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多元納米復(fù)合抗菌殺菌材料研制
眾所周知，化學(xué)藥物和有機消毒劑的大量使用極易導(dǎo)致細菌和病毒的變異，并造成嚴(yán)重的后果，如0-157大腸桿菌、瘋牛病、SARS、禽流感等微生物事件的發(fā)生，使人們對生態(tài)環(huán)境和微生物環(huán)境的惡化給地球和人類健康帶來的危險表示擔(dān)憂，安全無毒的無機抗菌材料已成為人們的迫切需要。本項目的任務(wù)是：利用具有自主知識產(chǎn)權(quán)的氧化鋅晶須（簡寫為：ZnOw）制備技術(shù)，并在前期研究工作的基礎(chǔ)上，對ZnOw、納米材料進行抗菌活性處理，將ZnOw與多種納米材料復(fù)合，制備一種安全、持久、高效、廣譜的抗菌殺菌材料。
西南交通大學(xué)
2021-04-13
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ARM 嵌入式實驗系統(tǒng)研制
項目簡介 嵌入式系統(tǒng)在這個信息化與工業(yè)化的社會占據(jù)著舉足輕重的位置。嵌入式系統(tǒng)的 概念毋庸再提，其應(yīng)用范圍更是廣之又廣，其發(fā)展趨勢更是為人矚目，這里套用更有 權(quán)威的刊物原話可能更有說服力和感染力！“信息時代，數(shù)字時代使得嵌入式產(chǎn)品獲 得了巨大的發(fā)展契機，為嵌入式市場展現(xiàn)了美好的前景”。從而佐證嵌入式研究與教 學(xué)投入的前瞻性與實用性。 本項目在對 ARM 的內(nèi)核、結(jié)構(gòu)和工作原理以及仿真環(huán)境比較熟悉的基礎(chǔ)上主要完 成對 ARM 各種外圍接口的電路軟、硬件設(shè)計與仿真以及 ARM 系統(tǒng)板開發(fā)的工作。基于 S3C4510B 是一款高性價比 RISC 微控制器，內(nèi)含 ARM7 TDMI RISC 處理器核，ARM7TDMI 為低 功耗、高性能的 16/32 核，比較適合用于對價格及功耗敏感的應(yīng)用場合的需要完成其最小硬 件系統(tǒng)的設(shè)計。目前系統(tǒng)只需付資制作便可投入到教學(xué)實驗中，且內(nèi)核的升級與外圍的擴 展與更新以及可應(yīng)用場合與范圍的變動可隨時對系統(tǒng)進行升級與改制。
南京工程學(xué)院
2021-04-13
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植入式心臟起搏器研制
本項目研究的心臟起博器以目前國內(nèi)臨床應(yīng)用最多的單腔7程控起搏器電路為突破口，研制出單腔起搏器電路的實驗室樣品。經(jīng)測試和動物實驗驗證后改進和完善原設(shè)計，采用二次集成和厚膜技術(shù)制作產(chǎn)品樣機進行臨床實驗驗證，達到產(chǎn)品化的要求。 通過該電路的研制，掌握植入式裝置專用電路設(shè)計和制造的核心技術(shù)，為下一步開發(fā)國產(chǎn)化起搏器系列產(chǎn)品奠定了基礎(chǔ)。項目特色和創(chuàng)新之處：1) 區(qū)別
西安交通大學(xué)
2021-01-12
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降糖新藥“海糖平”的研制
? “海糖平”是在傳統(tǒng)藥材基礎(chǔ)上運用現(xiàn)代譜效學(xué)研究技術(shù)形成的有效部位創(chuàng)新藥物。本品成分清楚、工藝簡便、質(zhì)量穩(wěn)定、藥效顯著，是一個具有良好前景的糖尿病治療藥物。本品來源于治療糖尿病的民間驗方，經(jīng)多年研究，獲得其有效部位并實現(xiàn)生產(chǎn)工藝中試放大，藥效學(xué)證明，本產(chǎn)品能顯著降糖，改善糖耐量，增強自由基清除能力，改善脂肪代謝紊亂，保護腎臟。本品完成了藥材、半成品、制劑、輔料、對照品全套質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。到目前為止，已經(jīng)確定有效部位和生產(chǎn)工藝，可進行中試生產(chǎn)。
北京理工大學(xué)
2021-01-12
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精確放射治療系統(tǒng)研制與應(yīng)用
“精確放射治療系統(tǒng)研制與應(yīng)用”成果成功研制了用于腫瘤放射治療的重要設(shè)備三維放射治療計劃系統(tǒng)（TPS）和自動多葉準(zhǔn)直器（MLC），在國際上首次提出“模擬分子動力學(xué)”方法計算X射束的強度分布，首次用“特征線”法計算X束劑量，計算精度高、速度快，其結(jié)果與國際同類產(chǎn)品相比處于領(lǐng)先地位。先后獲得7項發(fā)明專利。研制的TPS軟件已在國內(nèi)外百余家醫(yī)院應(yīng)用，占有近20%的國內(nèi)市場份額，為5萬名腫瘤患者進行了放射治療，取得了良好的社會經(jīng)濟效益。
四川大學(xué)
2016-04-22
耐高溫阻燃PODLON纖維的研制
