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在基于功能核酸的納米藥物開發(fā)方面取得研究進(jìn)展
從研究核酸的高分子特性以及化學(xué)改性方法入手，成功研究出若干有實(shí)際應(yīng)用價(jià)值的新型生物醫(yī)用核酸材料 癌癥的早期診斷和靶向性治療一直是最重要的科學(xué)問題之一。近年來，生物相容、能
南方科技大學(xué)
2021-04-14
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一種軸向磁通開關(guān)磁阻電機(jī)的定轉(zhuǎn)子機(jī)構(gòu)
本發(fā)明公開了一種具有新型定轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)的軸向磁通開關(guān)磁阻電 機(jī)，該定轉(zhuǎn)子機(jī)構(gòu)包括同軸安裝的定子以及轉(zhuǎn)子，其中定子包括定子 齒部、定子軛部；定子齒部由有取向硅鋼片疊壓而成，其取向方向沿定子機(jī)構(gòu)的軸向方向；定子軛部采用無取向硅鋼片沿所子機(jī)構(gòu)的軸向 方向疊壓而成，無取向鋼片之間留有空隙用于安裝定子齒部；轉(zhuǎn)子由 沿硅鋼片沿定子機(jī)構(gòu)的徑向方向疊壓。按照本發(fā)明，能夠充分利用其 軋制方向上高導(dǎo)磁性，有效降低了電樞電流及電機(jī)損耗，而定轉(zhuǎn)子的 模塊化設(shè)計(jì)在利用有取向硅鋼片軋制方向上高導(dǎo)磁特性的同時(shí)也避免 了傳統(tǒng)軸向電機(jī)鐵
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于 RS485 協(xié)議的現(xiàn)場(chǎng)總線通信系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種基于 RS485 協(xié)議的現(xiàn)場(chǎng)總線通信系統(tǒng)，包括工控機(jī)核心 ARM、主站、從站以及從站擴(kuò)展子板卡，其中:所述工控機(jī)核心 ARM 與所述主站通過數(shù)據(jù)總線、地址總線和讀寫控制信號(hào)線連接；所述主站通過 RS485 通信電纜與從站分別相連構(gòu)成星型網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，所述 RS485 轉(zhuǎn)換芯片用于對(duì)所述主站和從站之間傳輸?shù)男盘?hào)進(jìn)行差分轉(zhuǎn)換后通過所述通信電纜進(jìn)行傳輸；所述從站與從站擴(kuò)展子板卡之間通過數(shù)據(jù)總線、地址總線和讀寫控制信號(hào)線連接，用于實(shí)現(xiàn)所述從站與所述從站擴(kuò)展子板卡之間的信息交互。本發(fā)明所述現(xiàn)場(chǎng)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于刀軌數(shù)據(jù)獲得其加工誤差的方法
本發(fā)明公開了一種基于刀軌數(shù)據(jù)獲得其加工誤差的方法，包括以下步驟：獲取 CAD/CAM 軟件系統(tǒng)輸出的刀軌數(shù)據(jù)，并對(duì)該刀軌數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理，以獲得參與切削的切削軌跡數(shù)據(jù)，針對(duì)切削軌跡數(shù)據(jù)，采用三點(diǎn)圓弧法計(jì)算其中刀位點(diǎn)的弓高誤差，對(duì)得到的所有刀位點(diǎn)的弓高誤差取平均值，并將結(jié)果放大 40%至 60%，以得到刀具軌跡的加工誤差。本發(fā)明能夠打破對(duì)刀軌數(shù)據(jù)進(jìn)行優(yōu)化處理所面臨的技術(shù)瓶頸，自動(dòng)計(jì)算出一個(gè)合理的加工誤差，為解決現(xiàn)有 CAD/CAM 軟件系統(tǒng)輸出刀軌數(shù)據(jù)存在的問題，如重復(fù)點(diǎn)、尖點(diǎn)以及點(diǎn)位信息分布不均勻等，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種永磁籠型的轉(zhuǎn)子變極變頻調(diào)速電機(jī)
