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一種基于相變磁性材料的非易失性邏輯器件及邏輯操作方法
本發(fā)明公開了一種基于相變磁性材料的非易失性邏輯器件及邏 輯操作方法，非易失性邏輯器件包括磁頭以及依次附著于襯底上的底 電極、絕緣層，相變磁性薄膜和頂電極；其中相變磁性材料由一種相 變材料基質(zhì)中摻雜鐵磁性元素構(gòu)成，材料的磁性能夠通過非晶態(tài)-晶態(tài) 相變來可逆調(diào)控。本發(fā)明基于材料的相變控磁特性實現(xiàn)“實質(zhì)蘊涵” 邏輯運算以及“與”、“或”、“與非”和“或非”四種布爾邏輯運 算，其運算結(jié)果以材料的剩余磁化存儲在器件中，從而實現(xiàn)
華中科技大學
2021-04-14
一種用于檢測織布機布鋏刀口縫隙的非接觸式檢測系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種用于檢測織布機布鋏刀口縫隙的非接觸式檢 測系統(tǒng)及方法，該系統(tǒng)包括水平基座、壓緊裝置、支撐裝置、光源提 供裝置、視覺檢測裝置和數(shù)據(jù)處理裝置，壓緊裝置用于壓緊待檢測的 布鋏，支撐裝置對布鋏進行支撐，光源提供裝置用于提供光源，視覺 檢測裝置用于采集布鋏刀口的圖像信息，數(shù)據(jù)處理裝置用于對圖像信 息進行處理，獲得布鋏刀口縫隙值，并予以顯示。所述方法包括如下 步驟:將待測布鋏放入測量系統(tǒng)，視覺檢測裝置采集圖像信息，計算 機對圖像信息進行處理，計算獲得縫隙值，通過縫隙值與標準的比較， 判斷產(chǎn)品是否
華中科技大學
2021-04-14
科研進展 | 施一公團隊揭示人源tRNA剪接內(nèi)切酶識別和剪切前體tRNA內(nèi)含子的分子機理
報道了pre-tRNA結(jié)合人源tRNA剪接內(nèi)切酶 (tRNA splicing endonuclease, TSEN) 復合物處于“預催化”和“催化后”兩種狀態(tài)的高分辨率結(jié)構(gòu)，結(jié)合體外生化，揭示了TSEN復合物識別和剪切pre-tRNA內(nèi)含子的分子機理。
西湖大學
2023-04-19
非異氰酸酯法制備可生物降解結(jié)晶熱塑性聚(醚氨酯)及彈性體
本技術(shù)成果主要利用非異氰酸酯法制備可生物降解結(jié)晶熱塑性聚(醚氨 酯)及彈性體的方法。具體涉及以脂肪族二氨酯二醇與聚醚二元醇為原料，通過熔融縮聚的氨酯交換反應，得到可生物降解結(jié)晶熱塑性聚(醚氨酯)及彈性體，屬于聚氨酯技術(shù)領(lǐng)域。 聚氨酯是日常生活中應用非常廣泛的高分子材料，具有良好的強度、韌 性和耐磨性等優(yōu)異性能。聚氨酯目前主要由多異氰酸酯和含活潑氫化合物來合成，而多異氰酸酯有毒，對環(huán)境和人體有害，且其制備原料為劇毒的光氣；同時，異氰酸酯可與水反應形成氣泡，影響了聚氨酯的性能。為了克服這些缺點，近年來提出了非異氰酸酯法來合成聚氨酯，主要利用環(huán)碳酸酯與二元或多元胺反應制備。 本技術(shù)提供了一種對真空度和設(shè)備要求不高、操作簡便、綠色環(huán)保的非異氰酸酯法，制備可生物降解結(jié)晶熱塑性 聚(醚氨酯)及彈性體的方法。該方法原料便宜易得，制備的熱塑性聚(醚 氨酯)結(jié)構(gòu)規(guī)整、高分子量、結(jié)晶性能較好、力學性能優(yōu)異，為脂肪族的直鏈結(jié)構(gòu)，可被微生物和酶降解。本技術(shù)采用熔融縮聚氨酯交換的非異氰酸酯法，先以不同的二胺分別和環(huán)狀碳酸酯反應制備直鏈型和脂環(huán)型兩種二氨酯二醇，并將其中直鏈型二氨酯二醇聚合成預聚體(作為硬段)，再與聚醚二元醇(作為軟段)及脂環(huán)型二氨酯二醇在催化劑存在下進行氨酯交換反應，得到可生物降解結(jié)晶熱塑性聚 (醚氨酯)及彈性體。由此得到的聚(醚氨酯)具有脂肪族線形結(jié)構(gòu)，該方法操作簡便、綠色、清潔、高效，得到產(chǎn)物為熱塑性材料，具有較高的分子量、較高的熔點、良好的結(jié)晶性能和優(yōu)異的力學性能，可與常規(guī)異氰酸酯方法得到的聚氨酯媲美。其拉伸強度可達49.44MPa，斷裂伸長率達1490.0％。可通過改變二氨酯二醇預聚體硬段和聚醚軟段的長度以及軟硬段、脂環(huán)型二氨酯二醇配比，從而得到性能各異的材料，可以是熱塑性塑料，也可以是熱塑性彈性體。
北京化工大學
2021-02-01
一種非均勻吸收率固態(tài)熱機光－電轉(zhuǎn)化或熱－電轉(zhuǎn)化裝置和方法
本發(fā)明公開了一種非均勻吸收率固態(tài)熱機光?電轉(zhuǎn)換或熱?電轉(zhuǎn)換裝置和方法，該裝置包括透鏡、旋轉(zhuǎn)遮光板、固態(tài)熱機、橋式整流電路以及可充電電容；固態(tài)熱機為由導電膜、熱釋電膜和導電振動膜依次粘連復合而成的工質(zhì)，導電膜局部表面覆蓋一層著色涂料；光波經(jīng)透鏡后產(chǎn)生的聚焦光束經(jīng)旋轉(zhuǎn)遮光板的調(diào)制形成光脈沖，光脈沖照射在導電層表面周期性加熱固態(tài)熱機，在光波照射下的固態(tài)熱機的導電層上形成高能量密度空間和低能密度空間，高、低能量密度空間相接觸的位置形成突變的熱梯度，產(chǎn)生應力突變強化了光能或熱能向機械能轉(zhuǎn)化的效應，促進固態(tài)熱機發(fā)生熱釋電效應，輸出交流電經(jīng)橋式整流電路后向可充電電容供電。熱電轉(zhuǎn)換效果好，經(jīng)濟成本低。
