一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制 備方法,包括由多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串構(gòu)成的存儲(chǔ)串陣列; 每個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串包括半導(dǎo)體區(qū)域以及圍繞半導(dǎo)體區(qū)域的四層包 裹結(jié)構(gòu);半導(dǎo)體區(qū)域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極; 源極與漏極串聯(lián)連接;溝道為方柱形結(jié)構(gòu);四層包裹結(jié)構(gòu)從里到外依 次為隧穿電介質(zhì)層、電荷存儲(chǔ)層、阻隔電介質(zhì)層以及控制柵電極;阻 隔電介質(zhì)層在不同的方向具有不同的厚度,
華中科技大學(xué)
2021-04-14