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中試階段/n該項(xiàng)目2016年獲得湖北省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。由于乙酰甲喹和喹烯酮尚未確定每日允許攝入量(ADI)、殘留標(biāo)識(shí)物(MR)和靶組織(TT)，未能制訂最高殘留限量(MRLs)和休藥期(WP)，喹乙醇僅有豬肌肉暫定MR及MRL，這三種藥物一直沒有科學(xué)的食品安全標(biāo)準(zhǔn)和風(fēng)險(xiǎn)管控技術(shù)，消費(fèi)者健康受到威脅。

工業(yè)大中型電加熱器通常采用多圈環(huán)形分層布置U型電加熱管，并以弓形折流板支撐管束，其U型電加熱管管間距各不相同，使流場分布不均勻，而且存在著有流動(dòng)死區(qū)、傳熱系數(shù)較低、流動(dòng)阻力較大，易誘導(dǎo)振動(dòng)和結(jié)垢、電加熱管表面溫度不均勻、易形成局部熱點(diǎn)，縮短使用壽命等缺點(diǎn)。斜日字單元正三角形布管螺旋折流板電加熱器按正三角形網(wǎng)格布管，流動(dòng)方向基本不變，具有高效低阻的優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明公開了一種在水性溶液中制備剝離型LDH/CNT復(fù)合材料的方法，先通過尿素法或氨水法在碳納米管的水分散液中合成層狀雙金屬氫氧化物，制得未剝離LDH/CNT復(fù)合物，接著通過酸-鹽混合溶液處理將LDH/CNT復(fù)合物中LDH層間的碳酸根離子置換成與層板結(jié)合力較弱的陰離子，然后再次通過離子交換將有機(jī)離子引入層間，從而制得剝離型LDH/CNT復(fù)合物；制得的復(fù)合物既呈現(xiàn)LDH的單層或幾層剝離，又保留了CNT良好的分散性。本發(fā)明簡單易行、耗時(shí)短、無需有毒溶劑，而且無需在高溫下進(jìn)行，成本低。

