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酸性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法
本發明公開了一種酸性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法。采用酸性烤藍工藝在軟磁合金粉末表面包覆由尺寸均勻的納米Fe3O4形成的包覆層，經粘結、壓制成型、熱處理工藝，制備新型的軟磁復合材料。本發明的優點是：采用酸性烤藍工藝制備Fe3O4方法簡單，并且容易控制Fe3O4層的厚度, 由于該反應是原位反應，因此制備的絕緣層致密，與磁粉的結合度高。與傳統的軟磁復合材料相比，由于絕緣層為亞鐵磁性的Fe3O4，有效減少了磁稀釋現象，從而可以得到具有高飽和磁通密度、高磁導率的軟磁復合材料。
浙江大學
2021-04-11
堿性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法
本發明公開了一種堿性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法。采用堿性烤藍工藝使磁粉表面氧化生成一層均勻的Fe3O4的絕緣層，然后經粘結、壓制成型、熱處理工藝，制備新型軟磁復合材料。本發明的優點是：采用堿性烤藍工藝制備的Fe3O4是在軟磁粉末的表面原位生長，因此絕緣包覆層與磁粉之間結合度高，并且包覆均勻致密；由于Fe3O4具有較高的電阻率，因此具有較好的絕緣效果；另一方面，用亞鐵磁性的Fe3O4作為絕緣包覆劑，克服了傳統非磁性物質作為包覆劑的磁稀釋現象，可以獲得更高的磁導率及磁通密度；堿性烤藍工藝操作簡單，成本較低，有利于實現工業化生產。
浙江大學
2021-04-11
新型節能高效大舉力密度叉車及其動力匹配關鍵技術研究與應用
物流業是我國國民經濟的支柱產業和重要的現代服務業，2017年全國社會物流總額為252.8萬億元，社會物流總費用與GDP的比率達14.6%。物流裝卸時間耗時巨大，如海運裝卸約占總運輸時間50%，降低物流裝卸時間對千提高物流效率具有重大意義。叉車作為物流業裝卸、堆跺搬運環節中必不可少的裝備，在物流裝卸搬運中占據核心地位，是提高物流效率、降低物流成本的重要保障，在國民經濟發展中具有重要意義。
項目實施前，國內高端叉車技術被國外壟斷，長期依賴進口，國產叉車搬運效率燃油能耗高，舉力密度低，設計制造周期長，不能滿足市場的迫切需求，嚴重制約我國物流業的快速發展。
浙江大學團隊在國家科技支撐計劃、浙江省重大科技專項的支持下，依托流體動力與機電系統國家重點實驗室、國家認定企業技術中心、國家認可實驗室的國家一流創新載體，圍繞新型節能高效叉車的設計、動力匹配、強度與振動、梊成控制方面展開技術攻關，完成了A、R、XF、X系列叉車的研制，典型產品節能10％以上，效率提高20%。項目成果成功實現了重大技術創新，具有自主知識產權，總體技術達到國際先進水平，產品成功應用于港口、機場、大型電商物流倉庫等重要場合，實現了智能化裝卸、堆跺和短距搬運，極大提高物流效率，為我國經濟建設做出重大貢獻。
浙江大學
2023-05-10
基于核外電子概率密度分布的復雜曲面零件匹配檢測方法
本發明屬于精密加工與測量技術領域，并公開了一種基于核外 電子概率密度分布的復雜曲面零件匹配檢測方法，包括:對待測零件 進行非接觸式掃描獲得掃描點云，并將其與設計點云組成匹配比較對 象;將兩片點云轉換到同一三維坐標系內，并將各個點看作原子的原子核，將此原子核的鄰域點看作核外電子，遍歷所有點計算得出其對 應的電子概率密度分布值;基于計算得出的電子概率密度分布值確定 兩個模型的誤差，并在當前誤差不滿足終止條件時對測量點云進行粗 匹配和精匹配，直至滿足終止條件為止。通過本發明，能夠有效解決 現有非接觸式匹配
華中科技大學
2021-04-14
一種制備高臨界電流密度釔鋇銅氧超導薄膜的方法
本新技術成果（ZL200910058055.7）于2012年3月21日授權。
西南交通大學
2016-06-27
進展 | 電子系崔開宇在超光譜成像芯片方面取得重要進展，研制出國際首款實時超光譜成像芯片
清華大學電子工程系黃翊東教授團隊崔開宇副教授帶領學生在超光譜成像芯片方面取得重要進展，研制出國際首款實時超光譜成像芯片，相比已有光譜檢測技術實現了從單點光譜儀到超光譜成像芯片的跨越。
清華大學
2022-05-30
東南大學毫米波CMOS芯片研發取得重大突破
