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關于高密度高純半導體陣列碳納米管材料的研究
北大科研團隊在《科學》雜志發表的成果，標志著碳管電子學領域、以及碳基半導體工業化的共同難題被攻克。科研團隊表示，如果碳基信息器件技術，可以充分利用碳管在物理、電子、化學和機械方面的特殊優勢，就有希望生產出性能優、功耗低的芯片。課題組采用多次聚合物分散和提純技術得到超高純度碳管溶液，并結合維度限制自排列法，在4英寸基底上制備出密度為120 /μm、半導體純度高達99.9999%、直徑分布在1.45±0.23 nm的碳管陣列，從而達到超大規模碳管集成電路的需求。?基于這種材料，批量制備出場效應晶體管和環形振蕩器電路，100nm柵長碳管晶體管的峰值跨導和飽和電流分別達到0.9mS/μm和1.3mA/μm（VDD=1 V），室溫下亞閾值擺幅為90mV/DEC。
北京大學
2021-04-11
高耐腐蝕性熱浸鍍Zn-Al-Mg合金材料
一、研究背景
熱浸鍍鋅是用于鋼鐵材料腐蝕防護最主要的方法之一。為了應對現代科技對鋼鐵耐腐蝕性日益增長的要求，歐美、日韓等一些發達國家先后研發出了一批具有高耐腐蝕性的熱浸鍍用Zn-Al系合金材料（見表1），尤其是Zn-Al-Mg合金具有優異的耐腐蝕性，如日本新日鐵公司開發的SuperDyma合金鍍層，耐蝕性大約為普通純鋅鍍層的15倍以上，可與部分不銹鋼相媲美，但是成本遠低于不銹鋼產品，具有極大的市場價值。
我國是世界上最大的熱鍍鋅板生產國，而山東省的熱鍍鋅板產能位居全國第一，但絕大部分為普通鍍鋅板，以及少量的鍍鋁鋅硅板產品。因此，研究和開發高耐腐蝕性Zn-Al-Mg合金鍍層材料，對山東省鋼鐵材料產業的轉型升級具有非常重要的經濟和社會價值。
二、項目內容
本項目系統研究了Ti, Sb元素對熱浸鍍Zn-11Al-3Mg合金組織與性能的影響。通過XRD對Zn-11Al-3Mg-Ti-Sb合金試樣進行了物相分析，通過SEM和EDS觀察和分析了合金試樣的組織結構，通過洛氏硬度計測量分析了合金試樣的硬度性能，通過電化學阻抗分析和電化學極化分析，研究了不同含量Ti、Sb元素對合金耐腐蝕性能的影響，并在實驗室進行了鋼板熱浸鍍實驗。
三、項目產業化可行性分析
前已述及，本項目市場前景非常廣闊，目前日韓等國生產的熱浸鍍Zn-Al-Mg板材在國內市場已有銷售，售價比國內普通熱鍍鋅板貴一倍以上，產品增值極為顯著。本項目技術創新達到了國內領先水平，已經獲得國家發明專利授權（圖4），技術轉化條件趨近成熟，實驗室也進行了小批量的熱浸鍍實驗。我們希望與省內具有較強實力的熱浸鍍板生產廠家進行合作，繼續完成相關性能的測試和中試試驗，早日實現該項目的產業化生產。
四、項目負責人及團隊簡介
項目負責人：周國榮，博士，副教授，目前主要從事金屬板材涂鍍材料的研究，承擔山東省重點研發計劃1項，完成山東省博士基金1項，同時參與了多項國家和省部級項目的研究，已發表SCI/EI收錄的研究論文20余篇，已獲國家發明專利授權3項，曾于2011年10月赴韓國國立慶尚大學訪學1年；
項目組成員包括教授1人、副教授2人、講師2人、碩士研究生2人，秉持嚴謹踏實、團結協作的精神，致力于實踐“學以致用、學有所用”的宗旨，期望發揮高校科研能力強之長，增補企業研發力量弱之短，努力實現產學研緊密結合，將實驗室的科研能力轉化為企業的產品競爭力，為祖國早日成為世界制造強國添磚加瓦！
濟南大學
2021-05-11
一種高光譜圖像端元個數自動估計的端元提取方法
本發明公開了一種高光譜圖像端元個數自動估計的端元提取方 法，首先使用 PPI 算法計算高光譜圖像中所有像元的 PPI 值，根據像 元的 PPI 值確定初始候選端元集，并對初始候選端元按 PPI 值由大到 小進行排序；然后依次剔除初始候選端元集中獨立性最弱的候選端元， 同時獲得隨端元個數遞減的候選端元集的重構精度曲線和端元獨立性 曲線，通過尋找這兩條曲線變化的顯著性位置確定端元個數的取值范 圍；最后利用 SGA 算法獲取不同端元個數下的二次選擇候選端元集， 根據這些候選端元集所構成的重構精度曲線，確定最終的端元個數， 同時獲得最終的端元提取結果。本發明不需要事先給定端元的個數， 有利于端元提取的自動化處理，同時提取的端元準確性高。
華中科技大學
2021-04-11
高流變軟土強夯置換時填料的運移軌跡探測實驗裝置