我國對耐高溫合成纖維的研發(fā)仍然處于初級階段，能進行一定批量生產(chǎn)的纖維只有芳砜綸和間位芳綸兩種，而擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的纖維品種僅有芳砜綸一種。目前，我國自主研發(fā)的芳砜綸纖維仍不能大批量生產(chǎn)；雖然國內(nèi)兩家企業(yè)通過消化吸收國外已經(jīng)成熟的生產(chǎn)技術(shù)，能進行規(guī)模生產(chǎn)間位芳綸纖維，但產(chǎn)量不大，產(chǎn)品質(zhì)量與國外產(chǎn)品相比有較大差距。現(xiàn)階段，我國耐高溫阻燃纖維產(chǎn)量不足3000t，每年需大量進口，但受到國外發(fā)達國家的經(jīng)濟、技術(shù)封鎖，耐高溫阻燃纖維缺口巨大、價格高昂，而250
四川大學(xué)
2021-04-14
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利用煤系廢物研制保溫磚
該產(chǎn)品涉及提供一種高強、低溫焙燒、保溫性能好、固體廢棄物利用率高的焙燒粉煤灰煤矸石實心墻體保溫磚。
安徽理工大學(xué)
2021-04-13
高效納米催化劑的研制
(1)以表面活性劑-高分子復(fù)合體系在溶液中形成的軟物質(zhì)團簇為模板，采用普通市售白熾燈為輻射源，在溫和條件制備納米鈀催化劑，已獲發(fā)明專利授權(quán)（授權(quán)號：ZL 201210262888.7）。
(2)以表面活性劑為模板，采用普通市售白熾燈為輻射源，在溫和條件下獲得有良好光學(xué)性質(zhì)的鈀納米薄片材料。該制備方法條件溫和，制備得到的鈀納米薄片材料，發(fā)現(xiàn)在 340nm 附近出現(xiàn)等離子共振吸收峰，發(fā)明專利授權(quán)（專利號：ZL 201210210613.9）。
(3)以六角相溶致液晶為軟模版，分別在避光和可見光的條件下獲得納米 Pd電催化劑，適合用于作電催化劑。此項工作生產(chǎn)周期短，產(chǎn)物均勻性好，易于規(guī)模化生產(chǎn)。發(fā)明專利授權(quán)號：ZL 201210387737.4。
(4)以表面活性劑-高分子復(fù)合體系為軟模板，利用乙醇為還原劑，采用簡易加熱方式，首次合成了多面體納米鈀材料。發(fā)明專利授權(quán)號:ZL 201210403633.8。
(5)采用超聲波輻射技術(shù)，以表面活性劑-高分子復(fù)合體系構(gòu)筑為軟模板，獲得一種具有菊花狀納米鈀聚集體材料。
安徽理工大學(xué)
2021-04-13
鈮酸鉀鈉-鋯鈦酸鉍鈉系無鉛壓電陶瓷
本發(fā)明屬于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)環(huán)境協(xié)調(diào)性壓電陶瓷領(lǐng)域，特別涉及一種鈮酸鉀鈉-鋯鈦酸鉍鈉系無鉛壓電陶瓷，該無鉛壓電陶瓷由通式(1-x)(KuNav)NbO3-xBi0.5Na0.5Zr1-yTiyO3表示，式中，0＜x≤0.05, ?0≤y≤0.3，0.40≤u≤0.55，0.45≤v≤0.60，且u+?v=1。本發(fā)明提供的無鉛壓電陶瓷具有較高的壓電性能，所用原料價格低廉，節(jié)約成本，有利于促進實用化進程，在工業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)用。
四川大學(xué)
2021-04-11
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高性能系列鈮酸鋰、鉭酸鋰晶體和光電器件
光電晶體及其器件作為激光技術(shù)的關(guān)鍵材料和器件，被諸多國家列為優(yōu)先發(fā)展的技術(shù)領(lǐng)域。本項目在國家 863 計劃、天津市重大科技攻關(guān)、國防科工局民口配套等項目支持下，瞄準(zhǔn)國家需求，圍繞產(chǎn)品化關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，取得了以下主要科技創(chuàng)新：
（1）自主設(shè)計基于經(jīng)驗數(shù)據(jù)庫的智能計算機晶體生長自動控制系統(tǒng)，并開發(fā)了晶體生長成套裝備，應(yīng)用于多種晶體生長，得到批量推廣應(yīng)用。
（2）發(fā)展了兩種非固液同成分共熔配比晶體的制備方法，實現(xiàn)了 SLN 晶體和 SLT 晶體的批量、廉價制備。
（3）開發(fā)了寬溫度范圍工作鈮酸鋰電光調(diào) Q 晶體及電光調(diào) Q 開關(guān)，在-55℃～70℃溫度區(qū)間穩(wěn)定工作，大幅提高了軍用激光系統(tǒng)的溫度穩(wěn)定性。（4）以高溫度穩(wěn)定性電光調(diào) Q 開關(guān)為核心技術(shù)自主研發(fā)的系列高溫度穩(wěn)定性鈮酸鋰電光調(diào) Q 激光系統(tǒng)，實現(xiàn)了批量生產(chǎn)和應(yīng)用。
（5）開發(fā)了滿足激光雷達等長期在線工作的低內(nèi)電場鈮酸鋰電光調(diào) Q 晶體和電光調(diào) Q 開關(guān)。
（6）開發(fā)了高抗光損傷閾值的鉭酸鋰電光調(diào) Q 晶體和電光調(diào) Q開關(guān)，典型 1064nm 波段的激光損傷閾值比鈮酸鋰晶體提高兩個數(shù)量級以上，且能夠滿足軍工寬溫度范圍要求。
南開大學(xué)
2021-04-13