高光效黃光LED材料與芯片制造技術(shù)
中心通過“裝備與工藝的協(xié)同創(chuàng)新”,創(chuàng)新發(fā)展了具有自主產(chǎn)權(quán)的大科學(xué)裝置—MOCVD高端裝備,并在硅襯底上生長第三代半導(dǎo)體InGaN黃光LED材料,取得了歷史性突破,將黃光LED的光效由國際上報道的不足10%,提升到了27.9%,結(jié)束了國際市場上長期缺乏高光效黃光LED的局面。國際同行、諾貝爾獎獲得者中村修二教授高度稱贊這項成果:“硅基黃光LED的技術(shù)水平國際領(lǐng)先,這是屬于中國人首次發(fā)明的照明技術(shù),它有非常大的價值。”陳良惠院士領(lǐng)銜的12位業(yè)內(nèi)專家,對
南昌大學(xué)
2021-04-14