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1.實(shí)現(xiàn)煤礦井下工作面的無(wú)線(xiàn)通訊。 2.實(shí)現(xiàn)采煤工作面物聯(lián)網(wǎng)監(jiān)測(cè)設(shè)備的電池自供電，達(dá)到自適應(yīng)頻率采集。 3.通過(guò)軟件的智能分析，對(duì)工作面采煤裝備的工作狀態(tài)進(jìn)行預(yù)警。 4.搭建服務(wù)器云平臺(tái)，建立大數(shù)據(jù)中心，拓展相應(yīng)數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)通過(guò)PC端，手機(jī)端報(bào)警推送。

東南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院落地式高速冷凍離心機(jī)采購(gòu)招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在東南大學(xué)采購(gòu)中心網(wǎng)（https://dnzb.seu.edu.cn/）獲取招標(biāo)文件，并于2022年06月16日14點(diǎn)30分（北京時(shí)間）前遞交投標(biāo)文件。

1.4×25Gb/s NRZ Optical Transmitter and Receiver; 2.50G PON Burst Mode TIA; 3.4×56Gbaud/s PAM4 Optical Transmitter and Receiver。 陳瑩梅教授團(tuán)隊(duì)于2015年至2020年期間，共承接華為技術(shù)有限公司、海思光電子有限公司等多家企業(yè)的橫向合作項(xiàng)目9項(xiàng)，其中10G線(xiàn)性均衡器芯片已在海思商用，高速以太電口模擬器已在華為量產(chǎn)，24路總傳輸速率1.344Tb/s的數(shù)控可調(diào)衰減器芯片正在華為量產(chǎn)準(zhǔn)備中。

基于阿爾茲海默癥（AD）病理機(jī)制和血腦屏障（BBB）藥物滲透限制，該團(tuán)隊(duì)全面總結(jié)了近年來(lái)靶向阻斷AD疾病進(jìn)程的納米藥物應(yīng)用進(jìn)展，并探討了以病理機(jī)制指導(dǎo)的納米藥物設(shè)計(jì)原則。

北京交通大學(xué)（前沿）高速鐵路設(shè)備設(shè)施服役狀態(tài)智能感知與態(tài)勢(shì)分析研究項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)性磋商

在大面積柔性襯底上直接生長(zhǎng)集成高品質(zhì)晶硅納米線(xiàn)溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴(lài)高溫生長(zhǎng)過(guò)程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點(diǎn)<150 ℃）所無(wú)法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線(xiàn)生長(zhǎng)模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長(zhǎng)策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對(duì)特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實(shí)現(xiàn)僅在液滴/納米線(xiàn)生長(zhǎng)界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動(dòng)晶硅納米線(xiàn)在柔性襯底上的超高速度生長(zhǎng)：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長(zhǎng)速度可以高達(dá)3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線(xiàn)生長(zhǎng)速度提高了3個(gè)數(shù)量級(jí)。值得一提的是，即便在此高速生長(zhǎng)過(guò)程中，IPSLS納米線(xiàn)的生長(zhǎng)路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線(xiàn)形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過(guò)調(diào)控激光照射時(shí)序，可以對(duì)納米線(xiàn)生長(zhǎng)動(dòng)態(tài)過(guò)程進(jìn)行前所未有的精確調(diào)控（例如，對(duì)生長(zhǎng)液滴實(shí)現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實(shí)現(xiàn)對(duì)超長(zhǎng)納米線(xiàn)的精準(zhǔn)形貌/直徑編碼。基于此技術(shù)，成功在柔性PI襯底上生長(zhǎng)高品質(zhì)納米線(xiàn)溝道，并制備了納米線(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開(kāi)關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長(zhǎng)策略有望推廣應(yīng)用于：在各類(lèi)大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長(zhǎng)和集成高品質(zhì)晶硅納米線(xiàn)陣列，為推動(dòng)各種高性能柔性電子器件的規(guī)模化應(yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線(xiàn)。