采用氫化物氣相外延（HVPE） 技術(shù)制備 GaN 襯底
成果簡(jiǎn)介隨著技術(shù)發(fā)展， 對(duì)于大功率白光 LED 而言， 發(fā)光效率的提高一直是個(gè)瓶頸。針對(duì) GaN 基器件， 由于同質(zhì) GaN 襯底價(jià)格昂貴， 因此一直沒有被普遍應(yīng)用到 GaN基材料生長(zhǎng)領(lǐng)域。 目前一般采用在異質(zhì)襯底上生長(zhǎng) GaN 基材料， 國(guó)內(nèi)外一般采用藍(lán)寶石襯底、 碳化硅襯底、 硅襯底等等。 這導(dǎo)致 GaN 基材料與異質(zhì)襯底之間的熱膨脹系數(shù)、 晶格系數(shù)的不匹配， 從而 GaN 基材料中缺陷密度很高， 一般在 105～108/cm2 量級(jí)。 高密度的缺陷直接導(dǎo)致光電器件發(fā)
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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