東南大學
2021-04-11
一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制 備方法；柵電極包括 n 個依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個柵電 極單元為柱狀結(jié)構(gòu)，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側(cè)壁構(gòu) 成；所述連通電極的上表面用于連接柵層，下表面用于連接字線。本 發(fā)明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接柵層的電極結(jié)構(gòu)。此電 極結(jié)構(gòu)呈階梯狀連接不同堆疊層且相對應的柵層，對疊層中非相對應 的柵層與柵電極之間通過絕緣層隔離
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制 備方法，包括由多個垂直方向的三維 NAND 存儲串構(gòu)成的存儲串陣列； 每個三維 NAND 存儲串包括半導體區(qū)域以及圍繞半導體區(qū)域的四層包 裹結(jié)構(gòu)；半導體區(qū)域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯(lián)連接；溝道為方柱形結(jié)構(gòu)；四層包裹結(jié)構(gòu)從里到外依 次為隧穿電介質(zhì)層、電荷存儲層、阻隔電介質(zhì)層以及控制柵電極；阻 隔電介質(zhì)層在不同的方向具有不同的厚度，
華中科技大學
2021-04-14
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上海中醫(yī)藥大學基礎(chǔ)醫(yī)學院王德恒在The Lancet子刊eBioMedicine發(fā)文揭示丙戊酸鈉抑制癲癇發(fā)作的神經(jīng)機制
近日，柳葉刀The Lancet雜志子刊eBioMedicine以Articles形式發(fā)表了我校基礎(chǔ)醫(yī)學院王德恒副研究員和復旦大學附屬華山醫(yī)院、蘇州大學團隊合作的最新研究成果Neural excitatory rebound induced by valproic acid may predict its inadequate control of seizures。該文揭示了抗癲癇藥物丙戊酸鈉（VPA）的藥物治療效果不佳的原因可能是VPA對神經(jīng)環(huán)路的興奮抑制平衡失調(diào)所介導的神經(jīng)放電的異常回升而引起的。
上海中醫(yī)藥大學
2022-10-12
一種用于機匣包容試驗的葉片非接觸式局部快速加熱定速飛斷試驗裝置
本實用新型公開了一種用于機匣包容試驗的葉片非接觸式局部快速加熱定速飛斷試驗裝置。在葉片一側(cè)的端面安裝非接觸式的感應加熱線圈，在葉片另一側(cè)預制裂紋，當試驗轉(zhuǎn)子加速旋轉(zhuǎn)至目標轉(zhuǎn)速穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)后，啟動控制設(shè)備，葉片削弱部位局部區(qū)域溫度快速升高，葉片抗拉極限強度下降，在離心力的作用下葉片斷裂飛出。此方法轉(zhuǎn)速控制精確度高、可靠性好、加熱時間短、操作簡單，試驗精度高、試驗周期和成本低。葉片感應加熱飛斷裝置包括感應加熱控制設(shè)備、高頻率感應線圈、絕緣固定支架、冷卻水管、電源線、中轉(zhuǎn)端口和紅外測溫儀等，處于高速旋轉(zhuǎn)狀態(tài)下的葉片感應加熱區(qū)域的表面溫度監(jiān)測通過紅外測溫儀實現(xiàn)。
浙江大學
2021-04-13
一種非易失存儲器和動態(tài)隨機存取存儲器的融合內(nèi)存系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種非易失存儲器和動態(tài)隨機存取存儲器的融合 內(nèi)存系統(tǒng)，將非易失存儲器和動態(tài)隨機存取存儲器融合在一起，共同 作為計算機系統(tǒng)的內(nèi)存統(tǒng)一管理，其中動態(tài)隨機存取存儲器既可以與 非易失存儲器統(tǒng)一編址，亦可以以部分容量充當非易失存儲器的高速 緩沖存儲器(cache)，其 cache 空間的容量大小自適應數(shù)據(jù)負載特點而動 態(tài)可配，以便加快非易失存儲器的訪問速度，并能降低 I/O 訪問磁盤 頻率，提高計算機系統(tǒng)整體性能。
華中科技大學
2021-04-14