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雙重（三重）差分模型通過設置交互項來分析政策效應，在政策評價領域具有明顯優勢。該研究設計的優勢在于：第一，通過將改革引起的結局變量時間前后差異和組織內外部因素引起的結局變量的差異結合起來，以反映改革的效應。第二，其他因素的影響，如研究階段內可能存在其他政策，這些政策可能與本研究關注的結局相關。如果這些政策對不同組別的影響不一致，那么排除這些政策就可能會產生偏倚。如果研究樣本當中這些因素分布不均衡，就應該對這些非隨機的因素進行控制以稀釋它的不同影響。尤其是在評價宏觀事件的影響時，因為在研究設計上無法找到一個符合實際的合理的對照組而對控制其他改革效應帶來了難度。雙重差分可提供一個罕見于其他相關研究的機會，通過政策實施前后結果取差來排除沒有考慮到的因素的存在以及由于它們的存在可能造成的混雜效應，使對政策效應的分析更加可行，也更接近現實實際。

本發明公開了一種基于混合差分的車流量檢測方法，其步驟包括采用攝像機采集道路交通視頻，經逐幀提取視頻中的圖像并進行預處理，獲得待檢測的包含道路和車輛信息的圖像f(x，y)，再在車流量檢測模塊中對圖像f(x，y)進行處理，識別出圖像中車輛信息并計數。本發明對車流量進行檢測的準確性好，獲得的正確率和漏檢率分別比背景差法提高和降低約3％，獲得的誤檢率比幀間差法低約18％。

本發明公開了一種基于位移差分的 MEMS 重力梯度儀。包括第一振子單元和第二振子單元；前者包括第一外圍框架和與第一外圍框架通過第一組梁連接的第一檢驗質量，后者包括第二外圍框架和與第二外圍框架通過第二組梁連接的第二檢驗質量，第一組梁和第一檢驗質量構成第一機械振子，第二組梁和第二檢驗質量構成第二機械振子，第一振子單元和第二振子單元相向正對設置，第一機械振子和第二機械振子的敏感軸位于同一直線上，第一檢驗質量上的電容陣列與第二檢驗質量上的電容陣列構成位移檢測電容，通過位移檢測電容測得檢驗質量的位移差進而得到

項目采用光致異構化合物通過酰胺共價鍵鏈接于具有納米間隙陣列的二維單層石墨烯的間隙形成光致異構化合物-石墨烯單分子器件；采用生物分子鏈接構建了單分子生物傳感器；利用有機半導體小分子構建了性能可靠的2-3納米單分子場效應晶體管。當單個光致異構化合物被橋接于具有納米間隙陣列的二維單層石墨烯之間的納米間隙時，它們具有可逆的光控開關功能和電控開關功能；當生物分子橋連石墨烯電極時，它們具有單分子DNA精準測序的功能；單分子場效應晶體管目前是國際上最小的晶體管，有望為器件微小化產生芯片集成核心技術。

一、項目簡介類分子篩鍺酸鹽的出現大大擴展了開放骨架結構的研究領域, 由不同多面體組成的一級結構單元為骨架結構的搭建提供了多樣性。以新的聚集體Ge10O24X3 (Ge10) 組成的SU-M（Ia-3d）和手性三維孔道的SU-MB（I4132）是目前為止所報道的最低骨架密度和30-元環的介孔尺度通道（大于20 ?）的三維鍺酸鹽結構材料(Zou X.D.,et al Nature 2005, 437, 716-718.)。將孔道中的有機胺去除并通過硅、鋁修飾后，不但可以加強其熱穩定性能，還可以調節表面酸性，它們的高比表面和介孔（手性）孔道的特性將會在吸附、儲氫和催化工業等方面有良好的應用。目前，該材料的熱穩定修飾和離子去除工作正在進行中[15th 國際分子篩會議（北京2007）]。SU-M 中Ge10O24(OH)3 簇的聯結結構圖。二、市場前景傳統的硅鋁分子篩因其材料和元素的局限性導致其骨架結構目前只限在微孔（小于20?）尺寸，從而不能夠滿足更多的特定用途。而表面活性劑合成的介孔氧化硅材料，雖然有規則的介孔尺度的孔道結構和很高的比表面，但其孔墻骨架基本上是無定形的，水熱穩定性差。設計合成開放骨架化合物則有望解決前二者的不足，所以，合成新的開放骨架氧化物材料，使孔徑、孔容增大、骨架密度減少，已經是一個在催化、儲能（尤其是氫能）、吸附和分離等方面有重要應用價值并具有挑戰性的研究課題。三、主要設備及投資簡單水熱裝置、設備， 反應釜、 烘箱、培燒爐等。投資在一千萬左右。四、效益分析中孔骨架結構鍺酸鹽具有良好的催化、儲能（尤其是氫能）、吸附和分離等應用前景，在投入市場一年后，將取得投資額5-10倍的經濟效益。五、合作方式面議。項目負責人：任鐵真聯系電話： 022-26564909

