高頻高功率密度GaN柵驅(qū)動(dòng)電路
作為第三代半導(dǎo)體代表性器件.硅基GaN開關(guān)器件由于具有更小的FOM.能夠把開關(guān)頻率推到MHz應(yīng)用范圍,突破了傳統(tǒng)電源功率密度和效率瓶頸(功率密度提高5-10倍).且具有成本優(yōu)勢,滿足未來通信、計(jì)算電源、汽車電子等各方面需求,開展相關(guān)領(lǐng)域的研究對我國在下一代電力電子器件產(chǎn)業(yè)的全球競爭中實(shí)現(xiàn)彎道超車,具有重要意義。然而,器件物理特殊性需要定制化柵驅(qū)動(dòng)電路和采用先進(jìn)的環(huán)路控制策略,最大程度提高GaN開關(guān)應(yīng)用的可靠性,發(fā)揮其高頻優(yōu)勢。
電子科技大學(xué)
2021-04-10