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一種錐形的
非
晶
SiO2納米線及其制備方法
本發(fā)明屬于納米材料領(lǐng)域,特別涉及一種錐形的非晶的SiO2納米線及其制備方法。本發(fā)明提供的錐形SiO2納米線如圖1所示,形貌上納米線根部直徑300nm~600nm,高度2~4um,對于一根納米線,隨高度增加,直徑逐漸減小,成圓錐形,圓錐角4~15°且可以通過調(diào)控原料的量使得納米線直徑,高度以及錐角發(fā)生變化。成分上Si和O,不含催化劑。所述方法的工藝步驟為:(1)生長基底及載物盤的清洗;(2)半封閉勢井形氣流裝置的組合(3)錐形SiO2納米線的生長。在通流動載流氣體條件下將高溫區(qū)管式爐升溫至1250°,爐內(nèi)壓強保持在0.04~0.06Mpa,然后在上述溫度和壓強保溫2~5h,保溫時間屆滿后,所述生長基底上即生長出錐形SiO2納米線;所述載流氣體為H2和Ar組成的混合氣體,H2的體積百分數(shù)為3~7%,Ar的體積百分數(shù)為93~97%。
四川大學(xué)
2016-10-21
過度氧化誘發(fā)的
非
晶
合金納米管超彈性研究獲進展
為剖析非晶合金納米管超彈性的結(jié)構(gòu)起源,該團隊綜合利用三維原子探針技術(shù)(3D-APT)、電子能量損失譜(EELS)、X射線光電子能譜(XPS)、導(dǎo)電原子力顯微分析技術(shù),解析了Zr基非晶合金納米管及納米片中氧的形態(tài)和分布。
中國科學(xué)院物理研究所
2024-01-08
使用中間層擴散制備多層
非
晶
合金與銅復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法
本發(fā)明公開了一種使用中間層擴散制備多層非晶合金與銅復(fù)合 結(jié)構(gòu)的方法,包括如下步驟:對非晶合金和銅片進行切割、研磨、拋 光和清洗,同時用刀片將中間層劃分成規(guī)定的尺寸,對非晶合金薄片, 中間層以及銅薄片進行組裝和固定,以形成固定后的工件,將固定后 的工件放進真空擴散爐中,使中間層溶解于非晶合金薄片與銅薄片中實現(xiàn)擴散焊接。本發(fā)明使用中間層能夠降低擴散溫度,使得非晶合金 薄板在擴散后中仍然保持非晶態(tài)。復(fù)合結(jié)構(gòu)具有非晶合金的強度和銅 的韌性,能阻斷非晶合金塑性變形時剪切帶的延伸,從而避免了純非 晶合金材料容易脆斷的問題,增強抗剪切能力,焊接后薄片表面質(zhì)量 高,連接可靠。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
使用中間層擴散制備多層
非
晶
合金與銅復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法
本發(fā)明公開了一種使用中間層擴散制備多層非晶合金與銅復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法,包括如下步驟:對非晶合金和銅片進行切割、研磨、拋光和清洗,同時用刀片將中間層劃分成規(guī)定的尺寸,對非晶合金薄片,中間層以及銅薄片進行組裝和固定,以形成固定后的工件,將固定后的工件放進真空擴散爐中,使中間層溶解于非晶合金薄片與銅薄片中實現(xiàn)擴散焊接。本發(fā)明使用中間層能夠降低擴散溫度,使得非晶合金薄板在擴散后中仍然保持非晶態(tài)。復(fù)合結(jié)構(gòu)具有非晶合金的強度和銅的韌性,能阻斷非晶合金塑性變形時剪切帶的延伸,從而避免了純非晶合金材料容易脆斷的問題,增
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種新型高沖擊韌性
非
晶
基復(fù)合涂層及其制備方法
