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SpinQ扎根于量子計算領域，專注于實用型超導芯片量子計算機、桌面型核磁共振量子計算機、以及量子計算相關軟件的自主研發，推動量子計算的普及化和產業化，讓量子計算改變世界。 公司成立于2018年，核心團隊由來自于清華大學、中國科學技術大學、滑鐵盧大學以及華盛頓大學的量子計算專家組成。香港科技大學曾蓓教授擔任公司首席科學家。公司還擁有一只強大的科學和技術顧問團隊——包括中國科學院院士、加拿大科學院院士以及世界著名教授。 2019年12月成功研發全球首款桌面型核磁共振量子計算機產品——“雙子座”，2020年10月發布最新一代通用量子云平臺“金牛座”。漫漫星河，以夢為馬，量旋科技致力于量子計算產業化，以雙子座和金牛座為起點，未來將推進量子計算產品迭代和實用型超導芯片量子計算機的研發，為用戶提供穩定、易用和高可用性的量子計算全套解決方案。

本發明公開了一種基于高程等值線法量測樹冠體積的方法。該方法是在不用伐倒立木的情況下，通過免棱鏡激光全站儀獲取樹冠三維空間坐標，以此繪制樹冠的等高線，運用等高線建立樹冠的數字高程模型計算出樹冠的體積，這大大提高工作效率，降低勞動強度，尤其是避免了由于傳統的樹木體積過程中，需要砍伐大量的樹木以獲取區分斷面直徑，對森林造成損傷大的現象，具有廣闊的市場前景。

項目成果/簡介:本發明公開了一種基于高程等值線法量測樹冠體積的方法。該方法是在不用伐倒立木的情況下，通過免棱鏡激光全站儀獲取樹冠三維空間坐標，以此繪制樹冠的等高線，運用等高線建立樹冠的數字高程模型計算出樹冠的體積，這大大提高工作效率，降低勞動強度，尤其是避免了由于傳統的樹木體積過程中，需要砍伐大量的樹木以獲取區分斷面直徑，對森林造成損傷大的現象，具有廣闊的市場前景。

本發明公開了一種利用約束墻消減深厚軟土地基沉降量的方法。其理論基礎是依據地基附加壓力向深部衰減、軟土地基被約束后水平變形（側向移動）終止、以及軟土隨深度增加承載能力提高的原理，將有限深度的上層軟土約束起來，使之在壓力作用下提高承載能力，減少沉降量。既不擾動下層土，又能充分利用其故有承載能力。其設計施工程序簡便，便于操作，約束墻本身使用的材料成本低，通過本發明得到的約束墻強度高、沉降控制效果好。

傳統的雙組份點膠系統的點膠部分自成一體，在點膠頭加減速運動過程（特別是不規則圖形點膠）中，點膠速度并不能自動跟隨加減速，造成點膠頭低速（曲線啟始或曲線拐彎）時點膠過多，而在高速時點膠又不夠的不均勻問題。本發明是在三軸運動控制平臺基礎上添加A和B兩軸由步進電機或伺服電機帶動的點膠泵構成五軸聯動的插補數控系統，充分考慮機床的運動、A、B料的點膠泵的運動及外界溫度的相互影響，滿足從任意當前速度和加速度過渡到可隨時調節的任意目標速度的S型的加減速，能使點膠運動具有較高平穩性，實現AB膠點機的

本發明提供一種光學反射模型與微波散射模型協同的森林生物量反演方法，包括 1)通過對比光學 與微波輻射傳輸模型的異同，構建光學與微波輻射傳輸協同模型;2)基于單木生長模型、光學與微波 輻射傳輸協同模型，構建森林的光學二向反射和微波后向散射特征數據庫及相應的森林地上生物量參數 庫;3)基于光學與微波協同模擬數據庫，分別構建生物量反演的單源光學模型與單源微波模型;4)通 過光學與微波關鍵因子的敏感性分析，確定協同模型中光學與微波數據各自所占權重，從而構建 AGB 反演的光學微波協同模型。本發明將光學遙感數據與微波遙感數據相結合，充分發揮兩者反演生物量的 優勢，有效提高了森林地上生物量的定量反演精度。

一、項目簡介動力鋰離子電池在社會生產和生活中具有廣泛的應用，比如新能源汽車。發展高能量動力鋰離子電池關鍵之一就是發展具備高儲能能力的正極電極材料。高鎳系鎳鈷錳酸鋰 LiNixCoyMnzO2(NCM)具有高的儲能容量(>200 mAh/g)、高的工作電壓和理論能量密度（800 Wh/kg），能夠滿足單體電池能量密度的要求，是當前重點研究對象。本項目成功發展高鎳系三元正極材料，包括兩個類別即 NCM-1 和 NCM-2。NCM-1 展示了優異的電化學性能，在 2.7-4.5 V 工作電壓區間和 0.1C 倍率下放電比容量大約 210 mAh/g；當倍率增加到 5C 時，放電比容量依然可以達到 150mAh/g；在 0.5 C 倍率下，經過 100 次充放電循環后，其容量保持率在 95%以上。NCM-2 放點比容量較低，但是穩定性能更優。二、產品性能優勢該系列高鎳系三元正極材料具有高的克比容量、優異的循環穩定性和倍率性能。同時，該系列產品采用目前工業化制備方法，便于推廣。三、市場前景及應用2018 年中國鋰電正極材料市場總產值達 540 億元，其中三元正極材料占比最大，達 258 億，總占

今年以來，三維數碼成像與顯示產業迅速崛起，各類三維研究和產業項目如火如荼地向著高舒適度、高臨場感新一代平板裸眼三維立體顯示技術發展。因此，結合上述傳感器和平板裸視三維顯示技術，發展新一代高靈敏、高品質三維數碼相機，將贏得新一代數碼相機的巨大應用市場和發展機會。 南開大學現代光學研究所目前承擔國家科技部973項目，研究適用于平板顯示器的高舒適度、高臨場感新一代大尺寸裸視三維立體顯示技術，目前已經研制出了基于微透鏡陣列的裸視三維顯示實驗裝置，能夠在平板顯示器的內外兩側展示大尺寸的、清晰的

成果描述：本發明公開了一種柴油機微粒捕集器DPF碳累積量估計方法，通過壓差傳感器測得DPF前后總壓力差，根據DPF前后總壓力差和廢氣體積流量得到DPF的總流阻，根據灰分質量和廢氣體積流量得到DPF殘余碳產生的流阻，總流阻減去白載體流阻及殘余碳產生的流阻即可得到積碳所產生的流阻，根據積碳產生的流阻與廢氣體積流量即可得到碳積累量；所述灰分質量通過廢氣質量流量和發動機轉速經過積分計算得到。本發明提出了碳積累量增量估計方法，可以基于當前總流阻、當前灰分質量和當前廢氣體積流量計算出碳積累量的增量，然后得到當前的碳積累量。本發明方法得到的DPF碳累積量估計精度更高，而且避免了使用現有估計方法中物理意義不明確的參數，估計過程更加快速精確，從而大大提高了判斷DPF再生時機的準確性。市場前景分析：內燃機技術領域。與同類成果相比的優勢分析：技術先進，性價比較高。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。