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懸賞金額：10萬元 發(fā)榜企業(yè)：德旭新材料（廣州）股份有限公司 產(chǎn)業(yè)集群：先進(jìn)材料產(chǎn)業(yè)集群 需求領(lǐng)域：特種功能材料;精細(xì)化工;電子材料;半導(dǎo)體材料;表面改性材料 技術(shù)關(guān)鍵詞：抗磨;超滑;切割;拋光

一種具有強(qiáng)化滴狀冷凝效果的非均勻超疏水涂層及其制備方法，通過將鈦酸四丁酯和硅溶膠分別在無水乙醇中進(jìn)行分散，然后將鈦酸四丁酯和無水乙醇的混合溶液超聲分散之后，加入到硅溶膠與無水乙醇的混合溶液中，加入氟硅烷并將溶液在50℃?65℃水浴中攪拌12h?24h，制備超疏水涂層面漆溶液；將超疏水涂層涂覆在基底上，然后通過光催化作用將TiO2表面的氟硅烷催化分解掉，而SiO2表面的氟硅烷則不能夠催化分解，從而實(shí)現(xiàn)樣品表面的親水?超疏水表面制備。本發(fā)明的樣品表面水滴冷凝脫附效率高，集水、防霧以及換熱效果較好，具有較好的推廣價值和應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開的醫(yī)用植入體表面非均相層狀的礦化涂層，在醫(yī)用植入體表面自下而上依次有致密殼聚糖層、多孔礦化殼聚糖層和礦化膠原/殼聚糖交聯(lián)體層。本發(fā)明以膠原、殼聚糖、含鈣化合物和含磷化合物為原料，在水溶液中下通過電化學(xué)反應(yīng)，在醫(yī)用金屬基體表面一次性組裝非均相層狀礦化涂層，通過調(diào)節(jié)電沉積參數(shù)，可以調(diào)整各相的沉積狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)非均向?qū)訝钔繉拥闹苽洹１景l(fā)明方法簡單，易行，可控性高，制得的醫(yī)用材料涂層能夠促進(jìn)細(xì)胞在其表面的附著及增殖，具有承載藥物的功能，且具有強(qiáng)化的生物活性性能。涂層與金屬基板的結(jié)合強(qiáng)度高，穩(wěn)定性好。

中國傳媒大學(xué)非學(xué)歷教育管理系統(tǒng)采購項(xiàng)目競爭性磋商

非霍奇金淋巴瘤（NHL）是目前發(fā)病率增長速度最快的惡性腫瘤之一，高發(fā)于青壯年，社會危害大。 “NHL個體化診療策略的創(chuàng)新與應(yīng)用”項(xiàng)目歷經(jīng)16年，依托華南腫瘤學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和國家抗腫瘤新藥 臨床試驗(yàn)中心，立足于針對中國NHL特點(diǎn)進(jìn)行創(chuàng)新。在B細(xì)胞淋巴瘤方面，建立中國B細(xì)胞淋巴瘤新診療標(biāo) 準(zhǔn)，提高15-20%的治療效果；同時發(fā)現(xiàn)伴乙肝者在靶向化療中，易發(fā)生治療相關(guān)性肝炎（中國是乙肝大 國，此問題尤為重要）；創(chuàng)建了預(yù)防B細(xì)胞淋巴瘤靶向化療相關(guān)性肝炎發(fā)生的新方法，使治療相關(guān)性肝炎 發(fā)生率下降80%，顯著提高了治療的安全性。NK/T細(xì)胞淋巴瘤在中國等亞洲國家相對常見，而在歐美國家 罕見。該項(xiàng)目通過構(gòu)建危險分級和臨床分期，制定了NK/T細(xì)胞淋巴瘤個體化分層治療策略，使低危者不用 接受過度治療，高危者通過提高治療強(qiáng)度改善生存期；通過研發(fā)新的治療方案和綜合治療模式，建立NK/ T細(xì)胞淋巴瘤新的治療標(biāo)準(zhǔn)，使5年生存率提高約20%。

本發(fā)明公開了一種具有氣動減阻效果的耦合仿生非光滑柔性表面貼膜。它包括柔性表面層、粘性液體、貼膜基體。柔性表面層與貼膜基體上均具有凹坑、凸包或溝槽的非光滑結(jié)構(gòu)或者柔性表面層與貼膜基體均呈波浪狀，柔性表面層的邊壁與貼膜基體的邊緣粘結(jié)為一體，二者之間形成密閉腔體，粘性液體填充在柔性表面層與貼膜基體之間。該貼膜通過設(shè)置仿生非光滑柔性表面，將該貼膜粘貼在汽車、高速列車以及城市地鐵車身表面可以有效降低其氣動阻力。