提出一種半胱氨酸增強的仿生封裝策略，可快速、高效地將不同表面化學性質的蛋白質和酶封裝在MOFs內。這種增強的封裝策略靈感來源于生物體內金屬巰基蛋白對金屬離子的富集作用，半胱氨酸，聚乙烯吡咯烷酮和蛋白質形成類似于金屬巰基蛋白模型的自組裝體可促進金屬離子在蛋白質周圍富集，加速MOFs的預先成核 。研究發現封裝的蛋白質和酶可維持其自然構象，而MOFs保護層對酶的緊密結構限制作用可大大提高酶在極端環境下（e.g. 水解試劑、高溫和化學溶劑等）的生物活性。最后，這種仿生的封裝策略在生物儲存、酶級聯催化和生物傳感等多方面的應用也得到驗證。

熒光探針具有靈敏度高、取樣小、成本低、重現性好、易于操作等特點，研發了針對溶液中 Ag+, F-，Hg2+等離子及 N2H4，H2S 等小分子檢測的熒光探針，檢測限低，檢測快速，選擇性好，部分探針可實現試紙化檢測。

當今凝聚態物理研究中最重要的問題之一是揭示磁性材料中的高溫超導機制。帶有自旋的電子常被認為是局域在磁性離子實周圍的，而形成電流的電子則被視為在晶格中巡游。但事實上這兩者均為同一粒子。因此，這對立的兩面如何共同協助超導形成，是一個非常有趣的問題。這種“非常規”的機制與銅基超導體、鐵基超導體以及重費米子超導體都密切相關。 在具有多個電子軌道的體系，例如鐵基超導材料中，電子自旋和軌道自由度的相互作用使得這個問題更為復雜。李源研究員與合作者之前的研究報道已經揭示了自旋-軌道耦合對材料的磁性性質有非常重要的影響。他們的實驗同時還表明鐵基超導材料中的磁性具有巡游與局域的雙重特性。這并不是一個完全意外的結果，因為已有的一些理論研究也說明鐵基超導體可以被所謂“洪德金屬”的模型描述。不過自旋-軌道耦合以怎樣的方式影響鐵基材料中的超導機理，依然是一個未知的問題。Figure 1. (a-c) Imaginary part of dynamic spin susceptibility measured at different temperatures. (d) Imaginary part of dynamic spin susceptibility integrated over 4-8 meV based on the data in (a) and (b). 現在，李源研究組及合作者采用基于飛行時間原理的中子散射譜學技術，發現在一種鐵基超導材料中，有一類特定的磁激發對超導的形成至關重要，其作用機理與材料中的自旋-軌道耦合效應密切相關。這項工作于2019年1月4日發表在《物理評論快報》上。 這項研究針對的是近年來發現的空穴摻雜的“122”體系鐵基超導材料中新奇四重對稱性磁相。在傳統的二重對稱性磁相中，電子自旋指向在晶體的ab面內，而在這種新發現的磁相中電子的自旋指向沿晶體的c方向。有這種四重對稱性磁相的晶體中超導溫度也被壓制。該項研究旨在探索超導的壓制與四方磁相中探測到的譜學特征的聯系。基于這一目的，研究組瞄準了Sr1-xNaxFe2As2這一種有魯棒性的四方磁相，且較易制備大單晶的鐵基超導材料。Figure 2. (a-b) Constant-Q cuts measured at (0.5, 0.5, 1) and (0.5, 0.5, 3), with background subtracted. (c-d) Intensity difference between 6 K and 20 K at L = 1 and 3. 實驗發現，在材料發生從二重對稱性（圖1a, T = 80 K）轉化為四重對稱性（圖1b, T = 20 K）的相變后，低能的自旋激發發生了顯著的變化。根據中子散射截面與散射幾何的關系，在L = 1處測量到的信號中c方向的磁激發有更大的比重，而在L = 3處則可探測到更多的ab面內的磁激發。圖1d顯示，當溫度從80 K降到20 K后，由于自旋的方向發生偏轉到了c方向，在低能激發中將難以沿c方向時自旋的長短發生改變，因此低能磁激發中c方向的自旋激發被抑制。實驗還發現了重要的一點：超導相（圖1c, T = 6 K）的自旋激發相對非超導相的自旋激發有輕微的改變，這說明材料超導與的磁性質相關聯。進一步的分析（圖2）發現，這種改變主要發生在L = 1的位置，這說明在四重對稱性磁相中，盡管c方向的磁激發被抑制，但它們仍然是與超導關系最密切的磁激發。這項結果揭示了在多軌道序洪德金屬中實現高溫超導的一個“兼容性”要求：局域的磁矩必須能夠為巡游電子提供后者在實現超導配對過程中所需的磁激發。由于在四重對稱性磁相中，該要求恰好不被滿足，所以超導溫度被抑制。 量子材料科學中心博士研究生郭見青和岳莉為該項工作的共同第一作者。相關的中子散射實驗是由日本的MLF, J-Parc用戶實驗項目支持完成的。這項工作由量子材料科學中心李源研究組和張焱研究組合作完成。研究課題得到了中國自然科學基金委和科技部項目的資助。References:[1] C. Wang et al., Phys. Rev. X 3, 041036 (2013).[2] M. Ma et al., Phys. Rev. X 7, 021025 (2017).[3] Z.P. Yin et al., Nat. Mater. 10, 932 (2011).[4] J. Guo, L. Yue et al., Phys. Rev. Lett. 122, 017001 (2019).