由東南大學信息科學與工程學院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯合成都天銳星通科技有限公司、網絡通信與安全紫金山實驗室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規模集成陣列天線技術”項目成果通過了中國電子學會組織的現場鑒定。 由中國工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來自中國移動、信通院、華為、中興、大唐電信和國內5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會對該項成果進行了現場鑒定并給予了高度評價，一致認為：該項目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規模推廣應用的核心技術瓶頸問題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規模集成陣列天線低成本解決方案，多項關鍵技術屬首創；在硅基CMOS毫米波技術路線取得重大突破，在大規模相控陣天線集成度方面國際領先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛星通信等領域具有廣闊的應用前景，在該領域“卡脖子”技術上取得關鍵突破，已在相關應用部門得以成功推廣應用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經超過250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術的突破，將帶來無線通信行業的一次變革，解決相控陣系統“不是不想用，只是用不起”的問題，把毫米波芯片及大規模相控陣變成來一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優勢，但其輸出功率相對較低，器件本身寄生效應較大。項目組經過長達6年的技術探索與創新，克服了毫米波CMOS芯片技術的固有瓶頸問題，所研制的芯片噪聲系數為3dB，發射通道效率達到15%，無需校準便可實現精確幅相調控；基于大規模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問題。
東南大學
2021-02-01
超低功耗、高可靠和強實時微控制器芯片
本項目重點研究面向物聯網極低功耗微控制器關鍵技術，包括寬電壓標準單元和片上存儲器設計技術、工藝-電壓-溫度（PVT）偏差檢測技術與自適應動態電壓和頻率調節技術、快速響應的寬負載高效率電源轉換技術、低功耗高精度模數轉換電路設計技術、極低功耗快速啟動晶體振蕩器技術；面向工業控制微控制器關鍵技術，包括高可靠處理器架構、低延時訪問存儲策略、納秒級中斷響應處理技術、容錯型自糾錯SRAM 設計技術、高精度時鐘基準電路設計技術。
東南大學
2021-04-11
一種RFID讀寫器芯片中測系統及方法
本技術成果涉及集成電路測試技術領 域，公開了一種RFID讀寫器芯片中測系 統及方法
中山大學
2021-04-10
基于超陡擺幅器件的極低功耗物聯網芯片
隨著集成電路的發展，功耗問題越來越成為制約的瓶頸問題。特別是在即將到來的萬物互聯智能時代，物聯網、生物醫療、可穿戴設備和人工智能等新興領域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態功耗。面向未來龐大的物聯網節點應用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來越多的關注。受玻爾茲曼限制，傳統晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關鍵因素，基于傳統CMOS晶體管的集成電路已經無法滿足物聯網節點等對極低功耗的需求。 本項目基于標準CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進一步研發具有極低功耗的物聯網節點芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統晶體管的量子帶帶隧穿機制，可突破亞閾擺幅極限，同時獲得比傳統晶體管低2個量級以上的關態電流性能，具備極其優越的低靜態功耗性能。通過超陡亞閾擺幅器件及電路技術的研究和突破，可促進我國物聯網芯片產業的發展，顯著提高物聯網節點的工作時間，具有重要的應用價值。
北京大學
2021-02-01