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人才需求：化工、高分子材料等領(lǐng)域，技術(shù)、研發(fā)等方面的人才。
化工、高分子材料等領(lǐng)域，技術(shù)、研發(fā)等方面的人才。
山東兄弟科技股份有限公司
2021-08-31
人才需求：對(duì)高分子化學(xué)有一定的理論基礎(chǔ)
對(duì)高分子化學(xué)有一定的理論基礎(chǔ)
煙臺(tái)永盛金屬涂印有限公司
2021-08-31
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一種高電阻率高磁性能核殼結(jié)構(gòu)NdFeB磁粉及用途
本發(fā)明公開了一種高電阻率高磁性能核殼結(jié)構(gòu)NdFeB磁粉，該發(fā)明首先將配好的原料進(jìn)行感應(yīng)熔煉，制成平均厚度為0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片；將制得的速凝片進(jìn)行氫破碎，脫氫后得到粗破碎磁粉；然后在惰性氣體保護(hù)氣氛下，進(jìn)行氣流磨，得到粒度在1~6μm之間且粒度接近的磁粉；然后將磁粉放入管式爐中，通入流速為50~300mL/min的氨氣加熱到300~400oC并且保溫5~30min后隨爐冷卻。保溫和隨爐冷卻時(shí)繼續(xù)通入氨氣，即可得到核殼結(jié)構(gòu)的NdFeB磁粉。該磁粉由于氮化層的隔絕效果，具有電阻率高、耐腐蝕性強(qiáng)、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化層厚度可控以及氮化層包覆均勻等特點(diǎn)。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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負(fù)低老化率負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法
本發(fā)明公開了一種負(fù)低老化率負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法，該熱敏電阻器陶瓷材料的名義化學(xué)組成為Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以組成陽(yáng)離子的氧化物為起始原料，球磨，經(jīng)過多次煅燒，加入有機(jī)粘結(jié)劑造粒成型后，燒制而成，燒成片狀樣品后，兩端面上銀電極，電極燒滲后，在富氧環(huán)境下將樣品無電極處覆蓋柱面處用中溫玻璃釉封接。通過所述制備工藝所制備的熱敏電阻器陶瓷材料，在25°C的電阻率為3-1000Ω·m,25-85°C溫區(qū)的B值為3000-4000K,150°C
安徽建筑大學(xué)
2021-01-12
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解析超高遷移率層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)
超高遷移率層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質(zhì)量的層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達(dá)~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測(cè)到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對(duì)所得Bi2O2Se單晶塊材進(jìn)行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體完整的電子能帶結(jié)構(gòu)信息，測(cè)得了電子有效質(zhì)量（~0.14 m0）、費(fèi)米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關(guān)鍵物理參量。?
北京大學(xué)
2021-04-11
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甲基硅氧烷大氣轉(zhuǎn)化導(dǎo)致低揮發(fā)性物種及高產(chǎn)率甲醛的形成
該研究發(fā)現(xiàn)一種新的過氧自由基自氧化機(jī)制，闡明甲基硅氧烷大氣轉(zhuǎn)化會(huì)生成甲醛，增加其釋放的環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)。該研究不僅拓展了對(duì)大氣過氧自由基化學(xué)的理解，還為甲基硅氧烷環(huán)境行為模擬和風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估提供了重要的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。
大連理工大學(xué)
2021-01-12
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一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構(gòu)成的一層圖案化陽(yáng)極和一層平面金屬納膜陰極/陽(yáng)極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學(xué)介質(zhì)層的兩個(gè)外表面上；在加電態(tài)下，圖案化陽(yáng)極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽(yáng)極間形成局域彎曲的銳化電場(chǎng)陣，陰極/陽(yáng)極上可自由移動(dòng)的電子被陰陽(yáng)電極間所激勵(lì)的陣列化納電場(chǎng)驅(qū)控，向各納電場(chǎng)中電場(chǎng)強(qiáng)度最強(qiáng)部位聚集。本發(fā)明基于金屬基平面納尖簇電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于金屬平面微納線尖電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構(gòu)成的一層圖案化陰極和一層平面陽(yáng)極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態(tài)下，陰極上可自由移動(dòng)的電子被陰陽(yáng)電極間所激勵(lì)的電場(chǎng)驅(qū)控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發(fā)明基于金屬平面微納線尖
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種具有高單模成品率的漸變脊波導(dǎo)分布反饋激光器
一種高單模成品率的分布反饋激光器，包括激光諧振腔、布拉 格光柵；布拉格光柵為啁啾光柵或者等效的啁啾光柵，并位于諧振腔 內(nèi)，其等效折射率沿諧振腔腔長(zhǎng)方向是變化的；該激光器的模式增益 沿諧振腔腔長(zhǎng)方向變化；該激光器輸出單縱模。本發(fā)明由于采用啁啾 光柵或者等效的啁啾光柵，同時(shí)使激光器的模式增益沿腔長(zhǎng)方向變化， 并通過在激光器兩端面分別鍍高反膜和增透膜配合，能夠提高激光器 在布拉格阻帶指定的一邊，即藍(lán)邊或者紅邊光激射的概率，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種精確控制微納尺寸相變材料非晶化率連續(xù)變化的方法
本發(fā)明公開了一種通過施加低電平脈沖實(shí)現(xiàn)微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續(xù)變化的控制方法，包括控制非晶化率連續(xù)單調(diào)增大 和連續(xù)單調(diào)減小的操作，通過利用兩個(gè)或兩個(gè)以上的連續(xù)脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個(gè)參量綜合自適應(yīng)變化精確控制焦耳熱產(chǎn)生，繼而實(shí) 現(xiàn) GST 相變材料晶化率的連續(xù)變化，具體包括步驟：對(duì)相變存儲(chǔ)單元 施加具有一定參量的兩個(gè)或兩個(gè)以上的連續(xù)脈沖；在連續(xù)脈沖的作用 下，相變材料獲得一定的熱量，使部分相變材
華中科技大學(xué)
2021-04-14