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近日，我校化工學(xué)院功能膜與電子化學(xué)品團(tuán)隊(duì)青年教師莊黎偉博士，與美國(guó)約翰霍普金斯大學(xué)、北卡羅來納州立大學(xué)等單位合作，開發(fā)了一套原子層沉積（ALD）技術(shù)在多孔材料納米孔道內(nèi)進(jìn)行薄膜沉積的數(shù)值模型，可用于預(yù)測(cè)2-5納米孔道內(nèi)前驅(qū)體擴(kuò)散、吸附、脫附、沉積反應(yīng)以及孔道收縮直至堵塞的動(dòng)態(tài)過程。