu等）；2、加工成型性好的熔化溫度高（如Al-12Si）。這兩大關鍵問題直接制約著釬料合金的制備和使用，到目前為止，大量的性能

研發階段/n本發明提供了一種鋁合金表面反應噴涂Ａｌ2Ｏ3／Ａｌ－Ｓｉ復合涂層及其制法，采用熱噴涂方法，在鋁合金表面反應合成Ａｌ2Ｏ3／Ａｌ－Ｓｉ復合涂層，熱噴涂粉末組成的質量百分比為：６０％～９５％共晶成分的Ａｌ－Ｓｉ合金粉末、５％～４０％ＳｉＯ2粉末，各組分之和為１００％；粉末粒度５～２０μｍ。涂層經過激光或等離子重熔后，使涂層中熔化的金屬原子和基體表面的金屬原子具有足夠的能量沖破界面上的Ａｌ2Ｏ3薄膜層，原子之間發生劇烈的混合作用，生成一個冶金結合區，形成冶金結合界面。獲得的Ａｌ2Ｏ3／Ａｌ－Ｓ