本發(fā)明提供一種新型高沖擊韌性非晶基復(fù)合涂層及其制備方法, 其中復(fù)合涂層由一種鐵基非晶合金涂層與一種晶態(tài)金屬涂層交互疊加 構(gòu)成,晶態(tài)金屬涂層與基材直接接觸,復(fù)合涂層的最外層為鐵基非晶 合金涂層;復(fù)合涂層中非晶涂層及晶態(tài)涂層的界面結(jié)合緊密,不存在 連續(xù)孔隙;復(fù)合涂層采用超音速火焰噴涂技術(shù)獲得;復(fù)合涂層與金屬 基體具有高結(jié)合強度;復(fù)合涂層的沖擊韌性遠高于單相鐵基非晶合金 涂層。本發(fā)明獲得的復(fù)合涂層可在各種金屬基體表面進行大
華中科技大學(xué)
2021-04-14
非
制冷
薄膜
型紅外焦平面陣列探測器結(jié)構(gòu)及其制備方法
非制冷薄膜型紅外焦平面陣列探測器結(jié)構(gòu),包括含讀出電路的第一基片,含熱隔離微橋陣列和敏感元陣列的第二基片,所述第一基片與第二基片鍵合成一體,所述熱隔離微橋陣列中的各熱隔離微橋單元以刻蝕后的第二基片為橋墩,以與所述橋墩頂面緊密結(jié)合的支撐層為橋面;各熱隔離微橋單元的橋面上均設(shè)置有敏感元陣列,各敏感元陣列通過引線電極與第一基片上對應(yīng)的讀出電路實現(xiàn)電連接。制備方法:第一基片鍵合面圖形的制備;支撐層制備;敏感元陣列的制備;第二基片正面保護;熱隔離微橋陣列的制備;第一基片與第二基片的鍵合;除去第二基片的正面保護層;敏感元電極讀出電路電極的連接。
四川大學(xué)
2021-04-11
一種
非
晶
鐵磷合金/V8C7 復(fù)合鍍層及其電鍍工藝
本發(fā)明之非晶鐵磷合金/V8C7復(fù)合鍍層,所述復(fù)合鍍層的基體材質(zhì)為非晶態(tài)Fe-P合金,F(xiàn)e 含量為復(fù)合鍍層的60-89wt%(優(yōu)選70-85wt%),P 含量為復(fù)合鍍層的10-30wt%(優(yōu)選12-22wt%),所述復(fù)合鍍層中含有固體微粒V8C7,含量為復(fù)合鍍層的1-10wt%(優(yōu)選3-7wt%)。復(fù)合鍍層可以含有各種不同的金屬或合金以及各種不同類型的微粒,其技術(shù)適用性和實用性寬廣,具有較強的可變性和可操作性,應(yīng)用將日益廣泛。
長沙理工大學(xué)
2021-01-12
一種精確控制微納尺寸相變材料
非
晶
化率連續(xù)變化的方法
本發(fā)明公開了一種通過施加低電平脈沖實現(xiàn)微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續(xù)變化的控制方法,包括控制非晶化率連續(xù)單調(diào)增大 和連續(xù)單調(diào)減小的操作,通過利用兩個或兩個以上的連續(xù)脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個參量綜合自適應(yīng)變化精確控制焦耳熱產(chǎn)生,繼而實 現(xiàn) GST 相變材料晶化率的連續(xù)變化,具體包括步驟:對相變存儲單元 施加具有一定參量的兩個或兩個以上的連續(xù)脈沖;在連續(xù)脈沖的作用 下,相變材料獲得一定的熱量,使部分相變材
華中科技大學(xué)
2021-04-14
美的微
晶
凌
晶
板教室燈
【產(chǎn)品信息】 顯色:≥ 80 功率:40W 色溫: 4000K / 5700K 產(chǎn)品尺寸: 1198*298*30mm 【產(chǎn)品優(yōu)勢】 微晶防眩 高顯指 直角邊框,可嵌入,可吊裝 專業(yè)護眼,綠色環(huán)保,節(jié)能省電
美智光電科技股份有限公司
2021-08-23
美的微
晶
凌
晶
板教室燈
【產(chǎn)品信息】 顯色:≥ 80 功率:40W 色溫: 4000K / 5700K 產(chǎn)品尺寸: 598*598 mm 【產(chǎn)品優(yōu)勢】 微晶防眩 高顯指 直角邊框,可嵌入,可吊裝 專業(yè)護眼,綠色環(huán)保,節(jié)能省電
美智光電科技股份有限公司
2021-08-23
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