新型高速低功耗鐵電存儲(chǔ)器
我國每年將進(jìn)口200多億美元的存儲(chǔ)器芯片,而大的技術(shù)帶動(dòng)力發(fā)揮著關(guān)鍵作用,其產(chǎn)業(yè)中心的不斷轉(zhuǎn)移也深地出響了世界范圍內(nèi)的產(chǎn)業(yè)格局,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)工藝技術(shù)先進(jìn),產(chǎn)品量大,替代性強(qiáng),美歐日韓等集成電路強(qiáng)國無不是從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)切入并逐漸發(fā)展壯大的。建立完全自主的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)可以推動(dòng)我國整個(gè)半導(dǎo)體工業(yè)的完善和優(yōu)化,并我國巨大的產(chǎn)品需求,就可以形成包括市場在內(nèi)的完整產(chǎn)業(yè)體系。相比于其他新型存儲(chǔ)器,鐵電存儲(chǔ)器更輕易實(shí)現(xiàn)深亞微米設(shè)計(jì),與CMOS工藝的匹配性更出色,在設(shè)計(jì)上相對FDRAM變動(dòng)最小,因而產(chǎn)業(yè)化成熟度最高,美國Cypress.TI公司和日本Fujtsu.Rohm公司等已有4K~8Mbit系列產(chǎn)品,正逐步占領(lǐng)全球消費(fèi)類電子、新能源汽車等領(lǐng)域數(shù)百億美元的市場份額,進(jìn)軍物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算等新興領(lǐng)域鐵電存儲(chǔ)器具有非易失(即掉電后數(shù)據(jù)不丟失)、超低功耗高速讀寫、高可靠、長壽命和抗輻照等優(yōu)點(diǎn),被稱為“終極存儲(chǔ)器”。從全球存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展來看,鐵電存儲(chǔ)器作為新代存儲(chǔ)器,能夠在快速高耐久寫入、超低功耗以及高可靠性的應(yīng)用領(lǐng)域全面替代傳統(tǒng)的NVRAM。
電子科技大學(xué)
2021-04-10