本項(xiàng)目主要研究高溫高壓環(huán)境下基于可調(diào)諧二極管激光吸收光譜技術(shù)的氣體診斷方法。在對(duì)高溫高壓下2.0 μm 波段的部分CO2 譜線參數(shù)及可用于譜線擬合的線型進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測量及理論計(jì)算分析的基礎(chǔ)上，采用中心波長位于2.0 μm 附近的可調(diào)諧二極管激光器作為光源，結(jié)合固定波長的吸收光譜調(diào)制技術(shù)，基于通過一對(duì)CO2 譜線的諧波信號(hào)所實(shí)現(xiàn)的對(duì)高溫高壓環(huán)境中溫度以及CO2 濃度測量的相關(guān)研究，建立一種可用于高溫高壓環(huán)境下的溫度及組份濃度的測量方法，從而可實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)燃機(jī)氣缸等設(shè)備的工作過程中燃料利用效率以及CO2 氣體排放的診斷。同時(shí)所進(jìn)行的相關(guān)高溫高壓譜線參數(shù)和線型的研究，可對(duì)HITRAN 數(shù)據(jù)庫中2.0 μm 波段的部分CO2 譜線參數(shù)進(jìn)行補(bǔ)充和矯正，并可為高溫高壓環(huán)境下分子譜線的擬合及模擬尋找合適的線型。 現(xiàn)狀特點(diǎn)：可調(diào)諧二極管激光吸收光譜技術(shù)是利用二極管激光器波長調(diào)諧特性，獲得被測氣體特征吸收光譜范圍內(nèi)的吸收光譜，從而對(duì)氣體進(jìn)行定性分析或定量分析的一種新技術(shù)。該技術(shù)具有高靈敏度、非接觸式、實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)、多組分同時(shí)測量等優(yōu)點(diǎn)。由于二極管激光器的高單色性，可以利用待測氣體分子的一條孤立吸收譜線進(jìn)行測量，避免了其他分子譜線的交叉干擾，從而準(zhǔn)確地鑒別出待測氣體。TDLAS 在許多領(lǐng)域有著潛在的重要應(yīng)用價(jià)值，是近年來國際上非常熱門的研究領(lǐng)域之一，其主要的應(yīng)用領(lǐng)域有：分子光譜研究、機(jī)動(dòng)車尾氣測量、工業(yè)過程監(jiān)測控制、天然氣泄漏及有毒有害氣體監(jiān)測、大氣痕量氣體檢測、醫(yī)療診斷、大氣氣溶膠測量等領(lǐng)域。 技術(shù)創(chuàng)新：采用價(jià)格較為低廉的2.0μm 波段DFB 型半導(dǎo)體激光器，結(jié)合固定波長的調(diào)制光譜技術(shù)，通過一對(duì)CO2 譜線實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度及CO2 濃度的測量，在保證探測靈敏度的同時(shí)，簡化了裝置結(jié)構(gòu)，降低了系統(tǒng)成本，有助于儀器便攜化和產(chǎn)業(yè)化的實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明屬于植物生物技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種標(biāo)記蘋果授粉后花粉管微絲細(xì)胞骨架的試劑盒及方法。先提供一種標(biāo)記蘋果授粉后花粉管微絲細(xì)胞骨架的試劑盒，包括：花柱固定液試劑A，花柱洗滌液試劑B，微絲染料試劑C和胼胝質(zhì)免疫熒光試劑D。再應(yīng)用所述試劑盒標(biāo)記微絲細(xì)胞骨架，步驟為：1)取授粉的花柱；2)用花柱固定液試劑A對(duì)花柱固定；3)用花柱洗滌液試劑B對(duì)花柱洗滌；4)用微絲染料試劑C和胼胝質(zhì)免疫熒光試劑D的混合溶液對(duì)花柱染色；5)對(duì)花柱滴加抗熒光猝滅劑，在激光共聚焦顯微鏡下觀察花柱中花粉管微絲細(xì)胞骨架。本發(fā)明所述試劑盒和方法實(shí)現(xiàn)了快速、靈敏、準(zhǔn)確、簡便地觀察蘋果花粉管內(nèi)微絲骨架的結(jié)構(gòu)與排列方式。

（專利號(hào)：ZL 201310543020.9） 簡介：本發(fā)明公開了一種內(nèi)置PVC-FRP管高強(qiáng)混凝土芯柱的鋼管混凝土異形柱的制作方法，屬于土木工程技術(shù)領(lǐng)域。該組合柱的制作方法為：（1）制作PVC-FRP管；（2）在PVC-FRP管內(nèi)綁扎鋼筋，澆筑混凝土，制成PVC-FRP管高強(qiáng)混凝土芯柱；（3）在PVC-FRP管高強(qiáng)混凝土芯柱外綁扎鋼筋，制作帶加勁肋的異形鋼管；（4）在PVC-FRP管高強(qiáng)混凝土芯柱和異形鋼管內(nèi)澆筑混凝土，制成內(nèi)置PVC-

項(xiàng)目簡介 本項(xiàng)目涉及新型噴動(dòng)床糧食干燥設(shè)備領(lǐng)域，主要用于糧食干燥。采用一種去除啟動(dòng) 阻力即去阻和靈活調(diào)節(jié)導(dǎo)噴距即調(diào)距的噴動(dòng)床結(jié)構(gòu)，獨(dú)立設(shè)計(jì)噴動(dòng)床環(huán)隙區(qū)糧食的補(bǔ)風(fēng) 結(jié)構(gòu)，融合旋轉(zhuǎn)導(dǎo)向管噴動(dòng)床直徑放大結(jié)構(gòu)，提供一種具有新的干燥特性和操作能力的 批式糧食噴動(dòng)床干燥裝置。整個(gè)裝置相對(duì)于現(xiàn)有的噴動(dòng)床干燥設(shè)備，表現(xiàn)出了整體綜合 創(chuàng)新后具有了新的干燥性能、操作性能和放大能力的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明裝置適用于大麥、小 麥、水稻、大豆和玉米的批式干燥。成果已取得發(fā)明專利授權(quán)，發(fā)明

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用； ※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。 ???????