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一種高熵合金顆粒增強鋁基復合材料及其制備方法
一種高熵合金顆粒增強鋁基復合材料及其制備方法，屬于復合 材料制備領域，解決現有金屬基增強相所存在的自身脆性以及燒結溫 度受限，影響材料致密化，難以實現復合材料強度和塑性同時提高的 問題。本發明的鋁基復合材料，由基體相與增強相通過球磨混合及燒 結成型構成，基體相鋁和增強相高熵合金顆粒 AlCoCrFeNiTi0.5 的體 積比為 1∶4～1∶9。所述高熵合金顆粒增強鋁基復合材料的制備方法， 包括制備高熵合金鑄錠步驟、制備高熵合金粉末步驟、制備復合粉末 步驟和燒結成型步驟。本發明工藝簡單、能耗和成本均比較低、易于 在生產中實現，所制備的高熵合金顆粒增強鋁基復合材料的拉伸強度 提高了 32.4～90.1％，延伸率提高了 29.6～52.0％，提高了鋁基復合材 料的綜合性能。
華中科技大學
2021-04-13
一種鋁或鎂合金鑄件砂芯清理裝置及其砂芯清理方法
一種鋁或鎂合金鑄件砂芯清理裝置及其砂芯清理方法，屬于砂 芯清理裝置及方法，解決現有薄壁復雜鋁或鎂合金鑄件砂芯清理困難， 清理周期長的問題，用于薄壁復雜鋁或鎂合金鑄件砂芯的高效清理。 本發明的裝置包括鑄件壓緊組件和機械振動組件，還可以具有超聲波 清理組件。本發明的砂芯清理方法，包括浸泡步驟、振動步驟和超聲 波沖擊步驟。本發明的裝置結構簡單、能耗低、易于控制；本發明綜 合了化學溶解，振動破碎和超聲波空化清理的作用，鑄件清理效果好， 效率高，適用于薄壁復雜鋁或鎂合金鑄件用砂芯的高效清理。
華中科技大學
2021-04-13
錫納米晶為模板合成具有帶隙可調的錫鍺合金納米材料
通過精細調控Ge2+離子前驅體溶液與已制備的錫納米顆粒反應，合成帶隙可調的半導體錫鍺合金納米晶（0.51 eV至0.71 eV）。使用的錫納米晶模板可以大大降低反應的成核、結晶和生長的反應能壘。與以前報道的反應溫度（約300 ℃）相比，課題組的方法可以在較低的溫度下（60-180 ℃）得到錫鍺合金納米晶。課題組深入闡明了從錫到錫鍺合金納米晶的相變機理，清晰揭示了從不均勻核殼結構到均勻合金結構的演變過程。
南方科技大學
2021-04-13
燃料電池鉑碳和鉑基合金催化劑的批量化制備技術
本團隊采用獨特的從“0 到 1”的原創水相體系制備技術路線，實現鉑載量從 30-60%不同系列鉑碳催化劑的小規模批量制備。以典型的50%鉑碳催化劑為例，催化劑粒徑 2.5nm，均勻分布，BET 面 積 260m2/g，電化學活性面積 80 m2/g，初始質量活性 0.25 A/mg@0.9V；按照 DOE 測試標準，3 萬圈循環，電化學活性面積衰減30%，質量活性衰減 35%。小規模量產的鉑碳催化劑一致性偏差小于5%，且制備過程環保、成本低、性價比優良。以此鉑碳催化劑制備的膜電極功率密度大于 1.1W/cm2@0.65V。 鉑基合金催化劑包括鉑鎳碳和鉑鈷碳，催化劑中活性組分含量大于45%，平均粒徑 3.6nm，BET面積305 m2/g，電化學活性面積 65 m2/g，初始質量活性 0.55 A/mg@0.9V；按照DOE測試標準，3萬圈循環，電化學活性面積衰減30%，質量活性衰減30%。
華南理工大學
2023-05-08
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法，屬于半導體材料 與器件制備領域，解決現有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁帶寬度和能帶位置 固定的問題，以實現禁帶寬度和能帶位置的連續可調，得到禁帶寬度 和能帶位置更加合適的無機半導體材料。本發明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作為蒸發源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作為蒸發源，通過近空間升華法在襯底
華中科技大學
2021-04-14
一種具有微納米結構的超細晶多孔鐵合金的制備方法
本成果獲發明專利授權。在多年新型多孔鐵合金材料研究的基礎上，以自制的納米鐵合金粉末為原料，通過與美國圣地亞哥州立大學粉末技術實驗室合作，成功的制備了具有微納米多孔結構的塊體鐵合金材料，該合金不但具有高的孔隙率、大的比表面積、還表現出了優異的力學和減震性能，通過對對工藝的控制可以實現10%～50%孔隙率的超細晶多孔鐵合金的制備，當孔隙率在50%左右時，壓縮強度依然可以達到600 MPa以上，比目前市場上銷售的高致密普通粉末冶金制品的強度高200 MPa左右。在軸承、齒輪、減震墊板、能量吸收裝置等關鍵零部件上有很好的應用前景，潛在的應用價值和市場空間非常巨大。部分研究成果得到了世界著名粉末冶金專家Randall M. German教授的高度評價。