本項(xiàng)目屬光、機(jī)、電、材一體化技術(shù)領(lǐng)域，具有多學(xué)科綜合的特點(diǎn)。半導(dǎo)體激光器具有效率高、體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)簡單、能將電能直接轉(zhuǎn)換為激光能、功率轉(zhuǎn)換效率高、便于直接調(diào)制、省電等優(yōu)點(diǎn)，因此應(yīng)用領(lǐng)域日益擴(kuò)大。半導(dǎo)體激光技術(shù)已成為一種具有巨大吸引力的新興技術(shù)并在工業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。高功率半導(dǎo)體泵浦激光器是半導(dǎo)體激光技術(shù)中最具發(fā)展?jié)摿Φ念I(lǐng)域之一。 半導(dǎo)體激光器最大的缺點(diǎn)是激光性能受溫度影響大，光束的發(fā)散角較大。封裝成本占半導(dǎo)體激光器組件成本的一半，封裝技術(shù)不僅直接影響泵浦激光器組件的可靠性，而且直接關(guān)系到泵浦激光器芯片的性能能否充分發(fā)揮。本項(xiàng)目對非致冷高功率980nm泵浦激光器的封裝技術(shù)進(jìn)行了研究，整個封裝技術(shù)涉及光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)、機(jī)械等，精度達(dá)微米數(shù)量級。通過采用激光器芯片的倒裝貼片技術(shù)，小型化、全金屬化無膠封裝技術(shù)，最終滿足了光纖放大器對泵浦激光器小體積、高功率、低成本、高可靠性的要求。光耦合則采用透鏡光纖直接耦合，最大限度地減小耦合系統(tǒng)的元件數(shù)和相關(guān)損耗，提高了光路可靠性和易操作性。采用雙光纖光柵波長鎖定技術(shù)，提高了非致冷高功率980nm泵浦激光器的邊模抑制比和波長穩(wěn)定性。項(xiàng)目組通過采用這些技術(shù)，最終解決了一系列非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關(guān)鍵技術(shù)。 經(jīng)國家光學(xué)儀器質(zhì)量監(jiān)督檢測中心測試，非致冷高功率980nm泵浦激光器主要技術(shù)指標(biāo)如下：    1. 管殼尺寸：12.7(mm)×7.4(mm)×5.2 (mm)    2. 工作溫度：0-70℃    3. 中心波長：980nm    4. 譜 寬：1nm    5. 閾值電流：24mA    6. 輸出功率：240mW    7. 功 耗：小于1W 本項(xiàng)目的研究成果，通過與相關(guān)企業(yè)開展產(chǎn)學(xué)研合作，經(jīng)過近五年的技術(shù)研發(fā)和不斷改進(jìn)，非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關(guān)鍵技術(shù)研究成果已成功應(yīng)用于相關(guān)產(chǎn)品的批量生產(chǎn)，為企業(yè)創(chuàng)造了較好的經(jīng)濟(jì)效益。在社會效益方面，填補(bǔ)了我國非致冷高功率半導(dǎo)體泵浦激光器方面的不足，對行業(yè)技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級起到了積極的推動作用。 耦合封裝是對精度要求非常高的一系列工藝過程，這注定它很難實(shí)現(xiàn)自動化技術(shù)。因此，小型化泵浦激光器封裝技術(shù)的研究成果，特別適合在中國這樣人力成本低且技術(shù)基礎(chǔ)好的環(huán)境。通過對小型化980nm泵浦激光器封裝技術(shù)的研究，實(shí)現(xiàn)了封裝技術(shù)的源頭性創(chuàng)新，有助于向其他半導(dǎo)體泵浦激光器和光電器件的耦合封裝拓展。該技術(shù)在光電子器件的應(yīng)用方面具有廣闊的市場潛力和廣泛的推廣應(yīng)用前景，將成為形成光電子器件封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)的重要技術(shù)支撐。

本發(fā)明公開了一種非接觸式煤種自動識別及示蹤系統(tǒng)及方法， 該系統(tǒng)包括煤質(zhì)檢測裝置、標(biāo)簽、讀寫器、煤種數(shù)據(jù)庫、燃燒控制策 略數(shù)據(jù)庫和系統(tǒng)控制器，煤質(zhì)檢測裝置用于檢測原煤的煤質(zhì)信息并編 號，煤質(zhì)信息及編號錄入煤種數(shù)據(jù)庫；標(biāo)簽用于記載原煤的編號信息； 讀寫器用于讀取編號信息，并將編號信息傳輸至系統(tǒng)控制器；系統(tǒng)控 制器獲得燃燒控制策略，并將其發(fā)送給 DCS 燃燒器控制器。所述方法 利用所述非接觸式煤種自動識別及示蹤系統(tǒng)進(jìn)行煤種的自動識別及示 蹤。本發(fā)明可提前預(yù)知入爐煤的煤質(zhì)，協(xié)助調(diào)節(jié)鍋爐燃燒及溫度，實(shí) 現(xiàn)自動優(yōu)化控制燃燒，適用于火力發(fā)電廠用煤的煤種識別和示蹤。

本發(fā)明公開了一種基于 FPGA 的紅外焦平面陣列條帶狀非均勻性校正系統(tǒng)和方法，屬于紅外成像技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以中值紅外均衡算法(MIRE)為核心，針對算法以及 FPGA 的特性進(jìn)行了優(yōu)化，包括圖像緩存模塊、參數(shù)計(jì)算模塊、非均勻性校正模塊與數(shù)據(jù)輸出模塊。參數(shù)計(jì)算模塊根據(jù)上位機(jī)指令得到加權(quán)系數(shù)，原始圖像經(jīng)過緩存后，按列方向順序輸入非均勻性校正模塊得到每一列圖像的直方圖、累計(jì)直方圖與逆直方圖，然后通過對累計(jì)直方圖和逆直方圖進(jìn)

本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發(fā)器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及將憶阻器與定值電阻串聯(lián)構(gòu)·721·成的分壓電路讀取模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經(jīng)本身的電荷大小改變的特性，實(shí)現(xiàn)了 SR 觸發(fā)器的鎖存以及置位和復(fù)位功