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遼陽虹豐教學設備有限公司
2021-08-23
TB586E2
高速性能優異。
更好的牽引性能和抓著性能。
優異的自潔性能。
低噪音設計，大大提高了操作者的舒適性。
應用：維護較好的硬質路面/瀝青路面。
三角輪胎股份有限公司
2021-09-01
一種可控膨脹率的鋼管鋼渣混凝土柱的制備方法
（專利號：ZL 201410820787.6） 簡介：本發明公開了一種可控膨脹率的鋼管鋼渣混凝土柱的制備方法，屬于土木工程技術領域。其利用鋼渣砂代替全部細骨料，采用普通硅酸鹽水泥、鋼渣砂、碎石和水制備可控膨脹率的鋼管鋼渣混凝土柱。具體制備步驟如下：根據鋼管鋼渣混凝土柱承載力要求，選擇一定強度等級的鋼管和鋼渣混凝土，確定鋼管自應力；計算確定鋼渣混凝土的自由膨脹率；計算確定鋼渣砂的平均粒徑，選擇合理級配的鋼渣砂；根據普通混凝土配合比的設計方法，計算確定硅酸鹽水泥、鋼渣砂碎石和水的用量；然后配制、澆筑、養護鋼管鋼渣混凝土柱。本發明的鋼管鋼渣混凝土柱使核心混凝土提前進入三向受壓狀態，顯著提高鋼管混凝土的承載力和延性。
安徽工業大學
2021-04-11
一種可控大長徑比納米探針的制備裝置與制備方法
本發明提供一種可控大長徑比納米探針的制備裝置，通過設置 腐蝕穩壓電路、腐蝕電壓切斷電路、探針浸沒判斷電路，與單片機配 合實現對腐蝕過程中的腐蝕電壓、探針浸沒深度、探針提升速度等重 要參數的精確控制，能夠制備大長徑比、可控長徑比、耐磨損、可回 收、成本低的納米探針。本發明還提供一種可控大長徑比納米探針的 制備方法，采用探針浸入指定深度后不再停留腐蝕，而是一直不斷提 起探針，從而形成針尖長、針尖曲率半徑平滑變化、長徑比大的新型 納米探針，具有不易磨損、可回收再利用、使用成本低等顯著優點， 并通過對腐蝕電
華中科技大學
2021-01-12
一種結構可控的三維石墨烯多孔材料制備方法
構建三維多孔結構 CAD 模型，并通過增材制造技術制得相應形 狀的三維多孔金屬結構；在惰性氣體的保護氛圍下，將所制得的三維 多孔金屬結構升溫至 900℃～1500℃，然后冷卻至室溫；然后進行噴 砂和超聲清洗處理以獲得金屬模板；通過化學氣相沉積法在金屬模板 上生長石墨烯薄膜；配置腐蝕液并在 60℃～90℃的溫度下回流溶解金 屬模板，經洗滌和干燥處理后即得到三維石墨烯多孔材料產品。通過 本發明，能夠有效克服現有技術中所存
華中科技大學
2021-04-14
一種利用微波燃燒對石墨烯進行可控造孔的方法
本發明公開了一種利用微波燃燒對石墨烯進行可控造孔的方法，采用硝酸鹽、醋酸鹽或者銀單質和氧化石墨烯作為原料，首先將原料進行均勻包覆、冷凍、干燥處理，通過控制原料的成份、濃度和冷凍與干燥的時長，制得各種成分、各種均勻性的復合物；通過對該復合物進行微波燃燒處理、控制微波處理時長得到不同孔徑分布的多孔石墨烯；本發明提供的這種方法在 6～45s 反應時間內獲得多孔石墨烯，主孔徑在 5nm～200nm 范圍內，快速簡單的實現對復
華中科技大學
2021-04-14
一種可控大長徑比納米探針的制備裝置與制備方法
本發明提供一種可控大長徑比納米探針的制備裝置，通過設置腐蝕穩壓電路、腐蝕電壓切斷電路、探針浸沒判斷電路，與單片機配合實現對腐蝕過程中的腐蝕電壓、探針浸沒深度、探針提升速度等重要參數的精確控制，能夠制備大長徑比、可控長徑比、耐磨損、可回收、成本低的納米探針。本發明還提供一種可控大長徑比納米探針的制備方法，采用探針浸入指定深度后不再停留腐蝕，而是一直不斷提起探針，從而形成針尖長、針尖曲率半徑平滑變化、長徑比大的新型納米探針，具有不易磨損、可回收再利用、使用成本低等顯著優點，并通過對腐蝕電壓、探針浸沒深度
華中科技大學
2021-04-14
藥物可控時序釋放的含多種藥物的磷酸鈣骨水泥粉末
一種藥物可控時序釋放的含多種藥物的磷酸鈣骨水泥粉末，由長期釋放藥物與磷酸鈣骨水泥粉末中的一種成分沉淀共混后，再通過高分子包裹得到包裹物粉末；然后將包裹物粉末與磷酸鈣骨水泥粉末中的其它磷酸鈣成分以及前期釋放藥物直接混合制得，或者將包裹物粉末與前期釋放藥物與磷酸鈣骨水泥粉末中的另一種成分的沉淀共混物粉末及磷酸鈣骨水泥粉末中的其它成分一起混合制得。該粉末可適合于骨缺損的填充與修復，而且所攜載的前期釋放和長期釋放藥物藥物，可在骨缺損局部不同時序釋放聯合給藥，并通過協同作用，增強療效，促進骨愈合，提高臨床骨缺損填充和修復的成功率，同時可降低藥物對機體所產生的副作用，滿足臨床對骨填充修復材料的需求。
西南交通大學
2016-10-21
一種自發成核過程可控式的DAST晶體生長裝置
本技術屬于溶液法晶體生長設備技術領域，涉及一種有機非線性光學晶體的溶液降溫生長方法，特別是一種方形四棱錐底式DAST晶體自發成核生長裝置，通過生長裝置和底部載晶斜板的特殊設計，大幅增加可用來生長晶體的載晶斜板有效面積，提高DAST晶體生產效率，同時可消除載晶斜板外的自發成核晶體生長，有效提高晶體生長的穩定性，進而大幅改善斜板式自發成核法生長DAST晶體的質量。本發明與現有技術相比，其選用的生長裝置結構簡單，成本低，組裝簡便，操作方便，可大幅增加晶體生長缸中用以生長晶體的有效面積，提高DAST晶體生產效率；同時有效控制聚四氟乙烯四棱錐外的自發成核晶體生長，提高晶體生長的穩定性，進而大幅改善自發成核法生長DAST晶體的質量，有效解決了傳統斜板式自發成核法中，在斜板之外其它位置容易出現無效的自發成核雜晶生長問題，提高晶體生長的穩定性和生長效率。可望應用于有機晶體的自發成核生長。
青島大學
2021-04-13
用于同時檢測CU2+ Ｐb2+ Cd2+的陣列式薄膜傳感器及其制備方法
本發明涉及用于同時檢測Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過激光脈沖沉積技術在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術把三個敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發明可在江河湖泊,生物醫學領域(如血液,體液),工業廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領域中對Cu2+,Pb2+,Cd2+同時進行定性和定量檢測.
東北電力大學
2021-04-30