西南交通大學
2016-06-27
一維納米復合金屬氧化物氣敏材料及其制備方法
本發明提供了一種一維納米復合金屬氧化物氣敏材料及其制備方法。本發明將氯化鋅溶液、氯化錫溶液混合后與氫氧化鈉溶液進行水熱反應，通過加入無水乙醇、表面活性劑和控制反應條件而制備一維納米氧化鋅氧化錫復合材料。該制備方法與現有的一維納米金屬氧化物材料的制備方法相比，具有成本低，操作簡單，低能耗等優點。制備的納米復合材料對甲烷、一氧化碳、二氧化氮等氣體具有氣體敏感度，是一種良好的氣敏材料。
安徽建筑大學
2021-01-12
一種在電渣重熔過程中直接釩合金化的方法
（專利號：ZL 201510219962.0） 簡介：本發明公開了一種在電渣重熔過程中直接釩合金化的方法，屬于電渣重熔技術領域。本發明利用電渣重熔過程中爐內溫度較高的特點，利用碳代替鋁直接還原氧化釩，并巧妙的與喂線技術結合，能精確控制合金元素的加入量，減少夾雜物，其操作方法為：先將氧化鋁和石墨制成合金線，然后啟動電渣爐開始電渣重熔，隨后喂入合金線，并加入鋁粒進行擴散脫氧，電渣重熔過程結束后停止喂線，進入補縮階段直至補縮完成。本發明直接釩合
安徽工業大學
2021-01-12
III-V族半導體合金體系熱、動力學計算機輔助分析系統
III-V族半導體合金體系熱、動力學計算機輔助分析系統建立并完善了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元體系的III-V族合金化合物半導體熱力學數據庫，使之成為當前國際上數據資源相對豐富、可靠程度高的專業型數據庫。在此基礎上，應用該計算機輔助分析系統，可采用統一的成分空間表達方式，將覆蓋四元半導體整個成分空間的光電性能（能量間隙或波長）、與相應襯底匹配的成分條件、以及各種溫度下發生溶解間隙的成分范圍，投影于一平面，構成III-V族半導體體系綜合優化圖，用以對金屬有機物氣相外延工藝進行輔助分析、確定滿足優質半導體生長的成分空間、預測外延層半導體的成分等。同時，該系統還發展了非平衡過程分析研究方法：亞穩平衡處理、條件平衡處理和不可逆過程分析處理等，這些方法有助于III-V族半導體液相外延、氣相外延和金屬有機物氣相外延工藝過程的熱力學分析。 該項目面向光電子材料和器件的研制與生產 III-V族半導體合金體系熱、動力學計算機輔助分析系統，目前主要是作為應用研究，服務于有關光電子材料和器件的研制與生產過程中工藝條件的輔助設計，以促進III-V族半導體液相外延、氣相外延和金屬有機物氣相外延工藝逐步從經驗設計邁向科學設計，在相關領域的高技術產業化方面起積極作用。 Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元體系的III-V族合金化合物半導體熱力學數據庫；瑞典皇家工學院Thermo-Calc相平衡熱力學計算軟件。
北京科技大學
2021-04-11
高密度低合金粉末冶金結構件制備新技術與應用
本技術基于粉體流變塑變特性和改性原理，創立了一條通過優化粉體粒度組成、改善粉體塑性變形能力，采用一般成形與燒結設備制備高密度低合金粉末冶金結構件的新途徑。其主要工藝流程為：首先根據水霧化鐵粉顆粒的形狀和粒度特征，按比例進行合批，添加母合金粉末和增塑劑（Polylub）混合后，在還原爐（溫度760-820℃）中進行塑化處理，再添加專用潤滑劑(C38H76N202)及石墨，獲得具有良好壓縮性和成形性的混合粉末；混合粉末在室溫狀態下，經模壓成型，高溫燒結后得到高密度粉末冶金結構件。與傳統工藝相比，該新工藝具有以下特點和創新點：①以國產水霧化鐵粉為主要原料，通過綜合利用優化粉末粒度組成、添加母合金粉、增塑劑進行塑化處理，再添加石墨和潤滑劑等制備高密度低合金成型粉末，顯著提高了原料粉末的壓縮性和成形性，為生產高密度粉末冶金結構件提供了原料保障；②針對產品結構和形狀特點，改造設計了三上三下專用模架及自動送料系統，實現自動移粉，采用模壁潤滑技術，有效控制了產品成分和密度的均勻性，生產效率提高1倍；③可以采用傳統壓機和燒結設備，所需新增投資少，制造成本低；④與原機械加工的結構件相比，具有尺寸重復性好、運行噪音低、耐磨性好、使用壽命長等特點，生產成本較機加工工藝降低47%以上，較國外溫壓成形工藝降低60%以上。相關產品已申請國家專利20多項，其中5項授權為國家發明專利，10項授權為國家實用新型專利。
北京科技大學
2021-04-11