本發(fā)明公開了一種兼有永磁和籠型轉(zhuǎn)子特點(diǎn)的變頻變極調(diào)速三 相交流電機(jī)。該電機(jī)定子變極繞組的一種極對(duì)數(shù)為 p1，另一種極對(duì)數(shù) 為 p2，p2＝np1(n 為偶數(shù))，兩種極對(duì)數(shù)對(duì)應(yīng)繞組在電路上等效獨(dú)立； 轉(zhuǎn)子表面均勻分布槽數(shù) Z2，轉(zhuǎn)子槽內(nèi)放置的導(dǎo)條用端環(huán)短路連接，轉(zhuǎn) 子內(nèi)置 2p1 個(gè)永磁體，放置于轉(zhuǎn)子槽下方。該電機(jī)運(yùn)行時(shí)，極對(duì)數(shù) p1 接入頻率為 f 的變頻電源，呈現(xiàn)自起動(dòng)永磁轉(zhuǎn)子電機(jī)特性；極對(duì)數(shù) p2 接入頻率為 2f+sf(s 為轉(zhuǎn)差率)的變頻電源，對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)子磁通不會(huì)穿過永磁 體，呈現(xiàn)籠型轉(zhuǎn)子感應(yīng)電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于整體葉輪葉片形狀的精銑變進(jìn)給速度優(yōu)化方法
本發(fā)明公開了一種基于整體葉輪葉片形狀的精銑變進(jìn)給速度優(yōu)化方法，包括：根據(jù)整體葉輪葉片的幾何形狀，生成基于球頭半徑為R<sub>T</sub>的球頭刀葉片精加工的刀位軌跡源文件，該刀位軌跡源文件記錄有加工坐標(biāo)系下的刀位點(diǎn)坐標(biāo)及其對(duì)應(yīng)的刀軸矢量，導(dǎo)入葉輪的單個(gè)葉片模型，通過葉片上的點(diǎn)到葉輪中心的距離判斷出流道與葉片的交線，提取交線并按照等弦高將該交線離散成 W 個(gè)點(diǎn)，并且這W 個(gè)點(diǎn)組成點(diǎn)集 U，設(shè)定葉片的頂端到末端縱深加速比例ω，對(duì)步驟（1）中生成的刀位軌跡源文件依次進(jìn)行逐行讀取
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于大型非平整表面沉積的裝置及方法
本發(fā)明公開了一種原子層沉積裝置，包括原子層沉積單元噴頭，所述單元噴頭包括高壓氣流入口，惰性隔離氣體入口通道，出氣口通道，和兩種前驅(qū)體入口通道，其中所述高壓氣流入口噴出高壓氣體以頂起整個(gè)沉積裝置，該裝置是微型開放式且可移動(dòng)可擴(kuò)展，能夠適用于大型非平整結(jié)構(gòu)表面薄膜沉積，并可直接經(jīng)過簡單多塊組合，增加沉積效率。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于數(shù)據(jù)去重系統(tǒng)中的碎片重寫方法
本發(fā)明公開了一種用于數(shù)據(jù)去重系統(tǒng)的碎片重寫方法，其在數(shù) 據(jù)去重中增加一個(gè)緩存作為重寫感知緩存，該重寫感知緩存中的數(shù)據(jù) 項(xiàng)為數(shù)據(jù)塊所引用的容器標(biāo)識(shí)(Container-ID)，對(duì)判定為數(shù)據(jù)碎片的數(shù) 據(jù)塊，如果其引用的容器標(biāo)識(shí)(Container-ID)已存儲(chǔ)在該重寫感知緩存 中，則此數(shù)據(jù)無需重寫，否則重寫該數(shù)據(jù)碎片。本發(fā)明的方法是在數(shù) 據(jù)去重的過程中增加了一個(gè)與數(shù)據(jù)讀時(shí)同樣大小且緩存策略相同的緩 存，避免了不必要的重復(fù)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種具備自供能電子顯示元件的復(fù)合包裝產(chǎn)品
本發(fā)明公開了一種具備自供能電子顯示元件的復(fù)合包裝產(chǎn)品， 包括相互對(duì)齊粘附的下側(cè)層狀結(jié)構(gòu)和上側(cè)層狀結(jié)構(gòu)，并且在上下側(cè)層 狀結(jié)構(gòu)的中間部位之間設(shè)置有各種不同構(gòu)造的柔性發(fā)電單元；由此可 以僅通過對(duì)上下側(cè)層狀結(jié)構(gòu)的按壓動(dòng)作，即可為暴露于上側(cè)層狀結(jié)構(gòu) 的電子顯示元件提供電源。通過本發(fā)明，能夠有效實(shí)現(xiàn)電子顯示元件 的自功供電能，同時(shí)具備結(jié)構(gòu)精巧、便于制備、靈敏度高、發(fā)電功率 大和適用性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于動(dòng)態(tài)無線充電的裝置及其參數(shù)獲取方法
本發(fā)明公開了一種用于動(dòng)態(tài)無線充電的裝置及其參數(shù)獲取方法， 包括能量發(fā)射模塊和能量接收模塊；能量發(fā)射模塊包括依次連接的高 頻逆變單元、LC 濾波單元、第一補(bǔ)償單元和功率發(fā)射線圈；高頻逆變 單元將直流源轉(zhuǎn)換為高頻交流電，經(jīng)過 LC 濾波和第一補(bǔ)償單元的調(diào)節(jié)后，以高頻磁場(chǎng)耦合方式發(fā)射能量；能量接收模塊包括依次連接的 功率接收線圈、第二補(bǔ)償單元和不控整流單元，將接收的高頻交流電 轉(zhuǎn)換為直流供給負(fù)載。本發(fā)明能夠根據(jù)功率線圈的互感耦合程度自動(dòng) 地調(diào)節(jié)原邊功率線圈電流，從而獲得保持穩(wěn)定輸出功率的特性，適用 于寬偏
華中科技大學(xué)
2021-04-14