在具有多個電子軌道的體系，例如鐵基超導材料中，電子自旋和軌道自由度的相互作用使得這個問題更為復雜。李源研究員與合作者之前的研究報道已經揭示了自旋-軌道耦合對材料的磁性性質有非常重要的影響。他們的實驗同時還表明鐵基超導材料中的磁性具有巡游與局域的雙重特性。這并不是一個完全意外的結果，因為已有的一些理論研究也說明鐵基超導體可以被所謂“洪德金屬”的模型描述。不過自旋-軌道耦合以怎樣的方式影響鐵基材料中的超導機理，依然是一個未知的問題。Figure 1. (a-c) Imaginary part of dynamic spin susceptibility measured at different temperatures. (d) Imaginary part of dynamic spin susceptibility integrated over 4-8 meV based on the data in (a) and (b). 現在，李源研究組及合作者采用基于飛行時間原理的中子散射譜學技術，發現在一種鐵基超導材料中，有一類特定的磁激發對超導的形成至關重要，其作用機理與材料中的自旋-軌道耦合效應密切相關。這項工作于2019年1月4日發表在《物理評論快報》上。 這項研究針對的是近年來發現的空穴摻雜的“122”體系鐵基超導材料中新奇四重對稱性磁相。在傳統的二重對稱性磁相中，電子自旋指向在晶體的ab面內，而在這種新發現的磁相中電子的自旋指向沿晶體的c方向。有這種四重對稱性磁相的晶體中超導溫度也被壓制。該項研究旨在探索超導的壓制與四方磁相中探測到的譜學特征的聯系。基于這一目的，研究組瞄準了Sr1-xNaxFe2As2這一種有魯棒性的四方磁相，且較易制備大單晶的鐵基超導材料。Figure 2. (a-b) Constant-Q cuts measured at (0.5, 0.5, 1) and (0.5, 0.5, 3), with background subtracted. (c-d) Intensity difference between 6 K and 20 K at L = 1 and 3. 實驗發現，在材料發生從二重對稱性（圖1a, T = 80 K）轉化為四重對稱性（圖1b, T = 20 K）的相變后，低能的自旋激發發生了顯著的變化。根據中子散射截面與散射幾何的關系，在L = 1處測量到的信號中c方向的磁激發有更大的比重，而在L = 3處則可探測到更多的ab面內的磁激發。圖1d顯示，當溫度從80 K降到20 K后，由于自旋的方向發生偏轉到了c方向，在低能激發中將難以沿c方向時自旋的長短發生改變，因此低能磁激發中c方向的自旋激發被抑制。實驗還發現了重要的一點：超導相（圖1c, T = 6 K）的自旋激發相對非超導相的自旋激發有輕微的改變，這說明材料超導與的磁性質相關聯。進一步的分析（圖2）發現，這種改變主要發生在L = 1的位置，這說明在四重對稱性磁相中，盡管c方向的磁激發被抑制，但它們仍然是與超導關系最密切的磁激發。這項結果揭示了在多軌道序洪德金屬中實現高溫超導的一個“兼容性”要求：局域的磁矩必須能夠為巡游電子提供后者在實現超導配對過程中所需的磁激發。由于在四重對稱性磁相中，該要求恰好不被滿足，所以超導溫度被抑制。

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