本發明公開了一種高流變軟土強夯置換時填料的運移軌跡探測實驗裝置，主要由模型試驗箱、夯擊加載系統、外部觀測系統、金屬探測系統和位移分析系統五個部分組成。其中，金屬探測系統內嵌于模型箱裝置兩側擋板中，并通過擋板外壁開口槽與外接位移分析系統相連接，用于在整個實驗過程中對顆粒運移軌跡的信號探測。夯擊加載系統通過支架固定于模型箱正上部，通過刻度可人工精確定位強夯下夯錘縱橫向位置，同時手動調節落距，從而模擬實現自由落錘等復雜動作。本裝置制造簡單、測量結果準確可靠，通過電磁信號追蹤，可以獲取在強夯沖擊荷載作用下高流變軟土填料的運移軌跡，制造簡單、測量結果準確可靠。
東南大學
2021-04-11
一種利用數字基高比時間模型的高程定位精度提升方法
本發明公開了一種利用數字基高比時間模型的高程定位精度提升方法,包括首先,利用數字基高比時間模型建立立體測圖的交會影像數與高程定位精度的關聯模型第二,根據交會影像數與高程定位精度的關聯模型構建相機陣列系統第三,將相機陣列系統搭載在飛機平臺上對地面拍照,獲取影像序列第四,采用多基線影像編組方法對影像序列進行立體測圖,解求地面點三維坐標。
北京大學
2021-02-01
用長效高親和香精微膠囊的柔順劑制備及應用方法
本發明提供一種用長效高親和香精微膠囊的柔順劑制備及應用，首先以非離子表面活性劑和雙親性高分子制備成復合分散劑，香精為芯材，醚化蜜胺樹脂為壁材，制備得到香精微膠囊；再以其為原料制備了一種長效高親和的芳香微膠囊柔順劑；提供了這種長效高親和的芳香微膠囊柔順劑的應用方法。本發明效果為采用一種簡便環保的制備方法得到香精微膠囊，可以適用于各種離子體系的柔順劑、洗衣液等，其香精含量可達20%-30%，固含量可達22-35%，相比市售其他香精微膠囊產品固含量可提高10%-15%，對香精包裹率可達60%-70%，且具有良好的穩定性。同時，以這種香精微膠囊為原料制備的長效高親和的芳香微膠囊柔順劑對織物的上香效果良好，織物留香時間長，靜置留香可達6個月，揉搓后具有香氣爆發力。
天津城建大學
2021-04-11
一種寬輸入范圍高電源抑制比的帶隙基準電壓源
一種寬輸入范圍高電源抑制比的帶隙基準電壓源，包括電壓預調節電路和帶隙基準核電路，電壓預調節電路產生一個低溫漂、高電源抑制比的預調節電壓Ｖｒｅｇ對帶隙基準核電路進行供電，帶隙基準核電路包括啟動電路、負溫度系數電流ＩＣＴＡＴ產生電路、正溫度系數電流ＩＰＴＡＴ產生電路和非線性電流ＩＮＬ產生電路，非線性電流ＩＮＬ產生電路用于補償負溫度系數電流ＩＣＴＡＴ產生電路中的高階溫度分量，通過疊加電流ＩＣＴＡＴ、ＩＰＴＡＴ、ＩＮＬ并由電流?電壓轉換電路得到近似零溫度系數的基準電壓Ｖｒｅｆ。
東南大學
2021-04-11
硫酸鈣的高值化利用——有機酸行業廢渣石膏的處理
成果簡介： 有機酸行業有大量的固廢硫酸鈣，難以處理。本技術通過一套新型的轉晶的技術，并開發了一系列轉晶劑和改性劑，可以有效的將普通的二水合物硫酸鈣，轉化為硫酸鈣晶須（市場價4500元/噸），極大的提升了產品的附加值，所得晶須的堆積密度在0.18~0.21g/cm3，含水量小于0.5%，白度高，穩定性好，且呈現出良好的力學性能，可以廣泛應用至造紙、橡膠、涂料
南京工業大學
2021-01-12
高功率鋅鎳一次電池正極羥基氧化鎳材料生產技術
高功率鋅鎳一次電池具有很多優點：①與堿錳電池相比可大功率放電，適合數碼相機、攝像機、電動玩具等便攜式電子產品使用，如在數碼相機中照相的張數可比堿錳電池多3倍以上；②與鎳氫電池、鋰離子電池相比則不需要充電器進行充電，買來則可使用，很方便；③組裝工藝成熟，可利用現成的堿錳電池生產線組裝；④適用面廣，目前使用鋅錳電池、堿錳電池、鎳氫電池的地方就可使用鋅鎳一次電池；⑤綠色電池，對環境沒有污染。生產鋅鎳一次電池的關鍵就在于其正極材料羥基氧化鎳，羥基氧化鎳的研發國內外都剛剛起
廈門大學
2021-01-12
二維Bi2O2Se超快高敏紅外芯片材料
具有超高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定和可批量制備特點的全新二維半導體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現出優異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(從可見光到1700 nm短波紅外區)，并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區1200nm處靈敏度高達~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩定性，完全可暴露于空氣中存放數月且保持穩定。
北京大學
2021-04-11